拓荆科技 产品（大国崛起系列半导体设备国产化）

拓荆科技 产品（大国崛起系列半导体设备国产化）6、研发上，拓荆是中科院沈阳科技仪器原来事业部，后来又引进了海外技术专家团队。研发能力强，研发比例高5、客户方面，集中度较高，主要是中芯国际、华虹集团、长江存储。2、拓荆科技是国内拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD、SACVD 设备厂商。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 芯片和 64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。其中，PECVD 设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM 存储、FLASH 闪存集成电路制造各技术节点产线 SiO2、SiN、SiON、 BPSG、TEOS 等多种通用介质材料薄膜沉积工序，并具备向更先进技术节点拓展的延伸性。基于现有PECVD 产品平台，公司研发了 Lok I、Lok II、ACHM、 ADC I 等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD 产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。3、

1、国内半导体薄膜沉积设备公司，主力产品是PECVD，另外ALD也偶有出货，还有SACVD在研发验证中。

目前公司收入结构

全球的半导体薄膜沉积设备规模不小，但工艺比较多，对应不同的设备种类。其中，PECVD最大，占比 33%; ALD 设备目占11%; SACVD 是新兴设备占比较小。在整个薄膜沉积设备市场，属于 PVD 的溅射 PVD和电镀 ECD 合计占有整体市场的 23%。

公司目标市场及空间

2、拓荆科技是国内拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD、SACVD 设备厂商。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 芯片和 64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。其中，PECVD 设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM 存储、FLASH 闪存集成电路制造各技术节点产线 SiO2、SiN、SiON、 BPSG、TEOS 等多种通用介质材料薄膜沉积工序，并具备向更先进技术节点拓展的延伸性。基于现有PECVD 产品平台，公司研发了 Lok I、Lok II、ACHM、 ADC I 等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD 产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。

3、收入规模，公司20年收入为4.4亿，是二线设备公司。

4、市场份额，拓荆的CVD市场份额很小，提升空间大。

5、客户方面，集中度较高，主要是中芯国际、华虹集团、长江存储。

6、研发上，拓荆是中科院沈阳科技仪器原来事业部，后来又引进了海外技术专家团队。研发能力强，研发比例高

6、同业对比，差不多的水平。

总结：公司与华海清科等类似，市场份额更低，盈利能力更差，估计荆拓科技PS最低能有25倍。这个上市还早，刚刚注册，估计得看22年应收了，22年预计营收不好判断，弄好了能有7-8个亿，市值预估200亿。