激光清洗设备开发，航天宏达自主研发的
激光清洗设备开发，航天宏达自主研发的3浓度，紫外照度等各种传感器及可控阀门，控温器•传动系统并通过微处理器进行综合最优控制使光化反应气氛效果达最佳状态；3.系统使用温度、压力、。光清洗工作原理是利用特定波长的紫外光（UV）及真空紫外（VUV）双波段的高能光子切断有机污染物（如油质、指纹等）的高分子链，在VUV照射下产生臭O3 释放出活性氧原子；具有很强的氧化性，对断裂后的高分子进行氧化作用生成co、CO2、H2O气化，随排气系统排出，达到干法，无残留物，高洁净度的特点。本项目特点是：1. 高强度UV/VUV特种紫外光源，釆用对VUV高透射率，低羟基石英管，釆用蛇行管行以増加正柱区。釆用特种气体及填充物对比及温度可控冷点，采用高管壁负荷设计及冷点可控技术以确保高强度、恒温度特性；2.研发用于VUV （包括UV）的真空紫外光谱仪，保证光源特性及材料特性的测试要求，这是研发光源的重要技术保障；
早在2003年航天宏达就研发出了自主创新的高级光化学清洗机，而后来相继研发的光等离子净化器，也是基于这个技术原理，只不过将几十万的高端设备应用于了民品，所以不要用普通的净化器价格与我们的产品相比较，我们采用的核心部件和技术都是真正的高科技，而且是世界首创的技术。
报告编号:200311A1001183
科 技 查 新 报 告
项目名称:高强度自净化光清洗系统
委托单位:北京航天宏达光电技术有限公司
委 托人:张润松
委托日期:2003年12月1日
查新机构:中国国防科技信息中心查新咨询部
中华人民共和国科学技术部 二OOO年制
查新项目名称：高强度自净化光清洗机
二、查新项目的科学技术要点：
光清洗工作原理是利用特定波长的紫外光（UV）及真空紫外（VUV）双波段的高能光子切断有机污染物（如油质、指纹等）的高分子链，在VUV照射下产生臭O3 释放出活性氧原子；具有很强的氧化性，对断裂后的高分子进行氧化作用生成co、CO2、H2O气化，随排气系统排出，达到干法，无残留物，高洁净度的特点。本项目特点是：
1. 高强度UV/VUV特种紫外光源，釆用对VUV高透射率，低羟基石英管，釆用蛇行管行以増加正柱区。釆用特种气体及填充物对比及温度可控冷点，采用高管壁负荷设计及冷点可控技术以确保高强度、恒温度特性；
2.研发用于VUV （包括UV）的真空紫外光谱仪，保证光源特性及材料特性的测试要求，这是研发光源的重要技术保障；
3.系统使用温度、压力、。
3浓度，紫外照度等各种传感器及可控阀门，控温器•传动系统并通过微处理器进行综合最优控制使光化反应气氛效果达最佳状态；
4.系统釆用独立自净化闭环系统。通过微处理器控制系统各点压力，以确保内部Q不外泄：外部尘埃不进入，实现内净化室洁净度高于外部环境（指车间或设备所在工作室）•彻底解决在线式开口系统的内部等效封闭工况；5.釆用先进的Q尾气处理技术，UV照射加辅助加热法的光热复合处理技术。并留出Q尾气综合利用的接口。
三、查新点与查新要求：国内外有无同类技术
四、文献检索范围
美国政府研究报告文摘库(1964年至2003年）
国外期刊论文文摘库(1980年至2003年）
航空航天库（1966年至2001年）
美国军用标准库（1985年至2002年）
中国国防科技信息中心外文馆藏库（1972年至2001年）
美国、欧洲和WPI国外专利文摘库（1963年至2003年）
电气电子工程文摘库（1988年至2003年）
工程索引文摘库(1986年至2003年）
中国国防科技中文文摘厍（1985年至2002年）
中国国防科技中文期刊文摘库(1985年至1997年）
国防科技会议论文库（1983年至2001年）
中国国防科技信息中心中文馆藏库（1963年至2001年）
中国专利文摘库（1985年至2003年）
中国期刊网专题全文数据库
清华大学国内科技期刊全文数据库（1994年至2003年）
Internet 网上资源
西文检索词及策略:
01 cleaning system
02 UV VUV light
03 photochemistry
04 Atmosphere Auto control
05 Environment protection
06 Self clearing self decontamination
07 COM1*(2 3 4 5 6)
中文检索词及策略:
01清洗系统
02 紫外 真空紫外
03光化学 光清洗
04 气氛自动控制
05环境保护
06自净化
07COM1*(2 3 4 5 6)
五、检索结果
查到文献9篇:
1.美国专利US 6 651 680
Suzuki November 25 2003
Washing apparatus with UW exposure and first and second ultrasonic Cleaning vessels
Abstract Dirt particularly of inorganic matter attached to a substrate such as a glass substrate for iquid crystal devices is effectively removed by irradiating the substrate with ultraviolet rays including 184.9 nm and 253./ nm in an oxygen-containing atmosphere In advance of wet cleanIng wItn pure water. As a result the wet cleanIng tIme and the amount
of pure water can be reduced.
2.美国专利US 6 649 917
Perrin November 18 2003
│Cleaning system for U/ disinfection module/reactor
Abstract A cleaning system for a UV disinfection module having a pair of headers with a multiplicity of lamps extending │therebetween including a cleaning plate having a multipIcrty of openings therein the openngs havIng Iamp wIpers and │arranged to substantially co1ncIde wIth posItIons ot the lamps to permit movement of the plate between the headers a rotatable screw extending between the headers and through the plate a motor operatively connected to rotate the screw a screw adapter │fixed to the cleaning plate at a rotatable screw opening in the
plate and including a substantially cylindrical tube having opposed openings one of the openIngs beIng alIgned wIthn tne rotatable screw opening and a thread nut connected to eacn or the opposed openings each opposed openIng having a threaded central bore sized to threadingly engage threads on the rotatable screw whereby rotation of the screw moves the cleaning plate between the headers.
3.美国专利US6 555 790
│0no et al.Apr11 29 2003
Semiconductor manufacturing apparatus method for cleanIng the semiconductor manufacturing apparatus and IIgnt source umIt Abstract There is described a semiconductor manufacturing apparatus for coating the surface of a semiconductor water wIth an organic coating such as anti-reflective coating which shortens a down time required in association with removal or compounds that tend to sublime and enables simplification of removal of the compounds and an increase in safety of the removal operation. A top plate of a hot plate unit for heating a │semiconductor wafer is formed from light-transmissive material such as quartz.A light source unt for 1llumnatIng UV-rays effective for decomposing organic compounds Is dIsposed on the top plate. The hot plate unit bakes the semiconductor wafer coated with the organic material and compounds that have a tendency to sublime including organic material adhere to the lower surface of the top plate in association with the baking operation. Every time a predetermined number of semiconductor wafers have been processed by the hot plate unit the Iight[source unit radiates UV-rays onto the compounds adhering to the top plate.
4.美国专利US 6 551 407
Drzal et al. April 22 2003
Method for treatment of surfaces to remove mold release agents with continuous ultraviolet cleaning light
AbstractA method using irradiation of surfaces I2A of substrates(12)with ultra violet light to remove a parting agent │is described. The light can be pulsed or continuous. The treated surfaces are more paintable and bondable. The treated molds prevent the introduction of surface inhomogeneities caused by the parting agent.
5.美国专利US 6 391 117
Suzuki May 21 2002
Method of washing substrate with U/ radiation and ultrasonic cleaning
Abstract Dirt particularly of inorganic matter attached to a substrate such as a glass substrate for Iqud crysta devices is effectively removed by Irrad1atIng the substrate with ultraviolet rays Includ1ng 184.9 nm and Z53./nm In an oxygen-containing atmosphere In advance of wet cIeanIng wItn pure water. As a result the wet CIeanIng tIme and tne amount of pure water can be reduced.
6.【名称】紫外光表面清洗机
【申请号】00105842.8【申请日】2000.04.11
【申请人】北京高力通科技开发公司100039北京市丰台
【摘要】公开利用紫外光清除基片表面有机物的紫外光表面清况机 主要由紫外光光源系统、传送系统、排风系统、安全保护与故障显示│系统和电器控制与电源系统等组成 清洗效果好、速率快和一致性好│等特点。经本发明清洗后的基片能达到"原子清洁度" 清洗速率为2～3片/分。本发明可广泛用于半导体器件、集成电路、液晶显示器件 石英谐振器、声表面波器件和印刷电路板等生产制造中的清洗。
7.【馆藏单位】电子情报所9206252（DZQB）
【标题】光学方法清洗半导体器件
母体文献】光电子技术与信息 1992 (1
8.【篇名】真空开关管的辉光放电清洗
【刊名】真空电子技术 1995年04期潘屹
【摘要】真空开关管的辉光放电清洗辉光放电清洗用于真空开关管 清洗真空开关管的内部零件的表面。采用一种在内电极和其周围的铜栅极之间产生辉光放电现象的新技术。图1示出了辉光放电清洗的实验安排 内电极直径为50mm 曲率半径为10mm 材料是高导无氧铜 外壳由山玻璃构成（外径175mm 长250mm）。在进行辉光放电清洗时 两个内电极之间的间隙调至10mm 间隙内气压为267Pa 在内电极和包围外壳的铜网之间加上交变电压（有效值skV 60Hi） 持续约1Omin 产生辉光放电。而后 真空开关管被抽至约4×10'Pa 进...
9.【篇名】紫外光辐照清洗带膜MCP的工艺研究
【刊名】应用光学1998年06期
【机构】武警学院基础部闫金良 赵银女
【摘要】介绍微通道板（MCP）防离子反馈膜在I代微光像增强器│中的作用 指出微通道板防离子反馈膜的制备工艺对微通道板电性能│的影响 提出清洗带膜微通道板的工艺方案 测量清洗前后带膜微通板的电学特性
六、查新结论
查到文献9篇 这些文献涉及到了国内外在光清洗机方面的研究。其中 文献1、2、3、4、5是美国专利 关于器材表面的紫外暴光法清洗;文献6是中国专利 关于紫外光表面清洗机;文献7～9是光学方法清洗的论文。
这些文献公开了利用紫外光清洗的原理和装置 清洗机由紫外光光源系统、传送系统、排风系统、安全保护与故障显示系统和电器控制与电源系统等组成。本项目的光清洗系统有与其相同的技术特征。不同点在于本项目改进了上述文献方案的不足。
本项目的特征是:研制高强度UV/VUV特种紫外光源 采用对VUV高透射率、低羟基石英管、蛇行管行以增加正柱区、特种气体及填充物、高管壁负荷设计及冷点可控技术、独立自净化闭环系统 内部O3不外泄;系统使用温度、压力、O3浓度 紫外照度等各种传感器及可控阀门 控温器;研发用于VUV（包括UV）的真空紫外光谱仪;采用微处理器进行综合优化控制 使光化反应气氛效果达最佳状态。
根据检索结果 从查到的国内外公开报道文献分析来看 没有查到与本项目技术特征相同的文献报道。因此 本项目具有新颖性。
查新员:胡永贵 职称:副研
审核员:钱立亚 职称:副研
中国国防科技信息中心查新咨询部
2003年12月17日
