合科泰的产品好用吗（合科泰推出采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET）

合科泰的产品好用吗（合科泰推出采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET）机械数据：●表面贴装器件●VDS=-20V，RDS(ON)≤150mΩ（VGS=-4.5V，ID=-2.0A）●低导通电阻●用于低功率DC-DC转换器和负载开关应用

MOS管也叫MOSFET的，中文金属-氧化物半导体场效应晶体管，一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。

场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。PMOS是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低。PMOS电路性价比高，部分数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

近日，国内自主品牌厂商合科泰推出了一款采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET SI2301，具有低导通电阻等特点。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-20V，栅源电压为±10V，连续漏极电流为-2.0A（TJ=25°C)。

产品特点：

●VDS=-20V，RDS(ON)≤150mΩ（VGS=-4.5V，ID=-2.0A）

●低导通电阻

●用于低功率DC-DC转换器和负载开关应用

●表面贴装器件

机械数据：

●封装形式：SOT-23

●外壳材料：模压塑封，UL可燃性

●分类等级：94V-0

●重量：0.008 克 (近似)

最大额定参数（TA=25℃，除非另有说明）：

电气特性（TA=25℃，除非另有说明)：

注：1.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。合科泰推出的这款采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET SI2301，低导通电阻的特点，适合很多数字控制电路，是国内企业采购的不错选择。