cmos芯片技术（重磅超越CMOS）

cmos芯片技术（重磅超越CMOS）https://www.nature.com/articles/s41586-018-0770-2《自然》杂志英特尔功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性，并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术，还需要进行更多开发。”更多详细信息，请查看：可扩展的高能效磁电自旋轨道逻辑（DOI）

12月3日，《自然》杂志发表了一篇有关下一代逻辑器件的研究论文（点击“阅读原文”查看），作者包括英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。这篇论文描述了一种由英特尔发明的磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件。相较于目前的互补金属氧化物半导体（CMOS），MESO器件结合超低休眠状态功率，有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不断微缩CMOS的同时，英特尔一直在研究超越CMOS时代的未来十年即将出现的计算逻辑选项，推动计算能效提升，并跨越不同的计算架构促进性能增长。

英特尔资深院士兼技术与制造事业部探索性集成电路组总监Ian Young表示，“我们正在研究超越CMOS时代的计算方案，寻求革命性而不是演进性的突破。MESO以低压互连和低压磁电为基础，将量子材料创新与计算结合在一起。我们对已经取得的进展感到非常兴奋，并期待着发挥其潜力，未来做出进一步降低翻转电压的演示。”

英特尔研究人员发明的MESO器件，考虑到了未来计算所需的关于存储器、互连线和逻辑的要求。英特尔已经做出了该MESO器件的原型，采用的是在室温下呈现新兴量子行为的量子材料，以及由Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料（Ramamoorthy Ramesh就任于加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室）。MESO还利用了由Albert Fert描述的自旋轨道超导效应（Spin-orbit transduction effects，Albert Fert就任于法国国家科学研究院/泰雷兹集团联合物理研究组）。

英特尔功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性，并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术，还需要进行更多开发。”

更多详细信息，请查看：

可扩展的高能效磁电自旋轨道逻辑（DOI）

《自然》杂志

https://www.nature.com/articles/s41586-018-0770-2

全新量子材料可使计算设备超越半导体时代

伯克利新闻

https://news.berkeley.edu/2018/12/03/new-quantum-materials-could-take-computers-beyond-the-semiconductor-era/