化学气相沉积单层石墨烯（北大刘忠范团队）

化学气相沉积单层石墨烯（北大刘忠范团队）文献：图4、冷壁CVD石墨烯的抗腐蚀性图1、冷壁CVD石墨烯薄膜的批次生长图2、冷壁CVD石墨烯的“刻蚀-修复”处理图3、冷壁CVD石墨烯的电学性质

成果简介

化学气相沉积（CVD）具有良好的可扩展性、可控性和均匀性，是一种很有前途的石墨烯薄膜控制生长方法。然而，在传统的热壁CVD系统中，高质量石墨烯薄膜的合成仍存在产能低、能耗高等问题。相比之下，由于加热方式不同，冷壁化学气相沉积（CW-CVD）系统在工业规模生产方面表现出广阔的潜力，但石墨烯的原样质量仍然较差，区域尺寸有限，缺陷密度高。

本文，北京大学刘忠范教授团队在《Nano Res》期刊发表名为“Toward batch synthesis of high-quality graphene by cold-wall chemical vapor deposition approach”的论文，研究展示了一种基于CW-CVD系统批量合成具有毫米尺寸域的高质量石墨烯薄膜的有效方法。随着缺陷密度的降低和性能的改善，收到的石墨烯被证明是电子和防腐应用的有前途的候选材料。该工作为高质量石墨烯薄膜的批量制备提供了新的思路，也为未来石墨烯薄膜的商业化应用提供了良好的材料基础。

图文导读

图1、冷壁CVD石墨烯薄膜的批次生长

图2、冷壁CVD石墨烯的“刻蚀-修复”处理

图3、冷壁CVD石墨烯的电学性质

图4、冷壁CVD石墨烯的抗腐蚀性

文献：

https://doi.org/10.1007/s12274-022-4347-x.