除了十三香还有十几香（比十三香还香的PD）

除了十三香还有十几香（比十三香还香的PD）★ PN8162 内置输入欠压保护，通过 DMG 监控市电，防止市低压工作导致电源异常；★ PN8162 工作强制 DCM 模式，从而保证最糟工况下 SR 尖峰电压可控制在 51V 以内，60V 耐压的 PN8307即可保证电压 de-rating 裕量充足，进而降低整体方案成本；★ 原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307Ｈ均实现功率集成，得益于专利智能 MOS 技术，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；★ PN8162 采用 PDFN 专用功率封装，相比传统 SOP8，封装热阻从 80℃/W 降低至 15℃/W，显著提高充电器功率密度；单边 drain 脚位，高低压引脚爬电距离大于 1.2mm，安全可靠；★ PN8162 采用负载自适应谷底开通技术，彻底解决小体积充电器开关干扰源至 LN 线位移电流带来的传导难题，EMC 裕量大于

随着iPhone12的正式开售，不再标配耳机和充电器，没有标配的充电器，对于充电器厂商来说，这也是一个商机，iPhone 12发布之后，各大平台充电器的需求暴涨，国内的充电器厂商出现供不应求，骊微电子顺势推出基于PN8162 PN8307H超精简小体积PD 20W快充方案！

PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了极为全面和性能优异的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

PD 20W快充方案亮点

★ 原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307Ｈ均实现功率集成，得益于专利智能 MOS 技术，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；

★ PN8162 采用 PDFN 专用功率封装，相比传统 SOP8，封装热阻从 80℃/W 降低至 15℃/W，显著提高充电器功率密度；单边 drain 脚位，高低压引脚爬电距离大于 1.2mm，安全可靠；

★ PN8162 采用负载自适应谷底开通技术，彻底解决小体积充电器开关干扰源至 LN 线位移电流带来的传导难题，EMC 裕量大于 6dB；

★ PN8162 工作强制 DCM 模式，从而保证最糟工况下 SR 尖峰电压可控制在 51V 以内，60V 耐压的 PN8307即可保证电压 de-rating 裕量充足，进而降低整体方案成本；

★ PN8162 内置输入欠压保护，通过 DMG 监控市电，防止市低压工作导致电源异常；

★ PN8162 9-38V VDD 供电、PN8307 3-24V VCC 供电，在 3-12V 输出电压范围内无需外部 LDO；

★ PN8162 内置线电压补偿，根据市电自动调整内部峰值电流参考，全电压范围 OCP 精度在 10%以内；

★ HUSB339B 协议支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。

20W PD快充方案采用了高集成的芯片PN8162 PN8307H，支持12V1.67A;9V2.22A;5V3A 输出，内置了mos电源芯片及快充芯片，方案体积十分小巧，最大限度的减少了芯片外围器件的数量，降低PCB板的占用面积，高密度20W PD快充方案，竞争力优势明显，更多PD 20W快充方案原理图，电源输入输出规格，BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料，可向骊微电子申请。>>