南大量子芯（竞争能力凸显长光华芯）
南大量子芯（竞争能力凸显长光华芯）在外延方面，公司通过非对称的波导结构设计，解决了一次外延技术的难点，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化，采用大光腔结构改善了近场模式和远场输出特性，增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。公司核心技术包括器件设计及外延生长技术、FAB 晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术及高亮度合束及光纤耦合技术等。公司已建成3英寸、6英寸激光芯片量产线，以及从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光系统等完整的研发工艺平台和量产线。公司成立至今不断加强芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了 GaAs（砷化镓）和
（报告出品方/分析师：海通国际 张晓飞 蒲得宇 张幸）
公司资料公司成立于2012年并一直聚焦半导体激光行业，专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，目前已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。
公司主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率 VCSEL 系列产品及光通信芯片系列产品等。
公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、3D传感、人工智能、高速光通信等领域，致力于半导体激光芯片的国产化相关领域。
公司已建成3英寸、6英寸激光芯片量产线，以及从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光系统等完整的研发工艺平台和量产线。
公司成立至今不断加强芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。
同时，针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了 GaAs（砷化镓）和 InP（磷化铟）两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品，横向扩展 VCSEL 芯片及光通信芯片领域。
公司核心技术包括器件设计及外延生长技术、FAB 晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术及高亮度合束及光纤耦合技术等。
在外延方面，公司通过非对称的波导结构设计，解决了一次外延技术的难点，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化，采用大光腔结构改善了近场模式和远场输出特性，增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
并率先提出采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在 大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
公司采用腔面钝化处理技术率先提出自主创新的腔面钝化及窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
目前，公司半导体激光单管芯片可实现 30W 的高功率激光输出，半导体激光巴条芯片可实现 50-250W 的连续激光输出及 500-1000W 的准连续激光输出，产品性能指标居于国内领先、国际先进水平。
公司采用高亮度合束及光纤耦合技术研制高亮度波长锁定激光源。
利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
公司研发管理生产团队技术背景深厚：现 4 位院士顾问、国家级人才技术专家 7 位、省市级人才 8 位，其他人员中博士高级职称 10 余人、硕士 30 余人，多位技术及管理骨干来自海内外行业顶尖公司。
公司总经理闵大勇先生在激光领域深耕近25年，行业资源整合、产业战略布局、上市公司经营管理经验都极为前瞻丰富，是国内少有的先后担任数家上市公司创始人、董事长、总经理的稀缺人才。
闵大勇先生2007年引进海外顶尖人才，率先创办了当前国内光纤激光器龙头公司锐科激光（300747.SZ）并担任首任总经理。闵先生开创了国内光纤激光器的先河并推动了光纤激光器及供应链的国产化，在国内激光产业具备划时代意义。当前光纤激光器国内市场约 110 亿，锐科占比约1/3，充分体现了闵先生在激光领域的前瞻的产业布局与长远的战略眼光。
2009年，闵先生又成立先进固态激光器公司——华日精密激光技术股份有限公司并担任首任董事长（现董事），在备受关注的固体和超快激光器领域深耕。
2021年07月，哈勃投资正式入股华日激光，与长光华芯一道成为其重要股东，其中长光华芯为其第一大股东，股权比例19.6%，哈勃为第五大股东，股权比例7.0%。
2011-2017年任华工科技（000988.SZ）的董事总裁、华工激光董事长兼总经理。
2017年8月至今，闵总就职于长光华芯，担任董事长、总经理职务。
公司2018-2021收入增长近4倍，主要受益于激光芯片在国内光纤激光器的国产替代加速及下游光纤激光器的稳定增长。期间公司成功实现扭亏转盈，且21年受益单管芯片销售占比的显著提升，毛利率亦从上一年的31.4%提升至52.8%。
公司股权相对分散，不存在控股股东和实控人。本次发行后，公司前五大股东分别为为华丰投资、苏州英镭、长光集团、国投创投（上海）、伊犁苏新，持股比例分别为为18.38%、14.82%、6.54%、5.91%、4.89%。
单管芯片/光纤耦合模块/巴条器件是公司主要收入与利润来源
公司一方面直接进行激光芯片的销售，另一方面通过器件及模块类产品的销售实现一定量的激光芯片销售。
公司主要产品包括单管系列产品、巴条系列产品、VCSEL 系列产品，其中单管系列又分为单管芯片、单管器件、光纤耦合模块、直接半导体激光器，巴条系列包括巴条芯片、巴条器件、巴条模块。
从细分产品收入构成来看，2018、2019、2020、1H21公司单管芯片/光纤耦合模块/巴条器件收入占比分别为23%/52%/8%、11%/62%/19%、19%/68%/8%、41%/32%/18%，收入合计占比分别为84%、92%、94%、91%；毛利占比分别为52%/2%/20%、15%/32%/38%、36%/35%/18%、53%/10%/26%，毛利合计占比分别为75%、86%、89%、88%。
高功率单管芯片及巴条芯片的产能均依赖核心设备MOCVD系统，通过MOCVD系统将衬底进行外延生产外延片，然后通过光刻与刻蚀、金属沉积等生产晶圆，单片晶圆进行片区分解、腔面镀膜及解理等生产单管及巴条芯片，通常单片晶圆可解理为 1000 颗单管芯片或100颗巴条芯片。按照公司内部规划，MOCVD系统的产能80%用以生产高功率单管芯片，20%用以生产巴条芯片，因此高功率巴条芯片及单管芯片的产能测算采取“二八分”的原则。
公司的高功率单管系列和高功率巴条系列产品内均包括芯片、器件、模块、激光器（公司暂无巴条芯片制成的激光器产品）四类，而器件、模块、激光器均由芯片经过封装、耦合制成。高功率单管系列和高功率巴条系列的主要差异在于其所用的核心部件——芯片存在差异，前者为单管芯片，后者为巴条芯片。单管芯片为单个发光单元，巴条芯片包含多个发光单元，巴条芯片可解理为多个单管芯片、视作多个单管芯片并排排列。
因此，单管芯片和巴条芯片的主要差异在于单个芯片上发光点数的差异。巴条芯片由于发光点较多，具有更高的发光功率，主要用于科研与国家战略高技术、医疗美容等领域；而单管芯片仅有一个发光点，易于进行光纤耦合，常被用于光纤激光器的泵浦源。同时，发光点数少能够有效减少热效应的相互影响，易于检修、维护和更换，因此常用于工业加工领域。
公司在工业激光市场潜在参与空间约30-35亿
公司在工业激光市场潜在参与空间测算：
芯片-光纤激光器泵浦源：
1）2021年中国光纤激光器市场规模约为108.6亿元，同比增速约15%（国内光纤激光器行业增速16-30%之间），随着光纤激光器功率提升逐步趋缓，长期来看中国厂商的份额有望持续提升；
2）泵浦源（光纤耦合模块）占光纤激光器的成本约40%；
3）芯片占泵浦源成本约40%（过往几年 100W、180W 的泵浦源普遍采用的10W、20W芯片，整体成本约10-15%，近两年泵浦源在迅速向 400/500/600W 等高功率方向发展，由于其中的壳体、输出光纤变化不大、FAC 透镜等价值量变化并不显著，核心增加项目主要为芯片成本，故高功率光纤激光器芯片占比约 40%）。
换言之，中国光纤激光器单管芯片市场约17-18亿元。
芯片-固体激光器泵浦源：国内固体激光器市场约20亿，其中泵浦源（芯片）价值量约1/3，换言之，固体激光器单管芯片市场约6-7亿。
光纤激光器泵浦源模块：较多公司自身参与泵浦源模块制造，但对于中小品牌客户，外部购买需求（从公司采购）仍为主要渠道，这一潜在市场空间约10亿；
器件：部分客户不直接购买芯片或模块，而是以单管器件形式，这一潜在市场空间约2-3 亿；总结来看，公司在工业激光市场的潜在参与空间约30-35亿。
国内激光芯片龙头企业，2021年国内工业激光芯片市场市占率仅约6-10%
根据公司对2020年的销售的单管芯片测算，公司收入换算为单管芯片约为0.71亿元，考虑到公司2021年收入增长显著且主要以单管芯片的增长为主，我们粗略预估公司收入换算为单管芯片约2.0-2.5亿，换言之，2021年公司在国内高功率单管芯片市场份额约11-15%（武汉锐晶约5-6%），按国内需求占全球2/3估算，公司在全球高功率单管芯片市场份额约 7-10%（武汉锐晶约3-4%）。
我国“激光 GDP”和国外差距仍大，科技自立自强加速新兴领域应用落地
欧美国家80%的GDP和激光产业有关，中国当前仅有40%，而且欧美是激光价格很高情况下的渗透，而现在激光成本已大规模下降。
具体到产业而言，打标、氩弧焊、烙铁焊、切割、冲压、酸洗/化学洗等正持续被激光替代，激光芯片价格的下降对其在产业的持续渗透也是非常重要的有利因素，中国激光市场的应用前景依然广阔。
2022年6月28日，在武汉华工激光调研时强调“科技自立自强是国家强盛之基、安全之要……把科技的命脉牢牢掌握在自己手中，在科技自立自强上取得更大进展，不断提升我国发展独立性、自主性、安全性…...”。光电子信息产业是应用广泛的战略高技术产业，也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。随着我国经济体量的持续增长，突破“卡脖子”关键核心技术刻不容缓。激光作为工业与国防领域的“利器”，未来增长空间值得期待。
公司积极扩产因应巨大国产替代需求，新厂房产能约为前期 5 倍以上
当前以长光华芯、武汉锐晶、瑞波光电为代表的国产激光芯片厂商的产品在中高端芯片市场已具备相当的竞争实力，在以锐科、创鑫、飞博、大科、光惠等为代表的下游激光器厂商技术水平不断提升，我国激光芯片产业进入国产替代的加速期已成必然趋势。在此背景下，公司积极扩充产能因应市场需求。
公司来自主要客户的收入较为集中。
2018年、2019年、2020年和2021年1-6月，公司来自前五大客户的销售收入占营业收入的比例分别为 86.36%、81.74%、78.90%和 82.26%，主要客户包括飞博激光、创鑫激光、锐科激光、大族激光、光惠激光等知名激光器厂商，以及客户 A2、客户 B 等科研机构。
2018年 3 月，公司与苏州高新区开始合作启动半导体激光创新研究院建设项目：项目总投资 5 亿元，占地面积近 2.3 万平方米，建筑面积 5 万平方米，包含研发大楼、办公大楼、生产工艺大楼等，同时建成了国内唯一一家、全球唯二 6 寸高功率半导体激光芯片生产线。
公司老厂房约 9000 平方米，对应产能约 1500 万颗/年（125 万颗/月）。新厂房面积约为之前 5-6 倍，且公司机台当前正持续从 3 英寸切换到 6 英寸，同时考虑到良率也有一定程度提升（约 10%），我们认为公司新厂房产能保守为原有产能 5-6 倍以上。从 2Q 来看，公司产能已达 500 万颗/月。
当前公司新厂搬迁已经完成 85%，部分设备已经调试完（当前新老厂共同生产）。公司预计 7 月末新厂全部搬迁完成，同时科研大楼会在今年 8 月份投入使用。新厂搬迁完城后，将全面进入新厂工艺线导入，Q3 产能预计可释放出 2-3 倍。
根据公司规划，高功率芯片产能从 2Q 开始逐步转到 6 英寸产线。6 英寸的衬底在转产的过程中，会有 2-3 个月的过渡期；
根据公司披露，各业务线产能爬坡时长分别为：
1）泵浦源业务，产能转线时长在 3 个月左右，客户使用验证在 3 个月；
2）芯片业务，产地和设备均发生了更换，需要做全新的开发和验证，由于半导体的核心在制造（良率、产能、可靠性），故芯片的产能爬坡周期较长。当前公司高功率激光芯片目前公司的很多验证已接近尾声，预计八月份左右全部验证完毕，同时部分头部企业的样品已在新老厂出货（周期长的产品已在老厂出货，能够快速在新厂验证出货的产品已在新厂出货）。
原有厂房将不再做生产，主要用于研发试验，而老厂中的量产设备主要是 3 寸，后续将用于光通讯的生产。
公司前期受制于新产能未能开出，增长十分受限。当前面对 80%左右的潜在国产替代空间以及中国光纤激光器市场仍平均保持着双位数增长的现状，我们认为随着公司产能的陆续释放，后续有望继续保持高速增长。
单位成本持续下滑抵消价格下滑，单管毛利率仍有望维持高位
高功率半导体激光芯片作为激光器行业的核心元器件，技术门槛高、研发投入大、产业化周期长，在很长时间内一直是制约我国激光器行业发展的重要因素。
国外芯片厂商由于起步较早、研发实力较强、资金雄厚，因此在技术水平、生产工艺以及规模效应等方面占据先发优势，并逐步形成垄断地位。
公司是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一，是高功率半导体激光芯片国产化的先行者和领先者。
公司研发的高功率半导体激光芯片产业化后，在国内市场与进口芯片直面竞争，而国外芯片厂商由于发展时间较长，生产工艺成熟，管理经验丰富，品牌信任度和市场占有率高，能充分发挥规模效应，具有较高的市场竞争地位，在国产芯片进口替代的过程中，国外芯片厂商通常采取降价措施保持其市场竞争优势与市场份额，因此国产芯片即使在技术水平比肩进口芯片的情况下，仍面临国外竞争对手战略性的价格打压与竞争。
下游高功率光纤激光器行业竞争加剧，价格竞争压力向上游核心元器件传导。
公司下游客户主要为国内高功率激光器企业。国内激光器企业从中低功率（1kW、3kW）产 品开始起步并逐步打开市场，随着光纤激光器下游工业应用渗透率不断提升，市场规模快速扩张，国产激光器企业凭借成本优势推动产品价格持续下降。近年来由于技术水平不断进步，国产光纤激光器开始进入高功率领域，使得高功率光纤激光器市场竞争加剧。
在进口替代进程中，国产厂商为抢占 IPG 等国外龙头企业的市场份额，推动了高功率光纤激光器价格不断走低。下游高功率光纤激光器价格快速下降，其降本压力向上游核心元器件传导，从而加剧了国产高功率半导体激光芯片等核心元器件进口替代过程中的价格压力。
但同时市场价格的下降使下游光纤激光器在传统制造业中成为一种普惠应用，促使传统制造业的转型升级，传统制造业进入“光制造”时代，随着光纤激光器在传统制造业中渗透率的提升，市场规模不断提升。
根据《2021年中国激光产业发展报告》，随着国内光纤激光器企业综合实力的增强，国产光纤激光器功率和性能逐步提高，我国光纤激光器市场从2015年的40.70亿元增长到2021年的 108.60亿元。
随着产能逐步释放、生产工艺不断进步，高功率半导体激光芯片及模块产品成本及价格下降亦遵循其自身的“摩尔定律”，即半导体激光芯片的亮度每八年增长十倍，由于技术的不断提升、生产工艺的不断改进，其生产成本每五年将降低十倍，相应市场销售价格亦随之下降。
公司高功率半导体激光芯片及模块等产品在早期由于生产规模较小，产量相对较低，因此生产成本较高。随着公司生产工艺不断进步，产量与良率持续爬升，单位生产成本不断下降。
2018年、2019年和2020年，公司高功率单管芯片产量分别为115.94万颗、166.22万颗和 483.75 万颗，产量复合增长率为104.26%；高功率巴条芯片产量分别为2.10万颗、3.67万颗和 4.57 万颗，产量复合增长率为47.57%。除芯片外，公司器件和模块产品同样保持放量式增长速度。产量增长使得公司规模效应逐步发挥，单位生产成本整体下降。
报告期内，公司高功率单管系列毛利率水平分别为 22.88%、23.58%和26.23%，高功率巴条系列毛利率水平分别为 63.05%、72.19%和 73.04%，均呈上升趋势，因此，采取降价策略，是公司在保证盈利能力的前提下，抓住下游高功率激光器行业国产渗透率快速提升的发展机遇，进一步抢占市场份额、扩大生产规模的重要举措，且能够与公司持续降低生产成本形成良性循环，从而不断提升公司产品的市场竞争力，符合公司长远发展战略和行业发展规律。
受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响，2018年、2019年、2020年和2021 年 1-6 月公司单管芯片产品价格分别为42.44元/颗、31.95元/颗、18.95元/颗和14.10元/颗，光纤耦合模块产品价格分别为3 511.26元/个、3 176.64元/个、2 758.52元/个和2 641.23元/个，价格整体呈下降趋势。
但从毛利率观测，我们认为随着公司工艺的不断进步及 6 英寸大规模的量产，单位成本亦持续优化，此外，成本占售价比例较低也导致单价下滑对毛利率影响进入弱敏感区间。
综上，我们认为单管芯片整体毛利率仍有望维持在55-60%以上。
2021年 1 月初，公司导入 6 寸晶圆生产线，单位成本下降显著，单管芯片及巴条芯片平均单位生产成本下降分别为 40.65%、32.48%。
行业：可寻址、多结为 VCSEL 发展方向
2020年，苹果新款 iPad 和 iPhone 搭载了基于 dToF 的激光雷达，其中集成的可寻址 VCSEL 阵列由 Lumentum 提供，该 VCSEL 阵列采用共阴极设计，阳极有四个区域，驱动信号可分别控制阳极四个区域中的一个，实现分区点亮。
可寻址 VCSEL 阵列具有以下优点：
（1）有效控制出光区域，可提升峰值功率；（2）通过合适的系统设计，可实现系统级抗干扰能力；（3）更好的发光效率，可节约系统功耗；（4）散热性能更好。
在激光雷达应用领域，VCSEL 阵列光源由于其低制造成本、小温漂系数、易于二维集成的优势，越来越受到激光雷达应用市场的关注。
使用特殊的结构和工艺设计，VCSEL 阵列可以实现更高的功率密度和更低的发散角，以满足激光雷达长距离应用的发展需求，多结 VCSEL 是获得高功率密度的关键技术。
为了得到高性能多结 VCSEL 阵列，高斜率效率、高填充因子和小发散角是当前产业主要的研究方向。
相比单结 VCSEL，多结 VCSEL 优势众多：
（1）提升PCE（电光转换效率）、降低功耗；（2）可提供更高的功率密度，对光学系统设计更加友好；（3）提高斜率效率，对激光驱动器更加友好；（4）提供更高的峰值功率，扩大测距工作范围；（5）降低激光器的“每瓦成本（Cost per Watt）”。
2020~2021年，全球主要厂商陆续发布了双结和三结 VCSEL 产品，而 Lumentum 则在2021年 3 月首发五结和六结 VCSEL 阵列，每个发射孔的光功率超过 2W，从而使得 1 平方毫米 VCSEL 阵列的峰值功率超过 800W。
作为苹果 VCSEL 的主要供应商，两大国际巨头 Lumentum 和 II-VI 占据了市场主要份额。
由于 3D 传感创新应用不断涌现，VCSEL 产业整合行为接连发生：2017年 7 月艾迈斯半导体（AMS）完成收购 Princeton OptronICs；2018年 5 月欧司朗（OSRAM）宣布收购 Vixar；2019年 4 月通快（TRUMPF）完成收购飞利浦光电子（Philips Photonics）；2019年9 月 II-VI 完成收购 Finisar；2020年7月 AMS 宣布成功收购 OSRAM，并与2021年 3 月完成合并成为新的公司——艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）。2020年11月 Lumentum 宣布收购 TriLumina。
中国 VCSEL 厂商以创业型为主，源于众多国际大厂海归专家与本土人才共同掀起创业热潮，根据 MEMS 咨询统计，中国 VCSEL 厂商主要集中在长三角和珠三角地区：长三角地区包括长光华芯、纵慧芯光、睿熙科技、华芯半导体、度亘激光、老鹰半导体；珠三角地区包括博升光电、柠檬光子、瑞识科技、新亮智能；此外还有总部位于武汉的仟目激光。
此外，中国 LED 上市厂商（例如三安光电、乾照光电、华灿光电）也积极投身于 VCSEL 热潮之中。
1）消费电子：3D 传感持续增长趋势不改
主要用于手机等终端应用，公司主要为 H 客户提供其智能机 TOF 芯片，以 21 年来看，公司 VCSEL 芯片系列收入约 0.08 亿元，主要来自 H 客户（超过其一半的份额）。我们认为随着下游终端如扫地机器人、智能门锁、刷脸支付、汽车门锁、车站安检系统及考勤打卡设备等新兴场景的持续丰富，公司在此领域仍有持续的增长机会。
2）激光雷达：蓄势待发，IDM 优势有望凸显竞争能力
边发射成本下降空间相对有限，长期 VCSEL 潜力更优。激光雷达市场参与者主要为初创型公司与 Tier1 等公司，激光雷达作为激光下游的一个应用，早期市场主要以技术工艺更为成熟的 EEL 为主（欧司朗为主要提供者），但 EEL 技术较为成熟，长期降本空间相对有限。
我们认为从中长期降本考量，VCSEL 有望凭借多结技术持续优化激光雷达光源成本，乐观看待，亦有望成为激光雷达面光源技术路线的放量前提。
公司的 IDM 优势在 VCSEL 领域竞争能力有望凸显。
1）当前国内 VCSEL 产业参与厂家众多（约 40 多家），但大部分仍是“小作坊”式的工作方式：各厂家以研发人员为主，主要专注于 IC 设计，但生产测试、封装业务外包；
2）VCSEL 核心在工艺端：VCSEL 约有 15 个核心工艺制程，其中 13 个在 FAB 端，不少公司甚至不具备外延能力。
3）绝大多数 VCSEL 公司的投片并不在大陆，当前地缘政治情境下供应链安全并不可控。
4）绝大多数并不具备 FAB 的建设与投资能力：建一座 FAB 厂投资十亿元以上，投资门槛较高，此外，建厂三年、调试三年、使用三年的周期对很多稍有实力的潜在参与者会是更大的进入壁垒。
在多结技术上，公司 6 结 VCSEL 产品与众多一线头部激光雷达客户建立合作关系，当前公司正处于集中送样阶段，3Q 有望通过车规级认证。订单上，众多研发订单与小批量订单同时推进，预计大批量订单有望在年底或明年初逐步落地。
换言之，23年将是公司 VCSEL 产品上量爬坡的元年，我们认为公司凭借出众的 IDM 技术优势（多节产品功率密度已达 1200w 每平方毫米）与较高的性价比，中长期有望持续获得与国内激光雷达头部客户的合作机会。
当前激光雷达市场蓄势待发，根据我们的预测，2021年中国区车载激光雷达出货量约 20 万台，2022年保守估计市场约 2 倍以上增长。
未来三年激光雷达 VCSEL 芯片市场规模有望突破 10 亿元，公司作为国内 VCSEL 芯片 IDM 龙头企业，有望充分享受增长红利。
从当前激光雷达 VCSEL 光源各项目推进情况观察，我们预估22-25年激光雷达 VCSEL 芯片市场规模分别约为 0.7 亿（Lumentum 为主）、3.0 亿、7.0 亿、13 亿。
换言之，激光雷达 VCSEL 芯片市场未来三年有望突破10亿元，公司作为国内 VCSEL 芯片 IDM 龙头企业，工艺制造优势显著，同时可提供封装测试服务；此外，公司产品线优势亦较为明显：EEL、1550nm 光纤激光器、探测器皆属公司能力范围之内。
中长期来看，公司在汽车领域的应用领域有望持续拓宽。
国产光芯片与美日厂商差距较大，替代壁垒较高但空间广阔
国产光芯片基础薄弱，与美日厂商差距较大。全球高端光芯片基本被国外厂商垄断，其中，我国在高端芯片领域的自主技术研发和投入实力方面相对较弱，目前主要集中在中低端光芯片产品的研发、制造。
在中兴、华为等通信设备的强势助攻下，中国成为世界上最大的光器件消费大国，市场占比约为 35%。
国内企业在无源器件、低速光收发模块等中低端细分市场较强，然而以高速率为主要特征的高端光芯片技术，还掌握在美日企业手中（美、日企业占据了全球高端光芯片超过 50%市场份额，占据我国高端光芯片90%以上的市场份额），我国高速率光芯片国产化率仅 3%左右。
国内企业目前只掌握了 10Gb/s 速率及以下的激光器、探测器、调制器芯片，以及 PLC/AWG 芯片的制造工艺以及配套 IC 的设计、封测能力，25Gb/s 的工艺能力及产能配套都无法形 成规模；
单通道 25Gbps 光芯片大部分已可国产化，电芯片部分国产化，但绝大多数 25Gb/s 速率模块使用的光电芯片只能做到小批量供货，大部分还要依赖进口。50Gbps 以上的光电芯片，只有很少部分器件可国产化。
更为高端的 100G 光通信系统，其中可调窄线宽激光器、相关光发射/接收芯片均高度依赖进口。
下游需求方兴未艾，≥25G 国产替代空间广阔
LightCounting 预计22-27年全球光模块市场 CAGR 可达12%，同时根据 Yole 测算，19-26 年全球光模块器件磷化铟衬底市场 CAGR 约13.94%。
随着下游需求驱动，中国光通信芯片市场规模有望从2020年的6.7亿美元迅速增长到2025年 11 亿美元，CAGR 将达到 17.4%。
破局国产替代困境，光通讯芯片有望成为公司下一重要增长极
光通信芯片主要基于成本较高的 InP 材料体系，从工艺原理上来看，与 GaAs 差异较小。光通信芯片由于对功率要求不高，因此考验单颗芯片的稳定性。
公司在光通信芯片已建立了包含外延生长、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线，具备相应产品的制造能力。当前产品正处于研发验证阶段，客户仍聚焦在战略客户 H 公司。
目前导入产品包括 10G 的 EML、探测器 APD，未来随着公司老厂房的 3 寸线产能资源转向光通信后，有望逐步导入更多类产品。
公司作为国内头部的激光芯片公司，基于自身较强的 IDM 能力，战略上正持续向探测器、可见光、远红外等方向横向拓展，中长期有望在光通信市场开拓新的增长空间，为我国当前光通信芯片国产替代打开新的局面。
财务预测与估值财务预测
单管系列：单管系列产品增长主要来自单管芯片，当前单管芯片正处于国产替代爆发式增长期，参考公司指引，假设22/23/24年收入增速分别为87%/55%/34%，毛利率整体持稳，维持在60%以上；
巴条系列：巴条系列产品增长主要来自巴条芯片，主要应用在新兴领域及科研等高精尖场合，假设22/23/24年收入增速分别为30%/30%/100%，毛利率整体持稳；
VCSEL：VCSEL当前主要应用在智能机领域，收入规模较小，未来增长驱动主要来自明年激光雷达放量，参考激光雷达行业增速，假设21/22/23年收入增速分别为20%/100%/100%，毛利率分别为60%/60%/60%。
基于以上，我们预测公司22/23/24年归母净利润分别2.01/3.05/4.07亿元，如下表：
估值
目标价为179.8元/股。我国工业激光芯片市场规模约23-25亿元，公司作为国内激光芯片龙头企业，2021年市场份额只有11-15%（武汉锐晶约5-6%）。
随着以锐科、创鑫、飞博、大科、光惠等为代表的下游激光器厂商技术水平不断提升，我国激光芯片产业进入国产替代加速期已成必然趋势，公司迎来国产替代的黄金机遇期。
我们给予公司80倍PE（23年）以反映公司单管芯片进入爆发式增长（预计22/23/24年收入分别为4.40/6.84/9.18亿元）以及VCSEL迎来激光雷达需求放量元年。
我们预测公司22/23/24年归母净利润分别2.01/3.05/4.07亿元。
1）下游国产替代进度不及预期的风险；2）激光雷达客户项目进展不及预期的风险。
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