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计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)

计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)1966年IBM Thomas J.Watson 研究中心的Robert H.Dennard发明了(动态随机存取存储器)DRAM,1968年申请了专利。动态随机存取存储器(DRAM)晶体管计算机在1958年出现,计算机CPU里的各种寄存器、ALU等应该是用半导体分立元件和常规线性器件来实现的 其最小位单元可以用最简单的触发器实现。双稳态触发器现代意义上的半导体存储器是特指用小规模集成电路、大规模和超大规模集成电路实现的各类半导体存储器。

计算机存储器发展史(五)

半导体存储器

14、半导体存储器

计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)(1)

1947年12月 美国贝尔实验室的巴丁、布拉顿、肖克利、组成的研究小组 研制出一种点接触型的锗晶体这是世界上第一个半导体三极管,巴丁、布拉顿因此获得诺贝尔奖。

晶体管计算机在1958年出现,计算机CPU里的各种寄存器、ALU等应该是用半导体分立元件和常规线性器件来实现的 其最小位单元可以用最简单的触发器实现。

计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)(2)

双稳态触发器

现代意义上的半导体存储器是特指用小规模集成电路、大规模和超大规模集成电路实现的各类半导体存储器。

动态随机存取存储器(DRAM)

1966年IBM Thomas J.Watson 研究中心的Robert H.Dennard发明了(动态随机存取存储器)DRAM,1968年申请了专利。

1969年,Advanced Memory System公司生产了第一款DRAM芯片,容量仅为1KB。

1970年,Intel公司推出半导体随机存储器Intel 1103,这是第一个商用DRAM芯片。

计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)(3)

Intel 1103随机存储器

至今,DRAM仍是最常用的随机存取器(RAM),作为个人电脑和工作站中内存(即主存储器)。DRAM内存能够问世,主要是基于半导体晶体管和集成电路技术。

计算机存储器发展过程(计算机存储器发展史)(4)

半导体三管存储原理

闪存(FLASH)

1980年日本人富士雄Fujio Masuoka为东芝工作时发明了闪存,1981取得了EEPROM专利,但是真正将闪存发扬光大的是Intel。目前市面上有两种闪存,其一是NAND、其二是NOR,主要差异在于逻辑闸的不同;这种内存催生了小巧的随身碟、记忆卡。

相变存储器(Phase Change Memory)

随着许多新技术的涌现,新型存储器市场持续升温,其中PCM尤其受到很大的关注。目前市场有一种划时代的商品问世,那就是3D XPoint,它是由英特尔和美光科技于2015年7月推出的非挥发性内存(NVM)技术,在非易失存储器领域实现了革命性突破。英特尔为使用该技术的储存装置冠名Optane,而美光称为QuantX。

目前Intel的傲腾905P SSD就被市场认定是最快的SSD。

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