mos管n沟道和p沟道区别（常用-30V-100V-150V）

mos管n沟道和p沟道区别（常用-30V-100V-150V）SVGP15161PL3A P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装，漏源电压：-150V，漏极电流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。SVGP15751PL3 -3A -150V p型mos管采用DFN-8-3*3封装，具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点，是-3A、-150VP沟道增强型场效应管，RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V，广泛应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。近年来随着国内家电、电池保护、电动工具、电源、三表、汽车后装市场、玩具、手机、充电器等市场，MOSFET国产替代的需求旺盛，更多P 沟道MOSFET和N 沟道MOSFE产品选型及进口代换型号手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>

P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道 MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案，封装主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列。

SVT03110PL3 -30V p沟道增强型mos管采用PDFN-8-3*3封装，提供了超低的导通电阻和栅极电容，漏源电压-30V，漏极电流-46A，RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V，典型应用于移动电源、吸尘器、笔记本电脑、充电器等领域。

SVT03380PSA -30V p-mos管采用SOP-8封装，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，是-6.5A、-30V P沟道增强型场效应管，，RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V，典型应用于POS机、打印机、TV、电动工具、储能等领域。

SVT10500PD 100v耐压p-mos管采用TO-252封装，漏源电压：-100V，漏极电流：-30A，RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V，典型应用于报警器、储能、电动工具等。

SVGP15161PL3A P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装，漏源电压：-150V，漏极电流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。

SVGP15751PL3 -3A -150V p型mos管采用DFN-8-3*3封装，具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点，是-3A、-150VP沟道增强型场效应管，RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V，广泛应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

近年来随着国内家电、电池保护、电动工具、电源、三表、汽车后装市场、玩具、手机、充电器等市场，MOSFET国产替代的需求旺盛，更多P 沟道MOSFET和N 沟道MOSFE产品选型及进口代换型号手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>