抑制辐射干扰元器件有哪些（隔离电源的辐射抑制设计参考）

抑制辐射干扰元器件有哪些（隔离电源的辐射抑制设计参考）4． 型号为 FBG1005-601Y 的磁珠对 70MHz 处的辐射约降低 3dBμV/m。3． 初级 V CC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的分立器件去耦电容 10nF 和 470pF 对 150MHz 处的辐射约降低 20 dBμV/m，对其他频段也有不同幅度的改善；实验表明：1． 初级地 GNDA 和次级地 GNDB 的 PCB 拼接电容对30MHz-1GH 整体频段内的辐射有大幅度的改善，约降低 20dBμV/m;2． 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容 30MHz-1GH 整体频段的辐射有大幅度的改善，约降低 10dBμV/m;

信息来源川土微

本文以 CA-IS3092W 为例，介绍川土集成隔离电源芯片抑制辐射的方法，供客户参考。

CA-IS3092W 是集成隔离电源的隔离式 RS-485/RS-422 收发器，隔离电源的输出 VISO 有 5V 和 3.3V 两种选项，通过SEL 管脚选择，可提供最大负载 100mA。芯片内置微变压器，由于变压器尺寸和功率的限制，通过微型变压器的开关频率相对较高，到约 70MHz。短时间内大电流的切换会产生电磁辐射，引起较大的 di/dt 及 di/dt 噪声。器件工作所产生的噪声落在 30 MHz 至 1 GHz 范围内，产生辐射干扰问题。通过合适的 PCB 布局和其他方法的设计，此产品可以满足在非屏蔽应用环境下的 EN55032 的 class A 类辐射标准。下面介绍几种抑制辐射的方法。

本文仅仅从电路上总结抑制辐射干扰的办法，在芯片应用中，整体方案可以加法拉第屏蔽罩，大幅度降低辐射干扰。

实验表明：

1． 初级地 GNDA 和次级地 GNDB 的 PCB 拼接电容对30MHz-1GH 整体频段内的辐射有大幅度的改善，约降低 20dBμV/m;

2． 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容 30MHz-1GH 整体频段的辐射有大幅度的改善，约降低 10dBμV/m;

3． 初级 V CC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的分立器件去耦电容 10nF 和 470pF 对 150MHz 处的辐射约降低 20 dBμV/m，对其他频段也有不同幅度的改善；

4． 型号为 FBG1005-601Y 的磁珠对 70MHz 处的辐射约降低 3dBμV/m。

总结以上提出了抑制辐射干扰的方法，如下：

1.初级地 GNDA 和次级地 GNDB 之间的 PCB 拼接电容对抑制辐射的作用比较大，其拼接电容的好坏将直接决定整体辐射水平的高低；

2. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容对抑制辐射的作用也很大，分立器件的供电电容和耦合电容的摆放位置、选型及 PCB 布线对辐射的影响相对比较关键；

3.边缘防护的设计以及磁珠的合理选用可进一步降低辐射干扰。