兆易存储与长江存储的占比（存储器行业研究）

兆易存储与长江存储的占比（存储器行业研究）NOR Flash：读取速度极快，但写入速度较慢的特点，且由于成本的限制，很难实现大容量。FlashROM（快闪存储器）：兼并了可编程擦写数据和断电后保留数据的特性，但由于可擦写次数小于DRAM近10个数量级，不适合作为内存使用。Intel看到了Flash的巨大发展潜力，于1988年推出第一款商业性的NOR Flash芯片。1986年富士雄发明了NAND Flash，它具有较快的写入数据，较小的存储单元面积。SRAM (静态随机存取存储器)：不需要刷新电路就可以保存其内部存储的信息。SRAM通常由4-6个晶体管组成一个单元，当这个单元被赋予二进制状态之后，他会保持这个状态直到下次被赋予新的信息或者断电之后才会更改。SRAM是当下读写速度最快的存储器，因此价格十分昂贵，应用场景是CPU的L1、L2 缓存。在1964发明了SRAM之后，又出现了非挥发性SRAM和异步SRAM等产品。DRAM（动

存储器：

按照存储原理，存储器可以分为光学存储、磁性存储、半导体存储三大类。光学存储主要包括DVD、CD等；磁性存储包括磁盘、软盘、机械硬盘（HDD）等。光学和磁性存储体积过大，读写速度较慢；半导体存储器读写速度非常快，体积小，容量大功耗低，价格也因为技术成熟不断下降。基于上述原因，三类存储器在应用层面有所区分，随着科技的发展，半导体存储器逐渐成为主流产品。

半导体存储器根据失去电源后是否保存数据，分为易失性存储器与非易失性存储器。易失性存储器也叫作随机存储器(RAM)，通电情况下存储数据，断电后数据自动丢失，作用是临时存储数据，用于正在执行的程序数据存储；非易失性存储器也叫只读存储器(ROM)，只读存储器在断电情况下数据也不会丢失，主要作用是长期存储数据。

随机存储器(RAM)：

SRAM (静态随机存取存储器)：不需要刷新电路就可以保存其内部存储的信息。SRAM通常由4-6个晶体管组成一个单元，当这个单元被赋予二进制状态之后，他会保持这个状态直到下次被赋予新的信息或者断电之后才会更改。SRAM是当下读写速度最快的存储器，因此价格十分昂贵，应用场景是CPU的L1、L2 缓存。在1964发明了SRAM之后，又出现了非挥发性SRAM和异步SRAM等产品。

DRAM（动态随机存取存储器）：存储的数据只能保存很短的时间，所以需要定时刷新数据，与SRAM相比更加复杂，面积更小，成本更低，功耗也更小，但是数据保留时间较短和速度也相对较慢，但相较于ROM速度较快。DRAM是利用CMOS管的栅电容上的电荷存储数据，一旦断电，数据就会全部消失，由于栅极会漏电，所以需要每隔一段时间给这个栅极补充电荷，并且每一次读取数据也需要电荷的补充，这个过程就叫做动态刷新，因为它只需要1个CMOS管加1个电容就能储存1bit的数据，所以集成度较高，容量也很大。DRAM主要应用场景是内存芯片。DRAM从1979年Intel发布2188DRAM开始，1993年出现SDRAM，即与CPU时钟同步。2000年以后DDR RAM（Date-Rate RAM）在SDRAM的基础上进行改进，在一个时钟读写两次数据，使得数据传输速度加倍增长。

只读存储器(ROM)：只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。相比RAM，ROM具有在断电后依然能保存数据的优势，在面世以后又出现了能一次性写入数据的PROM和可编程的ROM。

FlashROM（快闪存储器）：兼并了可编程擦写数据和断电后保留数据的特性，但由于可擦写次数小于DRAM近10个数量级，不适合作为内存使用。Intel看到了Flash的巨大发展潜力，于1988年推出第一款商业性的NOR Flash芯片。1986年富士雄发明了NAND Flash，它具有较快的写入数据，较小的存储单元面积。

NOR Flash：读取速度极快，但写入速度较慢的特点，且由于成本的限制，很难实现大容量。

NAND Flash：最小读写单位是Page（页），内部采用非线性宏单元模式，读写速度快，为使用大容量内存提供了价格低廉、运行高效的解决方案。NANDFlash内部结构较为简单，成本低、体积小，主要应用场景是大容量的存储，如SSD，闪盘等。

综上所述，存储器最有前景的细分是DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash。

DRAM（动态随机存取存储器）：

（1）结构：多个位元格（Bit Cell）组成矩阵结构，形成内存库，数个内存库形成DRAM存储芯片。内存库中，多个字元线与位元线交叉，每个交点均存在一个位元格处理信息。字元线改变电压影响相应的位元格，位元格将电流传至各自的位元线，由感测放大器侦测并放大电压变化。

每一个位元格由一个电容和一个晶体管构成，电容可储存1bit数据量。

（2）竞争格局：全球DRAM市场集中度较高，前三大厂商镁光、三星、海力士合计占比超95%，尤其镁光全球市占率42.7%。国产厂商中，美国公司 ISSI已被A股上市公司北京君正收购。

以及我国唯一拥有DRAM自主生产能力的公司合肥长鑫由兆易创新控股，兆易创新自研的DRAM由合肥长鑫生产，兆易创新负责代销。

（3）技术壁垒：

1）内存芯片标准化程度高，各厂商竞争的核心环节在于制造工艺与生产规模。厂商需要同时进行技术研发及产能投资。DRAM制程工艺转变较快，需要较大出货规模以摊平生产及研发成本。

2）DRAM市场中IDM模式更具优势。目前DRAM市场三家龙头均为IDM厂商，其优势在于设计与制造工艺协同，能率先推进并实验新型技术，IC设计到芯片落地时间较短。但同时产能变化较为缓慢，需要较高资本投入，管理运营成本较高。Fabless模式资产要求低，但欠缺晶圆厂配合，代工产能紧张时可能无法生产最新产品，故Fabless不太适合内存行业。

3）内存行业为重资产行业。海力士与美光厂房设备占总资产比重常年处于60%左右，同时需每年需要维持稳定的厂房设备投入，下行周期时需借入长期负债以保障现金流。高昂的初始投资与后续研发及厂房设支指出形成行业壁垒，市场集中度不断提升。

（4）毛利率：

1）全球：

2）国内：

兆易创新：

北京君正：

兆易创新商业模式：Fabless 模式

集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。从经营模式来看，

主要分为 IDM 模式（企业业务覆盖集成电路的设计、制造、封装和测试的所有环节）和 Fabless模式（无晶圆生产线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测试企业来完成）两种。公司作为 IC 设计企业，自成立以来一直采取 Fabless 模式，专注于集成电路设计及最终销售环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。公司的经营模式是由产品本身的属性决定的，从经济效益考虑，公司目前做的产品多数集中在利基市场，更适合 Fabless 发展模式。

从集成电路整体产业链来看，集成电路设计是具有自主知识产权并体现核心技术含量的研发和设计环节，成品销售则是控制销售渠道、客户资源及品牌的销售服务环节，均在产业链中具有核心及主导作用，是 IC 设计行业的原始创新的体现和创造价值的源泉。公司专注于研发设计和产品销售环节，在整个产业链中处于重要地位并拥有核心竞争力。

从销售模式看，公司的销售主要为直接销售与经销两种。直接销售模式下，公司与客户直接

签署销售合同（订单）并发货；经销模式下，公司与经销商签署经销商协议，由公司向经销商发货，再由经销商向终端客户销售，在此模式下，采取卖断式销售。

北京君正商业模式：Fabless 模式

公司自成立以来一直采用Fabless的经营模式，在业务上专注于技术与产品的设计、研发，产品生产环节均委托大型专业集成电路委托加工商进行，具体包括晶圆的生产、测试和芯片的封装、测试等。公司产品主要面向电子信息行业的企业客户，客户采用公司的芯片后，需进行终端产品设计方案的研发。在销售模式上，公司采用直销和经销相结合的方式，其中对于重点客户，无论是通过直销还是经销的方式，公司均会直接对其提供技术支持与服务，协助客户解决产品开发过程中的技术问题。

NAND Flash：

（1）竞争格局：NAND芯片市场呈现寡头垄断的供给格局，三星占据约33%市场，出身东芝半导体的铠侠占据约19%的市场。

国内公司：长江存储（未上市）和兆易创新。