euv极紫外光刻技术好处与坏处（什么是极紫外光刻技术）

euv极紫外光刻技术好处与坏处（什么是极紫外光刻技术）

极紫外光刻技术（EUV）是建立在光学光刻技术的技术成果之上的，该技术是使用激光产生等离子源产生约13nm的紫外波长。这种光源工作在真空环境下，产生紫外波长，然后由光学聚焦形成光束，光束经由用于扫描图形的反射掩膜版反射。一组全反射4倍投影光学镜将极紫外光束成像到已涂光刻胶的硅片上，光束按照四分之一掩膜版的速度反方向扫描硅片：

EUV目前存在的问题是，精密光学系统很难实现高质量表面的严格要求，反射镜反射率需要通过精确的多层表面涂层来优化。同时目前EUV面临的挑战还有缺乏大功率的光源、制备出体缺陷数符合要求的掩膜版存在难度，同时符合EUV的光刻胶制备存在难度。

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