美光拟在日制下一代dram（美光发布最新技术路线）

美光拟在日制下一代dram（美光发布最新技术路线）美光认为，在云、企业、游戏、IOT、汽车、移动、PC等市场，客户对产品要求高带宽、高性能、低功耗 ，这是持续对企业技术、产品的挑战。美光表示，NAND Flash技术从2D向3D发展，驱动Wafer GB量大幅度增加，64层3D NAND技术之后，也就是下一代128层3D NAND技术，主要聚焦在RG（(Replacement Gate)）技术的过渡，NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。在DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后，向下发展还有1α、1β、1γ，在从1Znm到1γ技术的过程中，美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益，在合适的时候用上EUV。值得注意的是，美光在2018年认为至少在1α及1β工艺之前不会用到EUV，但为何在2019年会评估EUV的使用呢？业内人士猜测，可能主要是因为201

5月23日，在美光投资者大会上，美光展示了其对NAND Flash和DRAM产业的看法，以及美光下一代技术的发展以及规划。

美光是全球DRAM和NAND Flash芯片供应商，在全球分别排名第三和第四的位置，在最新的2019年Q2财季中，美光DRAM业务大约占整体营收的64%，而NAND Flash营收大约占了30%。

美光在投资者大会上介绍到，其核心技术研发是在美国的爱达荷州基地，其Fab工厂产能分布在全球各地，其中日本主要用于生产DRAM，新加坡主要生产NAND Flash，创新的3D Xpoint是在美国犹他州，封装是在台湾完成，美国Virginia满足汽车市场需求。

美光认为，DRAM产业面临三大挑战：第一，Wafer Gb当量显著增长的挑战；第二，技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战；第三，资本支出的强度持续增加。

在DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后，向下发展还有1α、1β、1γ，在从1Znm到1γ技术的过程中，美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益，在合适的时候用上EUV。

值得注意的是，美光在2018年认为至少在1α及1β工艺之前不会用到EUV，但为何在2019年会评估EUV的使用呢？业内人士猜测，可能主要是因为2019年DRAM价格大跌，使得产品利润受到挤压，再加上NAND Flash需求和价格也都在下滑，美光需要提高产量和性能，来降低成本。

在NAND方面，美光3D技术已经历了三代，目前是第三代96层3D NAND，下一代将向128层3D NAND发展，是64 64层的结构。为了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势，美光在128层3D NAND技术将从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡，并继续使用阵列下的CMOS架构。

美光表示，NAND Flash技术从2D向3D发展，驱动Wafer GB量大幅度增加，64层3D NAND技术之后，也就是下一代128层3D NAND技术，主要聚焦在RG（(Replacement Gate)）技术的过渡，NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。

美光认为，在云、企业、游戏、IOT、汽车、移动、PC等市场，客户对产品要求高带宽、高性能、低功耗 ，这是持续对企业技术、产品的挑战。

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