手机硬件结构图(手机硬件设计说明书)
手机硬件结构图(手机硬件设计说明书)语音数字编解码器,CPU 频率仅为13 兆赫。新技术包含指令集、独立的寄存器及可独立的理应用加速。NEON 技术下执行MP3 音频解码器,CPU 频率可低于10 兆赫;运行GSM AMRAP:Application Processor 应用处理器Quad-core:四核;NEON:NEON 技术是64/128 位单指令多数据流(SIMD)指令集,用于新一代媒体和信号处
手机硬件详细设计报告
关键词:LTE、TDD、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、GSM、BT、WLAN、GPS
摘要:本文档为手机单板详细设计文档说明,对单板功能实现的方法、单板结构、加工工艺等方面进行详细描述
缩略语清单:
AP:Application Processor 应用处理器
Quad-core:四核;
NEON:NEON 技术是64/128 位单指令多数据流(SIMD)指令集,用于新一代媒体和信号处
理应用加速。NEON 技术下执行MP3 音频解码器,CPU 频率可低于10 兆赫;运行GSM AMR
语音数字编解码器,CPU 频率仅为13 兆赫。新技术包含指令集、独立的寄存器及可独立的
执行硬件。NEON 支持8 位、16 位、32 位、64 位整数及单精度浮点SIMD 操作,以进行
音频/视频、图像和游戏处理。
DVFS:Dynamic voltage and frequency scaling,即根据系统的动态调整电压和开关电源的频率
LPDDR2/3:Low Power Double Data Rate 2/3 代;
EMMC:Embedded Multi-Media Card
SDIO:Secure Digital Input and Output Card,SD IO SD 卡的接口
OTG:On The Go,简单来说就是把手机当主机,可以外接U 盘等;
1.1.2 ID 效果图、工艺图、堆叠示意图
架构特点:1)半截板,主板双面布件;2)接近光/环境光传感器SMT 到FPC 上,FPC 通过
ZIF 座与主板相连,开机键/音量键FPC 通过6PIN 焊盘刷焊;3) 大小版通过FPC 连接,主板
和副板的天线部分通过射频连接线连接。
1.2 手机功能描述
手机功能描述
手机功能描述
手机功能描述
1.3 手机运行环境说明
X8 手机允许工作温度范围为-10~45°,允许的存储温度范围为-20~70°
1.4 重要性能指标
手机射频指标
手机射频指标
2,手机各组成部分详细说明
2.1 手机的系统框图
手机功能框图
2.2手机硬件设计
2.2.1平台信息
平台信息
2.2.2 软硬件接口文档
附文档(GPIO 说明文档)
2.2.3 关键器件信息
2.3 基带功能模块设计
2.3.1Memory
器件选型,只以EMCP为例
实现方案(eMMC,DDR,mcp,eMCP,POP 等)
本项目实现的方式是:eMCP:eMMC LPDDR3
解释:mcp:nand flash DDR
POP:Package ON Package
关键特性
上电时序
emmc 两个电源Vcc 和Vccq Vcc 要求上电时间小于35ms,VCCQ 的上电时间小于25ms,两者下电时间尽量同步;
Supply for 3.3V <35ms
1.8V<25ms
1.2V<20ms
LPDDR3 要求所有电源(VDD1,VDD2,VDDCA,VDDQ)上电时间不大于20ms,下电无要求LPDDR3 的VREF 滤波电容不能太大,否则20ms 内完不成上电;
信号完整性SI
eMMC CLK 需要串一个几十欧姆(33ohm??)的电阻,以实现阻抗配合
LPDDR3 差分信号CLK /- DQS0 /- ... DQS3 /-走差分线
电源完整性:
做电源PDN 仿真
2.3.2 PMU
实现方案
1 充电:通过MT6325 直接控制充电
2 给系统供电:
X 个DCDC, X 个LDO
支持DVFS,可以根据系统负载情况,动态调整DC/DC 输出(0.7~1.4V)
3 复位/控制
4 电流源:5 路,可以做键盘灯,指示灯
Audio PA
关键特性:DC/DC
电感选型:通流能力,超过DCDC 最大输出电流的1.2 倍(80%降额使用)
低直流阻抗
单点接地:DCDC 地接一起后,单点接地,防止对其他电源的干扰
PCB:接地宽度(过孔)要注意过流能力
开机过程:按开机键,插充电器,闹钟RTC 唤醒:
开机流程图
2.3.3 充电
1) 实现方案:预充电、涓流、恒流、恒压
电池内阻:<110mohm,内阻是电池的固定属性,与电池电量大小无关,用电池测试仪测试。
2) 电池温度检测
2.3.4 电量计模式
电量计:Gauge
信号脚:CS_N CS_P
电量计是综合考量时间与电流的乘积,从而计算出电池当前的容量,既可以计算充电状态下的电池用量,也可以计算使用状态下的电池用量,具有双向统计的功能。
2.3.5电池接口
Vbat GND 温度检测脚
防护电路:ESD:VBAT ID NTC 加TVS 管
EMC:VBAT、ID、NTC 并联nF 和pF 级电容,防止对天线灵敏度造成干扰;
过压防护:VBAT 加稳压管(一般为最大电压值乘以1.2)
PS.稳压管和TVS 管的区别;
1, 稳压管能够钳制电压在固定的值,而TVS 管限制电压在击穿电压VB 和最大钳制VC 之间
其中VR 称为最大转折电压,是反向击穿之前的临界电压。VB 是击穿电压,其对
应的反向电流IT 一般取值为1 mA。VC 是最大箝位电压,当TVS 管中流过的峰值电流
为IPP 的大电流时,管子两端电压就不再上升了。因此TVS 管能够始终把被保护的器
件或设备的端口电压限制在VB~VC 的有效区内。与稳压管不同的是,IPP 的数值可达
数百安培,而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS 的最大允许脉冲功率为Pmax=VC*IPP,
且在给定最大钳位电压下,功耗PM 越大,其浪涌电流的承受能力越大。
2.3.6 TP
TP 对上电顺序无特别要求
靠近TP 连接器
靠近PMU
注意I2C总线和中断脚都要上拉。
TP 所有的信号脚都需要加TVS 防护管;推荐型号:
2.3.7 LCD
MIPI CLK 计算方式:分辨率*3(RGB 灯的个数)*色彩位数*刷新率/数据通道数量/2
比如:1080P 的屏,按照60Hz 的数据刷新率,需要的时钟频率是:
1920*1080*3*8*60/4/2=373.248MHz
由于会有控制数据需要传送,所以一般LCD 的时钟会需要增加10%,也就是
373.248MHz*1.1=410.5728MHz
LCD 色彩数目计算方式:2^8*2^8*2^8(8 为每种颜色的表现位数)=16.5M
2.3.8 Camera
MIPI CLK 的计算公式:分辨率*采样深度*采样率/通道数量/2
后置摄像头:1080P 的录像所需的时钟频率是:1920*1080*10bit*30fps/4/2=77.76MHz
前置摄像头:1080P 的录像所需的时钟频率是:1920*1080*10bit*28fps/2/2=145.15MHz
MCLK PCLK 预留RC 做阻抗匹配,保证信号完整性。
2.3.9 音频方案(含耳机及接口,双mic降噪)-
听筒电路中磁珠为EMI器件,一般选择60ohm 120ohm和75ohm@100MHZ
33pF为旁路电容
用于听筒EMI的电容
2.3.10马达
马达电路
2.3.11 HDMI/MHL
无
2.3.12 USB接口
在副板上
2.3.13 SIM卡
1,电源:SIM1_VCC是SIM卡1的专用电源,其中1uF的电容为去耦电容,33pF为高频旁路电容。
SIM VCC电源
2, 所有的非地管脚均需加TVS 管防护静电。
TVS 管推荐型号:
ON:ESD5V3L1B-02LS
Infineon:ESD5481MUT5G
Diodes:D5V0L1b2lp3-7&1;
Semtech:UCLAMP0541Z.TNT
防护电路
SIM卡插入和拔出中断需要上拉:
中断脚需要上拉
2.3.14 T卡
T卡和SIM2连接器二合一。
T卡和SIM卡而合一卡座
VDD需要加一个4.7uF的陶瓷电容去耦加稳压;CLK脚和数据脚需要串联30R做阻抗匹配;
2.3.15 GPS/BT/WIFI/FM
主处理芯片为MT6625L,本项目GPS和WIFI频段信息如下:GPS:1575.42 MHz,WIFI支持2.4G和5G两种载频。但天线是用一个,因此,需要一个三工器以保证GPS和WIFI都能正常工作。
GPS/WIFI合路器
其中RF_WBT表示WIFI和蓝牙的2.4GHz频段,RF_WF_5G表示WIFI的5GHz频段。GPS_RF_LNA表示GPS接收信号,顾名思义,这个信号是要接到LNA上去的。
用于天线防护的TVS管,结电容<0.5pF
天线端需要加一个TVS管防止静电从天线端引入,这个管子注意结电容一定要小,推荐小于0.5pF。
测试座
这里做了测试座子的兼容设计,入网的板子贴这个RF connector 正式量产的板子不贴这个射频座子。
MT6625L和CPU接口是IQ信号。
WIFI/BT/GPS IQ信号
2.3.16 NFC
2.3.17 CMMB
2.3.18 按键
2.3.19 加速度传感器
2.3.20 指南针传感器
2.3.21 环境光和接近光传感器
2.3.22 三色灯
三色灯电路
2.3.23 Hall IC功能
2.3.24 晶体/晶振
32.768K 慢时钟,时间时钟;由主电池或者后备电池的情况下会立刻起振;
26M 快时钟,逻辑时钟。Layout注意:1,走线短,线宽8-12mil,包地;2,GND的处理,避空处理;混频的源头。原则上晶体和晶振只能给一个负载提供时钟信号。在进入开机流程才会起振。
晶振电路