西电有哪几个期刊（西电在材料领域国际顶级期刊ACS）
西电有哪几个期刊（西电在材料领域国际顶级期刊ACS）（来源 西电新闻网）（通讯员 段晓璇）该项工作利用金属-半导体界面处产生的压电极化电荷（即可以产生垂直于平面方向上的压电电势）作为栅极电压有效地调控了该器件的载流子输运特性，并且通过将两个超薄压电电子学晶体管串联实现了简易的压力调控的逻辑电路。这项研究证实了压电极化电荷在超窄沟道中“门控”效应的有效性，该器件不需要外部栅电极或任何其它在纳米级长度下具有挑战性的图案化工艺设计。这项研究成果首次证实了压电电子学效应在超窄沟道中的有效性，为新型压电电子学晶体管的研究提供了思路，拓宽了压电电子学的研究领域，同时也开辟了二维非层状压电材料的压电特性的研究。这项研究成果在智能皮肤、人机界面和纳米机电系统等领域具有潜在的广阔应用前景。压力调控的OR逻辑电路文献链接：Ultrathin Piezotronic Transistors with 2 nm Channel Lengths (ACS Nano
5月2日，国际材料领域顶级学术期刊《ACS Nano》（期刊影响因子13.942）在线报道了西安电子科技大学材料学院同中国科学院北京纳米能源所合作的最新研究工作“Ultrathin Piezotronic Transistors with 2 nm Channel Lengths”。该项工作在材料学院名誉院长王中林院士和秦勇教授的共同指导下，由王龙飞博士和博士一年级研究生刘书海等共同合作完成。王龙飞和刘书海为该项工作的共同第一作者。
基于二维氧化锌的超薄压电电子学晶体管
为了探索这种突破局限的可能性，在西电先进材料与纳米科技学院名誉院长、中国科学院北京纳米能源与系统研究所所长王中林院士与我校秦勇教授的共同指导下，王龙飞博士和博士生刘书海等研究成员通过深入研究二维超薄氧化锌面外压电特性，成功地制备出一种新型的、沟道只有~2 nm的超薄氧化锌压电电子学晶体管，并且 首次将压电电子学效应引入到二维超薄非层状压电半导体中。
超薄氧化锌压电电子学晶体管的电学输运特性
该项工作利用金属-半导体界面处产生的压电极化电荷（即可以产生垂直于平面方向上的压电电势）作为栅极电压有效地调控了该器件的载流子输运特性，并且通过将两个超薄压电电子学晶体管串联实现了简易的压力调控的逻辑电路。这项研究证实了压电极化电荷在超窄沟道中“门控”效应的有效性，该器件不需要外部栅电极或任何其它在纳米级长度下具有挑战性的图案化工艺设计。这项研究成果首次证实了压电电子学效应在超窄沟道中的有效性，为新型压电电子学晶体管的研究提供了思路，拓宽了压电电子学的研究领域，同时也开辟了二维非层状压电材料的压电特性的研究。这项研究成果在智能皮肤、人机界面和纳米机电系统等领域具有潜在的广阔应用前景。
压力调控的OR逻辑电路
文献链接：Ultrathin Piezotronic Transistors with 2 nm Channel Lengths (ACS Nano 2018 DOI:10.1021/acsnano.8b01957)
（通讯员 段晓璇）
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