vasp学习资料（VASP能带计算后处理）

vasp学习资料（VASP能带计算后处理）至于PBAND，可以使用vaspkit——21，得到PBAND_A1.dat.........④ 根据BAND.dat文件作出的bulk Si的能带图，使用PBE计算的Si的带隙是0.67 eV，属于间接带隙半导体。① REFORMATTED_BAND.dat以及BAND.dat 文件包含能带信息，只需直接导入Oringin或者别的画图软件作图即可，一般我们使用BAND.dat文件作图即可；② BAND_GAP 文件包含带隙，VBM CBM 以及他们的位置；③ KLABELS 文件包含高对称点信息，以及他们所在的位置；

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除了使用别人自己写的代码处理能带结构外，还可以使用vaspkit后处理能带结构，这里简要介绍使用vaspkit处理能带结构。

步骤：

vaspkit —— 211 会出现以下情况：

① REFORMATTED_BAND.dat以及BAND.dat 文件包含能带信息，只需直接导入Oringin或者别的画图软件作图即可，一般我们使用BAND.dat文件作图即可；

② BAND_GAP 文件包含带隙，VBM CBM 以及他们的位置；

③ KLABELS 文件包含高对称点信息，以及他们所在的位置；

④ 根据BAND.dat文件作出的bulk Si的能带图，使用PBE计算的Si的带隙是0.67 eV，属于间接带隙半导体。

至于PBAND，可以使用vaspkit——21，得到PBAND_A1.dat.........

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