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应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)

应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)A.PNP型 B.NPN型 C.无法确定4、用万用表R×1KΩ档测量一只正常的三极管,若用红表棒接触一只管脚,黑表棒分别接触另外俩只管脚时测得的电阻均很大,则该三极管是( A )A.饱和区 B.截止区 C.放大区3、满足IC=βIb的关系时,晶体三极管工作在( B )A.饱和区 B.放大区 C.截止区

一、选择题(2×7=14分)

1、多级放大电路总放大倍数是各级放大倍数的( C )

A .和 B.差 C.积 D.商

2、一个NPN型晶体管在电路中正常工作,现测的UBE>0 UBC<0 UCE>0则此管工作区为( C )

A.饱和区 B.截止区 C.放大区

3、满足IC=βIb的关系时,晶体三极管工作在( B )

A.饱和区 B.放大区 C.截止区

4、用万用表R×1KΩ档测量一只正常的三极管,若用红表棒接触一只管脚,黑表棒分别接触另外俩只管脚时测得的电阻均很大,则该三极管是( A )

A.PNP型 B.NPN型 C.无法确定

5、放大电路中的饱和失真与截止失真称为( B )

A.线性失真 B.非线性失真 C.交越失真

6、要降低放大器的输入电阻,并且使带负载能力提高,可以采用( B )

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈

7、射极输出器有( B )

A.电压放大作用 B.电流放大作用 C.电压、电流放大作用

二、判断题:(2×10=20分)

1、串联负反馈使放大器输入电阻降低,并联负反馈使放大器输入电阻增大。………………………(×)

2、阻容耦合方式把前后级的交、直流都隔离开。…………………………………………………………(×)

3、多级放大器的放大倍数为各级放大器倍数之和。……………………………………………………(×)

4、判断正负反馈可用瞬时极性法。………………………………………………………………………(√)

5、负反馈以牺牲放大倍数为代价,来换取放大器性能指标的改善。……………………………………(√)

6、输出端引入电流负反馈后,能稳定输出电流。…………………………………………………………(√)

7、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA,集电极电流IC=1.33mA,则基极电流Ib=30μΑ。……………………………………………………………………………………………………………(√)

8、晶体二极管击穿后立即烧毁。…………………………………………………………………………(×)

9、为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。……………………………………………………………………………………………………………(√)

10、在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。…………………………………(×)

三、填空题:(2×15=30分)

1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 导体 半导体 和 绝缘体 三类。

2、PN结具有 单向导电 性能,既加正向电压时PN结 导通 ,加反向电压时 截止 。

3、某晶体管三极管的UCE不变,基极电流Ib=30微安,IC=1.2毫安,三极管的电流放大系数β= 40 ,发射极电流IE= 1.23 毫安,如果基极电流Ib增大到50微安时,IC增大到2毫安,则发射极电流IE= 2.05 毫安,三极管的电流放大系数β= 40 。

4、二极管的正极是由其内部PN的 P 区引出的,二极管的正极又称 阳 极。

5、二极管的主要特性是 单向导电性 ,硅二极管死区电压约 0.5 V,锗二极管死区电压约 0.1 V。

四、计算题:(36分)

1、在如图所示电路中,设二极管正向压降和反向压降均可忽略,判断图中二极管是导通还是截止,并求输出电压Uab。(12分)

应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)(1)

A:

导通,

B:

截止,

C:

导通,

D:

截止,

2、如图所示判断反馈类型(3分)

应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)(2)

电压串联负反馈

3、在图中已知UCC=9V RB=150kΩ RC=1.5 kΩ,β=50用图解法、估算法两种方法求静态工作点。(21分)

应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)(3)

方法一:IB=UCC/RB=0.06mA IC=βib=3 mA uce=ucc-icrc=4.5v

方法二:在式uce=ucc-icrc中令uce为零,求得ic=6 mA 再令ic为零,求得uce=9v画图求得静态工作点

应用电子技术试题及答案(电子技术第一阶段考试题及答案)(4)

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