led半导体各个工艺流程（LED显现中的关键激光剥离技能）

led半导体各个工艺流程（LED显现中的关键激光剥离技能）

Micro LED显现中的关键激光剥离技能

　　Micro LED显现具有优越的功能，但是在技能层面还有待打破，其间一项要害技能是外延衬底的剥离。根据GaN发光资料的Micro LED芯片，因为GaN与蓝宝石晶格失配度较低且价格低廉，所以蓝宝石衬底成为外延成长GaN资料的干流衬底。但是，蓝宝石衬底的不导电性、差导热性影响着Micro LED器件的发光效率；同时，脆性资料蓝宝石不利于Micro LED在柔性显现方向的运用，根据以上原因及Micro LED 显现本身分辨率高、亮度高、对比度高级优势特点，激光剥离蓝宝石是必要且要害的环节，且激光剥离技能更能凸显Micro LED 的优势。

　　激光剥离环节实质上是一个单脉冲扫描的过程，因而对激光束的均匀度和安稳性有极高的要求。正是因为对激光技能和工艺安稳性的极高要求，现在全球具有该项技能并能用于安稳出产的企业不多，现阶段国内以大族激光为少量用于安稳出产的代表。

　　激光剥离技能通过利用高能脉冲激光束穿透蓝宝石基板，光子能量介于蓝宝石带隙和GaN带隙之间，对蓝宝石衬底与外延成长的GaN资料的交界面进行均匀扫描；GaN层很多吸收光子能量，并分化构成液态Ga和氮气，则能够完成Al2O3 衬底和GaN 薄膜或GaN-LED 芯片的分离，使得简直能够在不运用外力的情况下，完成蓝宝石衬底的剥离。

激光剥线机