三星ufs4.0闪存芯片：4.0闪存解决方案

三星ufs4.0闪存芯片：4.0闪存解决方案

三星宣布，推出UFS 4.0闪存解决方案，这是首款符合最新JEDEC标准规范的产品。与之前的UFS 3.1相比，新标准在性能和耗能方面做了诸多改进。作为全球主要的手机零部件供应商，相信UFS 4.0闪存很快会出现在各个品牌的新一代旗舰手机上。

新一代产品采用了三星第七代V-NAND闪存技术和专有主控，使得UFS 4.0闪存的顺序读取速度达到了4200MB/s，顺序写入速度达到了2800MB/s。虽然有了更高的性能，但是并没有增加封装的尺寸，其最大尺寸为11mm x 13mm x 1mm，仍属于紧凑型封装。三星的UFS 4.0闪存解决方案还包含了一个名为“Replay Protected Memory Block（RPMB）”的先进设计，当只能通过身份验证来读取或写入重要个人数据的时候，其效率提高了1.8倍。

据三星的介绍，该款UFS 4.0闪存解决方案每通道提供了23.2 Gbps的数据传输速度，是之前UFS 3.1闪存解决方案的两倍。同时，UFS 4.0闪存解决方案提供了每毫安（mA）6.0MB/s的顺序读取速度，能效比上一代产品提高了46%。这使得UFS 4.0闪存更适合需要大量数据处理的设备，比如需要高分辨率图像和大容量游戏的手机、汽车和AR/VR应用场景。

三星将会在2022年第三季度量产UFS 4.0闪存，容量最高达到1TB。