存储芯片工作原理图解（爱芯元智发明缓存器信息传递设备方案）

存储芯片工作原理图解（爱芯元智发明缓存器信息传递设备方案）其中，多片SRAM之间可以并行访问，多片SRAM可以分别对接LATCH不同空间，以实现SRAM与LATCH之间能够并行传递读写信息。同时，LATCH的部分地址也可以根据实际读写信息传递情况进行更新，即SRAM中的部分数据可以作为准备数据，等待LATCH地址更新，一旦LATCH的地址更新，该准备数据立即加载到更新后的空闲地址中。如上图，为缓存器的结构示意图，该缓存器是SRAM和LATCH的组合，缓存器和前级模块、后级模块之间的信息交互过程为：前级模块将读写信息传输到SRAM，SRAM将该读写信息加载到LATCH闲置的空间，后级模块再接收LATCH中的读写信息。根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。如上图，为方案中发明的电子设备的结构示意图，该结构主要由前级模块111、缓存器112和后级模块113构成，三个模块之间通过电性直接或者间接相连，以实现数据的传输和交互。前级模

【嘉勤点评】爱芯元智发明的应用于缓存器的信息传递设备及方案，通过缓存器实际需要满足的读写信息确定缓存器的规格参数，按照实际需求配置缓存器。在保证缓存器满足实际需求的同时可以选择适合尺寸的缓存器，从而平衡了芯片面积与功耗。

集微网消息，在信息存储时，常常会用到乒乓缓存技术。乒乓缓存是一种双缓存机制，该双缓存机制用来加速同时乒乓缓存存在I/O操作以及数据处理操作的设备。

在该技术中，一个缓存用来保存旧版本的数据供读设备读取，与此同时，另一个缓存保存写设备产生的新版本数据。当新数据完成时，读设备和写设备将会交换两个缓存，双缓存机制将会提高设备的吞吐量，但是目前的乒乓缓存机制难以满足面积与功率之间的平衡。

为满足此条件，爱芯元智在2021年12月21日申请了一项名为“信息传递方法、装置、电子设备及可读存储介质”的发明专利（申请号：202111568222.X） 申请人为爱芯元智半导体（上海）有限公司。

根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。

如上图，为方案中发明的电子设备的结构示意图，该结构主要由前级模块111、缓存器112和后级模块113构成，三个模块之间通过电性直接或者间接相连，以实现数据的传输和交互。

前级模块为频域变换模块，用于完成DCT变换(离散余弦变换)、DWT变换(离散小波变换)等，前级模块在接收到访问信息后，对该访问信息进行变换并将变换后的信息传输到缓存器。该方案中发明的缓存方法可以应用于缓存器中，且由缓存器实现。

如上图，为缓存器的结构示意图，该缓存器是SRAM和LATCH的组合，缓存器和前级模块、后级模块之间的信息交互过程为：前级模块将读写信息传输到SRAM，SRAM将该读写信息加载到LATCH闲置的空间，后级模块再接收LATCH中的读写信息。

其中，多片SRAM之间可以并行访问，多片SRAM可以分别对接LATCH不同空间，以实现SRAM与LATCH之间能够并行传递读写信息。同时，LATCH的部分地址也可以根据实际读写信息传递情况进行更新，即SRAM中的部分数据可以作为准备数据，等待LATCH地址更新，一旦LATCH的地址更新，该准备数据立即加载到更新后的空闲地址中。

如上图，为该专利中发明的缓存器信息传递方法的流程示意图，首先，系统根据芯片的读写信息确定目标缓存器的规格参数。预设规则包括读写信息各个信息对应的缓存器的各个规格，通过对读写信息各个信息与缓存器的规格匹配，可以确定出目标缓存器的规格参数。

其次，根据该规格参数配置目标缓存器，得到当前目标缓存器，该当前目标缓存器在传递该读写信息时可以对该读写信息进行暂存。并且会根据目标缓存器的缓存器类型配置SRAM和REGISTER以得到当前目标缓存器。

最后，通过当前目标缓存器传递该读写信息，并且该目标缓存器在传递该读写信息时可以对该读写信息进行暂存。该流程通过根据实际的读写信息制定相应的缓存器配置规则，为目标缓存器配置相应的缓存器类型和数量，在保证目标缓存器保持在适当的面积之内与此同时还将该目标缓存器的功率控制在合适范围内，不仅平衡了缓存器的面积与功率还提高了信息传递的效率。

如上图，为这种信息传递装置的功能模块示意图，该装置包括有确定模块301、配置模块302以及传递模块303。确定模块用于根据芯片的读写信息确定目标缓存器的规格参数；配置模块用于根据规格参数配置目标缓存器，得到当前目标缓存器；传递模块用于通过当前目标缓存器传输读写信息。

以上就是爱芯元智发明的应用于缓存器的信息传递设备及方案，该方案通过缓存器实际需要满足的读写信息确定缓存器的规格参数，按照实际需求配置缓存器。在保证缓存器满足实际需求的同时可以选择适合尺寸的缓存器，从而平衡了芯片面积与功耗。