光刻工艺与流程中的难处（华慧高芯知识库）

光刻工艺与流程中的难处（华慧高芯知识库）第一步气相成底膜；晶圆表面涂布一层HMDS（六甲基二硅胺烷）作为増粘剤原理在光刻胶（三）的推送中，使光刻胶能够牢固的粘在晶圆上。小伙伴们听到这里，有没有觉得这层工艺像是一层“双面胶”呢？HMDS涂布原理如下图所示：光刻工艺的实操步骤：前几期我们讲解了光刻原理、光刻胶的特性（有兴趣的朋友可以查阅往期的文章）。经过前三期对光刻胶的了解，小伙伴是不是早就迫不及待的想了解光刻的实际操作呢？光刻的原理：就是利用了摄影技术，将灯光照射到感光树脂涂层上，以便形成电路图案。一般我们将光刻工艺分为8个步骤：气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘、显影、显影检查、坚膜烘焙。咋眼一看，好像很复杂的样子。不不不，这些都是假象。跟着小编我的思路你还会发现，真的是SO EASY 哪里不会点哪里！好啦，废话不多说我们进入正题吧！

自主研发芯片一直都是中国人的梦想，但是芯片制造一直都是一个难度极大的行业。其中，光刻（lithography）就是芯片制造中的一项最为关键的技术，也是微纳器件制备过程中必不可少的一道工艺。今天我们将和大家重点分享一下光刻工艺的实操心得！

华慧高芯网光刻设备

国际最为先进的：JEOL JBX-9500FS

前几期我们讲解了光刻原理、光刻胶的特性（有兴趣的朋友可以查阅往期的文章）。经过前三期对光刻胶的了解，小伙伴是不是早就迫不及待的想了解光刻的实际操作呢？

光刻的原理：就是利用了摄影技术，将灯光照射到感光树脂涂层上，以便形成电路图案。一般我们将光刻工艺分为8个步骤：气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘、显影、显影检查、坚膜烘焙。

咋眼一看，好像很复杂的样子。不不不，这些都是假象。跟着小编我的思路你还会发现，真的是SO EASY 哪里不会点哪里！好啦，废话不多说我们进入正题吧！

光刻工艺的实操步骤：

第一步气相成底膜；晶圆表面涂布一层HMDS（六甲基二硅胺烷）作为増粘剤原理在光刻胶（三）的推送中，使光刻胶能够牢固的粘在晶圆上。小伙伴们听到这里，有没有觉得这层工艺像是一层“双面胶”呢？HMDS涂布原理如下图所示：

第三步软烘，软烘就是把胶烤的硬一点（进一步挥发溶剂，减薄胶厚），更加结实的粘在衬底上，同时也是为了不让胶粘的到处都是，污染机械。

第四步就是关键的曝光啦，之前相信大家都对曝光有一定了解。其主要的原理就是，光刻胶受到光、电子、离子、射线等的照射发生交联或者分解的反应。 “见光死”的就是正胶。意思就是，如果一种胶被照射溶于碱性溶解（显影液），那么它就是正胶。反之为负胶。图为简单的曝光系统的示意图：

第五步后烘，通常要比软烘的温度略高10℃-15℃，其主要目的是提高光刻胶的粘附性并减少驻波。有时我们在做正胶时会将此步骤省去，但对于负胶来说，后烘是必要的。

第六步显影，以正胶来说，接受曝光的光刻胶发生分解反应溶于显影液，未曝光的光刻胶没有与显影液发生反应，仍保留在衬底表面。“见光死”的部分会被显影液通通带走。

第七步显影检查，其目的是为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，为光刻工艺人员提供用于纠正的信息。也就是大家来找“茬”过程哦，但是还是希望不同点越少越好呀！

第八步坚膜，目的是为了蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变硬，提高对衬底的粘附性，提高抗刻蚀能力，同时也除去剩余的显影液和水。精准地坚膜时间和温度，才抗得起折腾呀

好啦，今天的内容介绍到这里啦。小伙伴们是不是对光刻的实操有了一定的了解了呢？如果你对芯片工艺感兴趣，请关注我们！

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