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ddr3 讲解(精品博文DDR扫盲)

ddr3 讲解(精品博文DDR扫盲)•tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间; •tQSL是DQS的差分输出低电平时间; CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL) CAS•tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间; •tQSH是DQS的差分输出高电平时间;

Burst Length为固定的BC4和BL8,它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。

ddr3 讲解(精品博文DDR扫盲)(1)

RL为总的读取潜伏期,其被定义为Additive Latency(AL) CAS Latency(CL);

CAS Latency为读取潜伏,为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期;

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Additive Latency为附加潜伏期,它的作用为使命令和数据总线更有效,即允许读或者写命令紧跟有效命令;

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CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL) CAS

ddr3 讲解(精品博文DDR扫盲)(5)

•tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间;

•tQSH是DQS的差分输出高电平时间;

•tQSL是DQS的差分输出低电平时间;

•tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间;

•tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间;

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读时序

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ODT(On-Termination)提供打开和关闭终结电阻的功能,该功能只为DQ、DQS、/DQS和DM管脚开放;

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地址/命令建立时间、保持时间和降额

tis(total setup time)=tis(base) ∆tis

tih(total setup time)=tih(base) ∆tih

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数据建立时间、保持时间和降额

tDS(total setup time)=tDS(base) ∆tDS

tDH(total hold time)=tDH(base) ∆tDH

ddr3 讲解(精品博文DDR扫盲)(10)

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