光耦继电器和普通继电器的区别（驱动光耦继电器的最佳方法是什么）

光耦继电器和普通继电器的区别（驱动光耦继电器的最佳方法是什么）通常，您要确保可以从微控制器的LED中获得足够的电流（考虑到耦合器的CTR），但是我希望您在该限制之内。同样，确保最大发射极电压大于线圈电压，但在5V时也应该很容易。 对于大多数光耦继电器/光耦合器组合而言，这是行不通的，因为许多继电器需要的电流大于大多数光隔离器提供的50mA光电流。使用光隔离器驱动另一个NPN可以很好地工作，而无需增加太多成本。 例如，光耦继电器PC817XN的最低CTR为50％，绝对最大LED电流为50mA。这样就没有增加驱动电流以保持晶体管饱和的空间。由于CTR具有50-600％的宽容度，因此您可能会在原型机上放弃它，但在生产中却没有。 为了提高使用过程中的可靠性，您可能希望将LED电流保持在25mA以下，然后希望最低CTR约为200％。因此，您应该使用PC817X3（等级标记C）或PC817X4（等级标记D）。光耦继电器-先进光半导体

我正在设计一个使用ESP-32的智能插座和一个可以在240VAC下驱动5A的机械继电器。按照典型的继电器驱动电路，我想在MCU和继电器之间使用一个光耦合器。根据数据表，我使用的继电器是（Panasonic）APAN3105，其线圈功率低至110mW（5V@22mA）。

典型的继电器电流驱动器电路使用连接到晶体管的光耦合器，该晶体管随后驱动继电器。由于我使用的是低线圈功率继电器，我可以直接从继电极最大电流范围内的光耦合器直接驱动继电器吗？这种方法有什么缺点吗？除了最大集电极电流外，您还必须考虑电流传输比（CTR），最大LED电流和MCU的输出驱动能力。

先进光半导体-光耦继电器

幸运的是，ESP-32在最大驱动强度下具有40mA的巨大输出，这可能是必需的，因为标准的光耦合器通常具有的最小CTR只有50％。为了确保集电极-发射极的饱和电压低，光电耦合器的LED电流也应该比IC/CTR高得多（差不多两倍）。

例如，光耦继电器PC817XN的最低CTR为50％，绝对最大LED电流为50mA。这样就没有增加驱动电流以保持晶体管饱和的空间。由于CTR具有50-600％的宽容度，因此您可能会在原型机上放弃它，但在生产中却没有。

为了提高使用过程中的可靠性，您可能希望将LED电流保持在25mA以下，然后希望最低CTR约为200％。因此，您应该使用PC817X3（等级标记C）或PC817X4（等级标记D）。

光耦继电器-先进光半导体

对于大多数光耦继电器/光耦合器组合而言，这是行不通的，因为许多继电器需要的电流大于大多数光隔离器提供的50mA光电流。使用光隔离器驱动另一个NPN可以很好地工作，而无需增加太多成本。

通常，您要确保可以从微控制器的LED中获得足够的电流（考虑到耦合器的CTR），但是我希望您在该限制之内。同样，确保最大发射极电压大于线圈电压，但在5V时也应该很容易。