mos管是什么样子的（什么是mos管）

mos管是什么样子的（什么是mos管）下图中左边是n沟道mos管的结构图和电路符号，右边是p沟道mos管的结构图和电路符号mos管的结构与符号如果喜欢我的文章，可以关注头条号‘DIY电子电路’麻烦帮忙转发一下，有什么问题请在评论区留言，谢谢！

今天给大家介绍一下mos管，mos管在电路中应用的非常广泛，mos管的外形和三极管，可控硅，三端稳压器，IGBT类似，所以大家有时会分不清什么是三极管，什么是可控硅，什么是三端稳压器，以及什么是mos管和IGBT，下面我就来给大家详细的介绍一下mos管

mos管也称场效应管，首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在 电介质 上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把 空穴 排斥出表面。这个电场太弱了，所以 载流子 浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做Channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为 阈值电压 Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。

mos管

下图中左边是n沟道mos管的结构图和电路符号，右边是p沟道mos管的结构图和电路符号

mos管的结构与符号

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