模拟集成电路笔记第六部分pdf（模拟集成电路的分析与设计）

模拟集成电路笔记第六部分pdf（模拟集成电路的分析与设计）1.2.1 势垒电容1.2 pn结的耗尽区目录第一章 集成电路放大器件模型1.1 引言

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《模拟集成电路的分析与设计(第4版)》的主要内容包括：集成电路的有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。《模拟集成电路的分析与设计(第4版)》可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

作者简介

（美国）格雷（Paul R.Gray） （美国）Paul J.Hurst （美国）Stephen H.Lewis 等 译者：张晓林

目录

第一章 集成电路放大器件模型

1.1 引言

1.2 pn结的耗尽区

1.2.1 势垒电容

1.2.2 结击穿

1.3 双极型晶体管的大信号特性

1.3.1 正向放大区的大信号模型

1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响

1.3.3 饱和区和反向放大区

1.3.4 晶体管击穿电压

1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益

1.4 双极型晶体管的小信号模型

······

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