苹果充电插口电路图原理（手机维修自学教程）

苹果充电插口电路图原理（手机维修自学教程）工作原理：场效应管的特性是南栅极电压UG；控制其漏极电流ID。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性。电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极；电极 S（Source）称为源极，相当于发射极。场效应管的特点

先来普及一下场效应管的基础知识：

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见上图。其中：

电极 D（Drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极；

电极 S（Source）称为源极，相当于发射极。

场效应管的特点

场效应管的特性是南栅极电压UG；控制其漏极电流ID。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性。

工作原理：

为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

对于场效应管，在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

在苹果手机的开机电路中用到了MOS管Q1403。实验证明，这个MOS冠是可以取掉的。取掉后，不影响开机、充电。在U1401里面设计了一个类似这个mos管的电路。这个U1401的主要作用，就是反极性保护，避免电源接反烧坏主电源U1202。Q1403起到一个分流作用。防止u1401发热量过大的问题。前面提到过，不装U1401，保留Q1403也是可以开机的，但是白苹果现象。因CPU通过I2C总线检测不到这个U1401，会反复输出信号检测，造成反复重启现象。

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