详细解释三极管（三极管说明）

详细解释三极管（三极管说明）IC=βIB=120*50μA=6000μA例：当基极通电流IB=50μA时 集极电流:三极管的放大功能 IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）

三极管核心功能：

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

I_C = β * I_B （其中β≈ 10~400 ）

例：当基极通电流I_B=50μA时 集极电流:

I_C=βI_B=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少？

哪要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

类型

参数项

符号

意义

直流参数

共射直流放大系数

β

无交变信号输入，共射电路集基电流的比值。β=I_C/I_B

共基直流放大系数

α

无交变信号输入，共基极电路集射的比值。

集-射

反向电流

I_CEO

基极开路，集-射极间反向电流，又称漏电流、穿透电流。

集极

反向电流

I_CBO

射极开路时，集电结反向电流（漏电流）

I_CEO=βI_CBO

交流参数

共射交流放大系数

β

共射电路，集基电流变化量比值：β=ΔI_C/ΔI_B

共基交流放大系数

α

共基电路，集射电流变化量比值：α=ΔI_C/ΔI_E

共射截止频率

ƒ_β

β因频率升高3dB对应的频率

共基截止频率

ƒ_α

α因频率升高而下降3dB对应的频率

特征频率

ƒ_T

频率升高，β下降到1时对应的频率。

极限参数

集极最大电流

I_CM

集极允许通过的最大电流。

集极最大功率

P_CM

实际功率过大，三极管会烧坏。

集-射极击穿电压

U_CEO

基极开路时，集-射极耐电压值。

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。

（1）对放大倍数β的影响：

在基极输入电流I_B不变的情况下，集极电流I_C会因温度上升而急剧增大。

（2）对反向饱和电流（漏电流）I_CEO的影响：

I_CEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，I_CEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，I_CEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流I_CEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。

（3）对发射结电压 U_BE的影响：

温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。

温度上升，β、I_C将增大，U_CE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等 克服温度对三极管性能的影响。

三极管的分类

分类角度		种类	说明
从技术工艺	按材料	硅三极管 0.6V 锗三极管 0.3V	一般地： 锗管为PNP型 硅管为NPN型
	按结构	PNP型 NPN型
	按制造工艺	平面型 合金型 扩散型	高频管多为扩散型 低频管多为合金型
从性能	按频率	低频管 <3MHZ 中频管 3~30(MHZ) 高频管 30~500 (MHZ) 超高频管 >500MHZ
	按功率	小功率 PCM <0.5W 中功率 0.5<PCM<1w 大功率 PCM >1w	功率越大体积越大，散热要求越高。
	功能 用途	放大管 开关管 高反压管 光电管 带阻尼管 数字管
从封装外形	按封装材料	金属封装 玻璃封装 陶瓷封装 塑料封装 薄膜封装	塑料封装为主流 金属封装成本较高
	按封装形式	引线式 TO 贴片式 SOT	贴片式正逐步取代引线式。