rc滤波器电阻和电容应该怎么设置（为何射频电路中电容都是pF级别）

rc滤波器电阻和电容应该怎么设置（为何射频电路中电容都是pF级别）但这些材质中，只有C0G(或叫NP0)材质的电容，其稳定度是最高的。3、那假设同样都是0402的尺寸好了，为啥只能用pF等级 ? 0402尺寸的电容中，所有材质都可到达nF等级，有些甚至可到达uF等级。2、为什么都是pF级别的呢，按理说nF级别的电容容抗更小啊，为什么不用呢？RF走线跟电容的接合处是一个阻抗不连续面，如下图 :一般而言，电容值越大，其Size也会越大，其接合处阻抗偏移程度也会越严重，这就失去了上述『同时也不会影响RF的阻抗』的作用。换言之，你串一个大Size的电容，尽管其电容值很大，容抗很小，但很可能其阻抗偏移造成的Loss还更大，既然100 pF就能做到的事，何必硬要用个3.9 nF来徒增麻烦呢？？？

1、在电路中串100pF相当于直连，这是为何？

依照下述容抗公式：

频率为0，就是开路，所以只要串电容，不管电容值为何，就是可以挡DC。由上述公式可知：电容值越大，其容抗越小，亦即Loss越小，同时也得知，电容值越大，对RF讯号而言，会越接近0奥姆电阻，而0奥姆理论上对于RF阻抗是不会有任何改变。

所以得到一个结论：理论上，串一个大电容，不但可以当DC Block，同时也不会影响RF的阻抗。

2、为什么都是pF级别的呢，按理说nF级别的电容容抗更小啊，为什么不用呢？

RF走线跟电容的接合处是一个阻抗不连续面，如下图 :

一般而言，电容值越大，其Size也会越大，其接合处阻抗偏移程度也会越严重，这就失去了上述『同时也不会影响RF的阻抗』的作用。换言之，你串一个大Size的电容，尽管其电容值很大，容抗很小，但很可能其阻抗偏移造成的Loss还更大，既然100 pF就能做到的事，何必硬要用个3.9 nF来徒增麻烦呢？？？

3、那假设同样都是0402的尺寸好了，为啥只能用pF等级 ? 0402尺寸的电容中，所有材质都可到达nF等级，有些甚至可到达uF等级。

但这些材质中，只有C0G(或叫NP0)材质的电容，其稳定度是最高的。

时间稳定度 :

温度稳定度 :

频率稳定度 :

换言之，只有C0G(NP0)材质的电容，其电容值不随时间、温度和频率而有所偏差。因此在RF应用中，只有C0G(NP0)材质的电容为首选，其他都不是好选择，而C0G(NP0)材质的电容值 最大也只到1nF。

所以多半只能用pF等级。

4、假设同样都是0402的尺寸，同样都是C0G(NP0)材质，最大也还有1nF，为啥只能用pF等级 ?首先来比较IL (Insertion Loss) ，假设RF频率为LTE Band 7的2700MHz，可看出1nF的IL为0.036dB。

8pF的IL为0.0385dB：

IL方面，确实8pF比较大，因为电容值越小，其ESR越大，当然IL就越大，所以1nF跟8pF之所以IL有差，主要是来自于ESR的差异。但话说回来 一个0.036dB，一个0.0385dB，其实也没啥太大差别，多数情况下不需要计较到0.0025dB的差异。

但阻抗偏移程度就有差别了，假设原始阻抗为50奥姆。如下图 :

由上图可知，1nF的阻抗偏移程度比8pF来得大，这就失去了DC Block『同时也不会影响RF的阻抗』的作用。换言之，如果RF走线阻抗控制得好，走线够短够宽，原则上用8pF当DC Block 其阻抗依旧为50Ω，不用再额外调匹配使其整体阻抗恢复到50Ω，但若用1nF当DC Block 其阻抗会偏离50Ω，需要额外再调匹配，使其整体阻抗恢复到50Ω。

因此，若用1nF当DC Block还需再串联一个4pF的电容 方可使整体阻抗恢复到50Ω。

再来看一下，多串了4pF电容后的IL：

因此整理如下：

这表示说，你为了要节省那0.0025dB的IL舍弃8pF。而采用1nF的DC Block，结果需要额外再加4pF的电容来恢复50Ω阻抗，换言之，不但额外多出了调匹配的时间跟工作量，同时也额外多出了0.0135dB的IL，这笔交易，你觉得划算吗？？？

只要是串联无源组件，不管是电感 ，电容，还是电阻，因为其内阻缘故，就是会额外贡献IL ，因此除非必要，否则串联组件能不加就不加，在此原则，相较于1nF，8pF当然是较佳的DC Block选择。