松下s5的cmos大小（GaN高迁移率晶体管）
松下s5的cmos大小（GaN高迁移率晶体管）PGA26C09DV的芯片照片（样刊模糊化）我们揭开了松下第一个GaN HEMT器件的面纱，其使用标准的TO220封装结构，受益于特殊的芯片设计，该晶体管在不使用cascade结构或特殊封装下能够具有常关的性能。电子邮箱：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）日本松下（Panasonic）公司的第一个600V氮化镓（GaN）高迁移率晶体管（HEMT）有着创新的结构设计，在不使用级联（cascade）的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构
Panasonic PGA26C09DV 600V GaN HEMT
——逆向分析报告
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日本松下（Panasonic）公司的第一个600V氮化镓（GaN）高迁移率晶体管（HEMT）有着创新的结构设计，在不使用级联（cascade）的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。
PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构
我们揭开了松下第一个GaN HEMT器件的面纱，其使用标准的TO220封装结构，受益于特殊的芯片设计，该晶体管在不使用cascade结构或特殊封装下能够具有常关的性能。
PGA26C09DV的芯片照片（样刊模糊化）
PGA26C09DV芯片剖面图，采用GIT技术（样刊模糊化）
器件中的GaN和AlGaN层被外延沉积在硅衬底上，复杂的缓冲层和基板层结构用来减小应力和位错，并通过很厚的超晶格结构进行补偿，这可以在TEM下清晰地看到。
基于详尽的拆解分析，该报告还提供了外延、HEMT器件以及封装的生产成本估计。
PGA26C09DV芯片成本分析（样刊模糊化）
另外，该报告还对比了GaN Systems的GS66504B以及Transphorm的GaN HEMT器件，突出显示了他们在设计和制造上的巨大不同，以及其在器件尺寸和生产成本上的影响。
PGA26C09DV与GS66504B的比较（样刊模糊化）
报告目录：
Overview / Introduction
• Executive summary
• Reverse costing methodology
Company Profile
• Panasonic
Physical Analysis
• Synthesis of the physical analysis
• Package analysis
- Package opening
- Package cross-section
• HEMT die
- HEMT die view & dimensions
- HEMT die process
- HEMT die cross-section
- TEM epitaxy analysis
- HEMT die process characteristics
HEMT Manufacturing Process
• HEMT die front-end process
• HEMT die fabrication unit
• Final test & packaging fabrication unit
Cost Analysis
• Synthesis of the cost analysis
• Yield explanations and hypotheses
• HEMT die
- HEMT die front-end cost
- HEMT die probe test thinning and dicing
- HEMT die wafer cost
- HEMT die cost
- Wafer cost evolution
- Die cost evolution
• Complete HEMT
- Assembly cost
- Synthesis of the assembly
- Component cost
Price Analysis
• Estimated sales price
Comparison
• Comparison between Transphorm and GaN Systems’ HEMT
Company Services
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