请论述一下石墨烯制备方法（制备石墨烯四大方法的优缺点）

请论述一下石墨烯制备方法（制备石墨烯四大方法的优缺点）金属外延生长法的缺点：虽然金属外延生长法能制备大面积、高质量的石墨烯，但是有一个不可控的因素是这个方法制备的石墨烯，外貌和性能受金属衬底的影响较大。在晶格失配的过渡金属基底上，石墨烯的起皱程度由界面处化学键强度决定。强化学键和晶格失配将导致石墨烯的高皱折程度。金属外延生长法的优点：因为基底的气体吸附过程是一个自限的过程，所以气体长满基底就不会再继续吸收，因此得到的石墨烯大都是单层的，同时用这个方法制备的石墨烯还具有连续生长、均匀、面积大的优点。金属外延生长法与SiC外延生长法相比，又具有易于转移的优点。（易于转移指的是通过化学反应去掉金属基底）SiC外延生长法的优点：SiC单晶体在高温的加热下，使得Si原子在高温下被蒸发，而剩下的碳原子经过结构重组从而得到SiC衬底的六方蜂窝状的石墨烯薄膜。这种制备石墨烯的方法最大的优点就是可以制备大面积的石墨烯。SiC外延生长法的缺点：石墨烯在1300℃

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制备石墨烯常用四大方法的基本原理在前面两期已经做了简单基础的讲解。这一期咱们来说说这四大方法的优缺点，以便于对石墨烯感兴趣的读者更深入地了解石墨烯的制备过程。

一、外延生长法制备石墨烯的优缺点

外延生长法分为SiC外延生长法和金属外延生长法，因为两种外延生长法的制备过程使用的工艺有所区别，咱们分开来解析他们各自的优缺点。

SiC外延生长法的优点：SiC单晶体在高温的加热下，使得Si原子在高温下被蒸发，而剩下的碳原子经过结构重组从而得到SiC衬底的六方蜂窝状的石墨烯薄膜。这种制备石墨烯的方法最大的优点就是可以制备大面积的石墨烯。

SiC外延生长法的缺点：石墨烯在1300℃就开始生长，由于石墨烯开始生长的温度较低且生长的速度也较快，所以会造成得到的石墨烯晶体的质量下降。如果提高温度会使得到的石墨烯加厚，并且为了防止石墨烯在高温下不会被氧化，所以必须采用超高真空设置。这对设备的制作带来了极大的困难、操作起来十分不便。

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金属外延生长法的优点：因为基底的气体吸附过程是一个自限的过程，所以气体长满基底就不会再继续吸收，因此得到的石墨烯大都是单层的，同时用这个方法制备的石墨烯还具有连续生长、均匀、面积大的优点。金属外延生长法与SiC外延生长法相比，又具有易于转移的优点。（易于转移指的是通过化学反应去掉金属基底）

金属外延生长法的缺点：虽然金属外延生长法能制备大面积、高质量的石墨烯，但是有一个不可控的因素是这个方法制备的石墨烯，外貌和性能受金属衬底的影响较大。在晶格失配的过渡金属基底上，石墨烯的起皱程度由界面处化学键强度决定。强化学键和晶格失配将导致石墨烯的高皱折程度。

二、化学气相沉淀CVD法的优缺点

化学气相沉淀CVD法的优点：运用这个方法成膜的装置比较简单算是一大优点。与蒸发法相比来说，可在大大低于熔点或分解温度的沉积温度下制造出耐融金属和各种非金属化学物。化学气相沉淀CVD法的另一优点是灵活程度较高，制备同一种膜可以运用不同化学方法获得。除此之外，化学沉积法还有比较适用于复杂的零件表面和孔内镀膜的特点。

化学气相沉淀CVD法的缺点：虽然化学气相沉淀CVD法使用的成膜装置比较简单但是它的沉积速率较低不如蒸发和离子镀，还低于溅射镀膜。在很多时候，参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒，对环境会产生一定的污染，因此沉淀法对装置的要求较高，不仅要有防污染装置还要有防腐的功能。另一缺点是基体要求局部或某一个表面沉积薄膜时很困难，不如PVD技术便捷；即使采取了一些新的技术，CVD成膜时的工件温度仍然高于PVD技术，在应用上受到一定的限制。

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外延生长法与化学气相沉淀CVD法的优点与缺点已经全部呈上，如果有遗漏不全的还请各位读者多多包涵，并在文章下留言让感兴趣的读者一起探讨学习，关注我们，下期内容更精彩！

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