国产gpu发展前景：GPU深度报告 三大巨头 十四个国内玩家一文看懂

国产gpu发展前景：GPU深度报告 三大巨头 十四个国内玩家一文看懂Fabless只负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包。苹果和AMD为Fabless的代表。Foundry只负责制造，不负责芯片设计，可以同时为多家设计公司服务，但受制于公司间的竞争关系。台积电为Foundry的代表。目前英特尔GPU落后的主要原因是GPU制程的落后，根本原因是英特尔受困于IDM运作模式。随着28纳米以下先进制程的发展，芯片的制造成本和设计成本成指数级上升。同时，一条12英寸晶圆的生产线从建设到生产的周期约2年，投资至少30-50亿美元，资本支出占比80%，整体风险非常大。英特尔以有限的资源不支持它持续的设计和生产的的两线作战。GPU制造可分为IDM和Fab Fabless。IDM集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身。英特尔为IDM的代表。HBM的GPU应用GDDR5对比HBMHBM先进封装结构

英特尔10nm先进制程带来的性能和效能提升

GPU制造升级趋势：Chiplet化。高位宽内存（HBM）是小芯片（Chiplet）在GPU中的常见应用。HBM是一种高速计算机存储器3D堆栈SDRAM接口。首款HBM于2013年推出，第二代HBM2已于2016年被JEDEC接受。目前，HBM主要应用在高端独立显卡和服务器显卡。

HBM通过3D堆叠4个DRAM Die和1片逻辑Die组成一个Chiplet，其中每片DRAM具有2个128位通道，通过TSV（硅通孔）相连。所以，一片Chiplet总共8个128位通道，总位宽1024比特。每片Chiplet又与GPU封装在同一中介层（Interposer）连接GPU芯片。相比之下，GDDR5内存的总线宽度为32位，带有512位内存接口的显卡也只有16个通道，而且采用传统的FBGA封装。HBM与GDDR5相比，每GB的表面积减少94%，每GB/S带宽的能效提升2倍多。

HBM支持最多每个Chiplet 4GB的存储，HBM2在HBM的基础上将每片Chiplet的最大容量提升至了8GB，显存主频提升1倍，同时总位宽保持不变。

HBM的GPU应用

GDDR5对比HBM

HBM先进封装结构

GPU制造可分为IDM和Fab Fabless。IDM集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身。英特尔为IDM的代表。

Fabless只负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包。苹果和AMD为Fabless的代表。Foundry只负责制造，不负责芯片设计，可以同时为多家设计公司服务，但受制于公司间的竞争关系。台积电为Foundry的代表。目前英特尔GPU落后的主要原因是GPU制程的落后，根本原因是英特尔受困于IDM运作模式。随着28纳米以下先进制程的发展，芯片的制造成本和设计成本成指数级上升。同时，一条12英寸晶圆的生产线从建设到生产的周期约2年，投资至少30-50亿美元，资本支出占比80%，整体风险非常大。英特尔以有限的资源不支持它持续的设计和生产的的两线作战。

Fab Fabless的模式通过充分发挥比较优势，分散了GPU设计和制造的风险，符合半导体分工的大趋势。

IDM与Fab Fabless对比