模拟电路要学的知识点（模拟电路基础-看过这些考试就不用担心了）

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话说起这个题目会不会被

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1. P型半导体和N型半导体哪种电子是多数载流子？
   

   N型

2. 什么是施主原子，什么是受主原子？

   提供电子的杂质原子是施主原子如氮原子，接受电子的杂质原子是受主原子，如磷原子

3. 扩散运动和漂移运动

   扩散运动是自然发生的（存在浓度差），漂移运动是因为有内电场。

4. PN结的形成原因？

5.如何记忆内电场的方向，以及耗尽区在有电流通过时是变宽还是变窄？

首先我们要明白二极管中，是扩散运动的电子移动形成电流（由P指向N）。而内电场是阻碍扩散运动的（由N指向P），如果内电场和外加电场方向相同，那么空间电荷区就会变宽，反之会变窄。

所以我们只要清楚哪个区电子多就可以=》扩散运动的方向=》正向电流的方向=》内电场的方向=》外电场是增宽内电场还是变窄。

当然知道了扩散运动的方向，漂移运动也就知道了。

6.为什么半导体器件存在最高工作频率？

因为有结电容。面接触型的二极管，电容大，工作频率低，点接触型的二极管，电容小，工作频率高。

7.关于二极管的伏安特性：

为什么存在开启电压？

当正向电压很小时，外电场不足以克服PN结内电场对多数载流子的阻力。

为什么反向电流很小且为常数？

反向电流是少数载流子的漂移运动形成的，当外部反向电压加大，使得更多的少数载流子参与漂移运动，但当所有的少数载流子都参与了漂移运动时，那么反向饱和电流就无法再增大了，而且由于少数载流子很少，所有产生的电流很小。

8.导通电压和开启电压区别在哪？
很简单，导通电压就是二极管上的压降，开启电压则是使得电路导通时最小的电压。

9.在温度影响下，少数载流子的浓度变化大还是多数载流子？

这个问题很重要，它决定了半导体器件为何总是在考虑温度的影响，从而进一步决定了为何要设定反馈电路。

答案是少数载流子浓度变化大，举个栗子：我有一元钱，你给我一元，我的总资产变为了两倍，你有一百元，给你一元你的资产只增长了百分之一。

10.稳压管为何“稳压”？

我们要清楚一点的是，稳压管是两个二极管反着连接的，其中一个正向导通，另一个是被击穿的。

看上面的二极管伏安特性图反向击穿区便可知，当电流变化巨大时，电压变化很小，这就是稳压。

11.晶体管的放大作用

为什么三极管有放大作用，便是体现在上面的等式上，你可以通过工艺将基区的浓度和集电极的浓度做出一定的比例，来控制IB和IC的大小关系，从而实现IB和IC的电流放大作用。

12.输入特性

回答上面的三个问题：

1. 因为BE之间是可以等效为二极管（有PN结）。

2. 当UCE增大时，集电极收集的电子增多，使得iB减小，所有要使得iB还是那么大，就得增大UBE

3. 当UCE增大到一定程度时，电子几乎全部被收集，iB无法再减小，所有就不用右移~\(≧▽≦)/~啦啦啦

13.输出特性

还是回答上面的问题，问什么UCE较小时，iC随UCE变化很大，后面却是一条横线。

一样的道理，开始电压小时，电子一部分被基区复合，一部分被收集区收集，UCE增大，收集区收集电子能力变强，所以iC会增大 。

14.交流信号和直流信号表示上的不同

直流下标大写，交流下标小写。比如上面都是指直流信号所以下标都要大写。

15.如何判断饱和还是截止

这是一个比较重要的问题，需要学习者熟练掌握。

最简单的一个方法是看偏置状态：都是正向导通就是饱和，都是反向导通就是截止。

16.当上图IB为零时，为何还有IC电流？

这个电流是穿透电流。

以上算是第一章内容的知识重难点，所有图片都是清华大学华成英教授的课件！网上有她上课的模电视频教程，有兴趣大家可以去看看。

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