芯片场效应管（电子元器件场效应管）

芯片场效应管（电子元器件场效应管）2）测量漏极与源极电阻正向阻值无穷大，反向有一定阻值（二极管特性）。1）用数字万用表电阻档，测量栅极与漏检、栅极与源极的正反向电阻均应无穷大。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如 3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。5、场效应管的检测（N沟道）

电子原器件介绍：场效应晶体管晶体管放大电路是一种利用输入电流控制输出电流 从而达到电流和电压放大的目的 也就是从基极注入较小的电流 直接控制集电极的电流 这种器件称为电流控制型器件。场效应晶体管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的 称为电压控制型器件。1.场效应晶体管特点简介 场效应晶体管与晶体管都是半导体放大器件 但场效应晶体管与晶体管进行比较它有以下特点:1)晶体管为电流控制器件 工作时 必须有一定的输人电流 而场效应晶体管则即不取电流、它只需有一定的工作电压即可。2)场效应晶体管的输入电阻高 而晶体管无论如何也达不到这个程度。3)场效应晶体管对温度的敏感度较小 即温度稳定性好;而晶体管对温度敏感性比较大 其集电极电流受温度变化的影响较大 温度稳定性较差。4)场效应晶体管的噪声系数低 所以在要求低噪声放大的电路中 前置放大电路一般用场效应晶体管作为放大电路。5)场效应晶体管种类多 使用时比晶体管更灵活、更方便。6)MOS场效应晶体管的制作工艺简单 功耗低 散热容易。由于场效应晶体管比晶体管具以上优势 所以场效应晶体管被广泛用于要求频率高、低噪声的电路中。2.场效应晶体管分类 场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和缘栅型场效应晶体管两种1）结型场效应晶体管:又分为N沟道耗尽型场效应晶体管和P沟道耗尽型场效应晶体管两种。2）绝缘栅型场效应晶体管:又可分为绝缘栅型N沟道增强型场效应晶体管;绝缘概型N沟道耗尽型场效应晶体管;绝缘栅型P沟道增强型场效应晶体管;绝缘概型P沟道耗尽型场效应晶体管四种。3）场效应晶体管的图形符号如下图所示。

在图中可以看到 场效应最体管有三个引出极:栅极G、源极s、漏极D 它们的作用对应相当于晶体管中的基极B、发射极E、集电极C。由于结型管的源极S和漏极D在制造工艺上是对称的，实际应用中这两个电极可以对换使用（源极和衬底没有连结）。

3、场效应晶体管的文字符号与普通晶体三极管的文字符号相同，常用VT（旧符号为BG）或V表示，在电路图中常写在图形符号旁边。若电路图中有多只同类元器件时，按常规就在文字后面或右下角标上数字，以示区别，如VT1、VT2-文字符号的下边，一般标出场效应晶体管的型号。

4、型号命名共有两种

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如 3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

5、场效应管的检测（N沟道）

1）用数字万用表电阻档，测量栅极与漏检、栅极与源极的正反向电阻均应无穷大。

2）测量漏极与源极电阻正向阻值无穷大，反向有一定阻值（二极管特性）。

3）在栅极、源极加正向电压（阀值电压），不同型号场效应管阈值电压值不同，参考6-18伏。

4）测量漏极、源极电阻应为导通状态值。

5）在栅极、源极加反向电压关断场效应管，测量漏极、源极电阻应为开路状态值。