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变压器吸收比测量方法(变压器绕组的tgδ测量方法)

变压器吸收比测量方法(变压器绕组的tgδ测量方法)部 位接 地双绕组变压器三绕组变压器加 压

湖北中试高测电气控股有限公司为您解答:变压器绕组的tgδ测量方法

变压器吸收比测量方法(变压器绕组的tgδ测量方法)(1)

变压器吸收比测量方法(变压器绕组的tgδ测量方法)(2)

测量变压器绕组的介质损耗因数tgδ主要是反映变压器绝缘中的纸绝缘的tgδ,而绝缘电阻则是纸和油两种绝缘的串联值,故用tgδ来反映变压器整体绝缘状况比绝缘电阻有效。它是反应变压器绝缘受潮的主要特征。
一、测量方法
1、根据单位具体条件可选用西林电桥或M型试验器,用西林电桥测试时多采用反接线方式。将被测绕组短接后接电桥的“CX”,对非被测绕组短接后接地。用M型试验器时将被测绕组短接后,接试验器电缆的总线,非被测绕组短接后,接地或接电缆头的屏蔽环。这两种方法的试验次数和部位有所不同,详见表1-1及表1-2。

表1-1 西林测tgδ次数及部位

试验
序号

双绕组变压器

三绕组变压器

加 压

接 地

部 位

加 压

接 地

部 位

1

高 压

低压 铁芯

C1 C13

高 压

中低压 铁芯

C1 C12 C13

2

低 压

高压 铁芯

C3 C13

中 压

高低压 铁芯

C2 C12 C23

3

高压 低压

铁 芯

C1 C3

低 压

高中压 铁芯

C3 C13 C23

4

高压 低压

中 压

C1 C12 C23 C3

5

高压 中压

低 压

C1 C2 C23 C13

6

低压 中压

高 压

C2 C3 C13 C12

7

高压 低压 中压

铁 芯

C1 C2 C3

表中C1指高压对地电容,C2指中压对地电容,C3指低压对地电容,C12指高压对中压电容,C13指高压对低压电容,C23指中压对低压电容。

表1-2 M型试验器测tgδ次数和部位

试验
序号

双绕组变压器

三绕组变压器

加 压

接 地

屏 蔽

部 位

加 压

接 地

屏 蔽

部 位

1

高 压

低 压

——

C1 C13

高 压

低 压

中 压

C1 C13

2

高 压

——

低 压

C1

高 压

——

中、低压

C1

3

低 压

高 压

——

C1 C13

中 压

高 压

低 压

C2 C12

4

低 压

——

高 压

C3

中 压

——

高、低压

C2

5

低 压

中 压

高 压

C3 C23

6

低 压

——

高、中压

C3

7

高、中、低压

——

——

C1 C2 C3

2、西林电桥的读数是tgδ和电容C,而M型试验器的读数为“mVA”和“mW”数,tgδ即为mW/mVA;C=mVA/V2ω=0.51mVA(PF)
3、测量tgδ用西林电桥和M型试验器时,都要注意周围的电场和磁场的干扰,可用倒相法或移相法进行消除。我国已有新型的介质损耗测试仪生产,如GWS-1型光导微机介损测试仪,P5026M型支流电桥等,引入了抗干扰系统,提高了测试准确度。
4、不同温度下的测得值应换算到同一温度,进行比较。
二、实例说明
1、实例1-1 油质不良
某电厂一台变压器,31.5MVA,66kV。在预试中用M型试验器测tgδ,测得数据见表1-3。

表1-3 tgδ测试值(20℃时)

测试时间

绕 组

tgδ(%)

备 注

安 装 后

高 压

0.785

<0.8%合格

低 压

0.725

预 试

高 压

1.0

高压不合格,>0.8%

低 压

0.725

检查结果是油质不良,换油后测tgδ(%),高压为0.05%、低压为0.435%,合格。
2、实例1-2 温度换算
某变电所变压器,315MVA,66kV。在预试时用西林电桥测tgδ(%),测得数据见表1-4。

表1-4 tgδ测试值(18℃时)

绕 组

tgδ(%)

测量温度

高 压

1.05

18℃

低 压

1.12

将tgδ换算到20℃,tgδ20℃=tgδ18℃×1.3(20-18)/10=1.05×1.31/5=1.107%,大于规定的0.8%。
判断为受潮,经干燥后再测时,均小于0.8%,合格。
3、实例1-3 分解试验(绕组和套管分开测试)
某变电所一台双绕组变压器,SJL-6300/60型,6300kVA,66kV,由预试结果‘(表1-5)可以看出,高压对低压绕组及地的泄漏电流值高达42μA,较上年测值约增长5倍,但tgδ(%)为0.2%,和上年相同。分解试验后,测高压侧套管的tgδ(%),发现B相tgδ值达5.3%,明显的不合格。

表1-5 绝缘电阻、泄漏电流,tgδ测试值

项 别

部 位

绝缘电阻(MΩ)

泄露电流(μA)

tgδ(%)

10kV

40kV

绕 组

高压侧套管

1979年5月
28℃

高压对低压、地

——

——

8.0

0.2

O相0.6
A相0.6

低压对高压、地

5000/3000

2.0

——

0.2

B相0.6
C相0.6

1980年6月
28℃

高压对低压、地

1100/900

——

42.0

0.2

O相0.6
A相0.6

低压对高压、地

——

2.0

——

0.2

B相0.6
C相0.6

注:使用QS-1型电桥测tgδ。
4、实例1-4 与历年数值比较不应有显著变化
某变电所主变压器,120MVA,220kV。安装时已发现进水受潮但测得的tgδ(%)值却在下降,见表1-6。

表1-6 tgδ测试值

测试部位

出厂试验(35℃)

交接试验(36℃)

进水受潮后(36℃)

CX(PF)

tgδX(%)

CX(PF)

tgδX(%)

CX(PF)

tgδX(%)

高、中——低及地

13100

0.4

13100

0.4

13390

0.2

低、高——中及地

14300

0.3

14340

0.4

14640

0.1

高、中、低——地

13600

0.4

136400

0.4

14010

0.2

由表4-40可见,虽然tgδ(%)明显下降,而电容CX却增加了2%~2.7%。从数值而言,tgδ(%)值未超过规定的0.8%,但从变化看,进水受潮后减了一半,有了明显的变化。
5、实例1-5 tgδ和低含水量的关系
在《预规》说明中,列出了tgδ(%)和纸含水量的关系曲线,由tgδ(%)值可推断纸的含水量,按含水量标准可推断绝缘受潮程度。经过对一台退役变压器的对照,说明此方法可用。变压器型号为SWDS-180000/242,1973年投运,1986年退役。1980年测tgδ为0.65%,由《预规》说明的公式计算,tgδ为1%,由曲线查得纸含水量为4.2%,此值显然较高。取该变压器围屏和匝绝缘纸质材料测纸质绝缘的聚合度和含水量,见表1-7。

表1-7 纸聚合度和含水量

聚合度DP

含水量%

纸板表面

纸板中间

匝绝缘

250

470

225

4.3

由测试数据可见,实测数值和计算数值基本上是一致的,而DP值已降到250左右,说明已老化。而老化的主要原因是绝缘受潮引起的。
6、实例1-6 消弧线圈一测绕组的tgδ
某电厂一台10.5kV消弧线圈,在预试中测的数据见表1-8。

表1-8 绝缘电阻、泄漏电流tgδ测试值

年 份

绝缘电阻(MΩ)

10kV直流泄露电流(μA)

tgδ(%)

1993年

2500(15℃)

4

0.9(15℃)

1994年

1000(18℃)

13

10.6(18℃)

按规程要求,20℃时的龟艿对35kV及以下的tgδ不大于1.5%。
1993年的测值为0.9,换算到20℃:时为tgδ20=tgδ15×1.3(20-15)/10=0.9×1.31/2=1.026%<1.5%,合格,但到1994年的测值为10.6,换算到20℃时,tgδ20=tgδ18×1.3(20-18)/10=10.6×1.31/5=11.2%;二者变化为11.2/1.026=10.8倍,由色谱分析及绝缘油分析未见异常,故判断为受潮,决定作干燥处理。

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