模拟开关注意事项（模拟开关的主要参数）

模拟开关注意事项（模拟开关的主要参数）2、泄露电流b、模拟电压范围：在NC，NO，COM这些端口上允许通过的电压范围。一般为0-Vcc或者VDD-VEE=Spe模拟开关的主要参数1、电压范围a、供电电压范围：开关供电电压指的是加在芯片供电端的电压值，分为支持正负供电和不支持正负供电两种情况。供电范围也决定了信号可以无削波的传输幅度。

模拟开关

模拟开关是电子开关的一种，为了导通（或隔离）模拟信号（包括电压和电流信号）以及支持模拟应用（例如音频和视频数据传输）而设计的。需要注意跟负载开关做区分，负载开关是可以通过大电流的，因为其导通内阻很小。模拟开关本质上是在系统接口资源不够时，进行分时复用，提供一种高性价比的解决方案。

模拟开关内部的等效电路，由NMOS和PMOS管并联组成，这样可以做到输入输出都能达到轨到轨，而且模拟开关的信号流是双向的，不区分方向。COM 引脚表示公共端，NC 引脚表示常闭端，也就是 Control引脚为低电平时开关的状态。NO引脚表示常开端，也就是 Control 引脚为高电平时开关的状态。

润石模拟开关选型表

模拟开关的主要参数

1、电压范围

a、供电电压范围：开关供电电压指的是加在芯片供电端的电压值，分为支持正负供电和不支持正负供电两种情况。供电范围也决定了信号可以无削波的传输幅度。

b、模拟电压范围：在NC，NO，COM这些端口上允许通过的电压范围。一般为0-Vcc或者VDD-VEE=Spe

2、泄露电流

在开关导通/关断的时候，在源极（S）和漏极（D）测到的非理想的电流值。如果通过模拟开关前端电路的阻抗大则漏电流的影响不容忽略，如果前端电路阻抗较小，则导通电阻的影响就会更大些。

3、导通电阻

开关路径接通后插入信号路径的电阻。 导通电阻会随着输入电压值改变。导通电阻平坦度 (RON FLAT) - VD 或 VS 电压范围下，同一通道内 Ron 最大值与最小值之间的差值。

4、允许通过电流（与导通电阻相关）

开关闭合后，开关允许流过的电流大小，考虑到导通电阻，越大电流带来的电压损失越大，功耗/发热也会越大

5、带宽

可通过开关且衰减不超过 3dB 的信号频率范围

6、开关控制信号电平（VIH、VIL）

开关更改内部信号路径所需的控制引脚（EN、SEL、IN 等）上所需的电压电平。

a、VIH – 输入控制信号实现逻辑 "1"高 值的最小电压

b、VIL – 输入控制信号保持逻辑 "0"低 值的最大电压

7、寄生电容

导通寄生电容：开关路径处于低阻抗状态时的电容性负载。

关断寄生电容：开关路径处于高阻抗状态时的电容性负载。

8、开关时间

ton/toff--在地址信号上升或下降超过逻辑阈值后，开关输出上升或下降到最终值的给定百分比内所需的时间。

t (BBM)--先断后合时间: 开关在切换通道的时候会先段开原有的连接再与新的路径连接。确保在多路复用器中，当通过选择输入改变信号路径时，两个多路复用器路径绝不会形成电气连接。

9、隔离度 & 串扰度

关断隔离 (OISO)：测量关断状态开关阻抗。这是 VD1 与 VS1 之比，以 dB 为单位，当相应通道处于关断状态时，在特定频率下测量得出。

通道间串扰 (XTALK) ：对从导通通道到关断通道之间不必要的信号耦合的一种量度。这是 VS2 与 VS1 之比，在特定频率下测量得出并以 dB 为单位。