低功耗充电器芯片工作原理：新型电源芯片问世

低功耗充电器芯片工作原理：新型电源芯片问世亚成微电子是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，在USB PD快充领域，致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案，目前已推出国内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、国内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片RM6801SN以及采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S；同时推出了基于RM6801SN/RM6601SN的高功率密度大功率氮化镓快充方案以及高集成度小功率快充方案，已实现目前快充市场主流功率段覆盖。RM6620DS集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。RM6620DS采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计；在轻载或空载

近年来，手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便，它可以大为减少便携式电子设备的充电时间，提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快，更快充电速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求，这引发了芯片原厂对大功率高功率密度快充方案的持续探索。

作为国内大功率高功率密度快充解决方案的开拓者，亚成微电子在近日推出了一款高集成度的电源管理芯片RM6620DS，芯片采用行业领先的3D封装技术，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。

芯片采用wQFN8*8封装，可使电源系统设计更加简洁，大大节省开关电源元件数量，减少PCB体积，提高开关电源的功率密度，有效地帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。

RM6620DS是一款内置高压超结MOSFET、高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。

RM6620DS集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。

RM6620DS采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6620DS本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

RM6620DS同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定（uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP）、CS短路保护、输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

亚成微电子是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，在USB PD快充领域，致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案，目前已推出国内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、国内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片RM6801SN以及采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S；同时推出了基于RM6801SN/RM6601SN的高功率密度大功率氮化镓快充方案以及高集成度小功率快充方案，已实现目前快充市场主流功率段覆盖。