光伏敏感性因素（Nat.Commun.:二维铁电CuInP2S6中增强的本体光伏效应）

光伏敏感性因素（Nat.Commun.:二维铁电CuInP2S6中增强的本体光伏效应）图5：BPVE的维度因素图4：二维CIPS器件中的能带对齐图1：二维铁电CIPS中的本体光伏效应(BPV)，b c 二维BPVE器件的光学图像和相应的短路光电流密度图。图2：二维BPVE器件中的可转换光伏效应图3：CIPS中BPVE的温度和功率依赖性

第一作者：Yue Li Jun Fu Xiaoyu Mao

通讯作者：Ming Gong，Hualing Zeng

通讯单位：中国科学技术大学

光伏技术中的光电流产生主要依赖于p-n结或肖特基势垒的界面，其光电效率受到Shockley-Queisser极限的制约。最近的进展表明，通过没有反转对称性的晶体的本体光电效应，有可能超越这一极限。最近，中国科学技术大学Ming Gong和Hualing Zeng等人在国际知名期刊“Nat. Commun."发表题为“Enhanced bulk photovoltaic effect in two-dimensional ferroelectric CuInP2S6”的研究论文。在此，他们报告了二维铁电CuInP2S6的本体光伏效应，其光电流密度比传统本体铁电钙钛矿高两个数量级。本体光伏效应与二维CuInP2S6的室温极性排序有内在联系。他们还证明了从二维到三维的本体光伏效应，观察到当二维材料的厚度超过40纳米左右的自由路径长度时，光电流密度会急剧下降。这项工作突出了超薄二维铁电材料在第三代光伏电池中的潜在应用。

图1：二维铁电CIPS中的本体光伏效应(BPV)，b c 二维BPVE器件的光学图像和相应的短路光电流密度图。

图2：二维BPVE器件中的可转换光伏效应

图3：CIPS中BPVE的温度和功率依赖性

图4：二维CIPS器件中的能带对齐

图5：BPVE的维度因素

原文链接：

https://www.nature.com/articles/s41467-021-26200-3

论文主要通讯作者主页：

http://staff.ustc.edu.cn/~hlzeng/Leader-cv.html