场效应管放大电路小结（零基础学电子电路）

场效应管放大电路小结（零基础学电子电路）场效应晶体管的检测 结场型场效应晶体管的源极（Ｓ）和漏极（Ｄ）两极可互换使用，一般不用判断源极（Ｓ）和漏极（Ｄ），仅需判别栅极（Ｇ）。万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，用两表笔分别测量晶体管三个引脚之间每两个引脚之间的正、反向电阻。当某两个引脚之间的正、反向电阻相等，均为几十至几千欧姆时，则这两个引脚为漏极（Ｄ）和源极（Ｓ），余下的一个引脚为栅极（Ｇ）。万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，黑表笔接栅极（Ｇ），红表笔接另外两个引脚，如果测得的两个电阻值均很大，则所测场效应晶体管为Ｎ沟道；如果测得的两个电阻值均很小，则所测场效应晶体管为Ｐ沟道。万用表打到100欧姆Ω档测量漏极源极之间的正、反向电阻，电阻阻值范围为几十至几千欧姆；万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，测量栅源极之间的正、反向电阻，正向电阻很小，反向电阻很大；万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，测量栅漏极之间的正、反向电阻，正向电阻很小，反向电阻很大。满足上述测量阻值的要求，结

什么是场效应晶体管？场效应晶体管，简称场效应管，是一种用电压控制电流大小的通用器件，它是利用电场效应来控制管子的电流，也是一种带有ＰＮ结的新型半导体器件。场效应管具有输入电阻高、高低频噪声小、功耗损耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区间宽等优点，适用于大规模的集成电路，在高频、中频、低频、直流、开关及阻抗变换电子电路中应用广泛。

场效应晶体管

N沟道绝缘栅型场效应晶体管

场效应晶体管的结构与工作原理 :场效应管的品种有很多，按其结构可分为两大类，一类是结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，而且每种结构又有Ｎ沟道和Ｐ沟道两种导电沟道。 场效应管一般都有３个极，即栅极Ｇ、漏极Ｄ和源极Ｓ，为方便理解可以把它们分别对应于三极管的基极Ｂ、集电极Ｃ和发射极Ｅ。场效应管的源极Ｓ和漏极Ｄ结构是对称的，在使用中可以互换。

（１）结型场效应管的结构和工作原理，结型场效应管可分为Ｐ沟道结型场效应管和Ｎ沟道结型场效应管。

结型场效应管

（２）绝缘栅型场效应管的结构和工作原理，绝缘栅型场效应管按其工作状态可以分为增强型和耗尽型两类，每类又有Ｎ沟道和Ｐ沟道之分

N沟道型绝缘栅型场效应管

场效应晶体管的检测 结场型场效应晶体管的源极（Ｓ）和漏极（Ｄ）两极可互换使用，一般不用判断源极（Ｓ）和漏极（Ｄ），仅需判别栅极（Ｇ）。万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，用两表笔分别测量晶体管三个引脚之间每两个引脚之间的正、反向电阻。当某两个引脚之间的正、反向电阻相等，均为几十至几千欧姆时，则这两个引脚为漏极（Ｄ）和源极（Ｓ），余下的一个引脚为栅极（Ｇ）。万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，黑表笔接栅极（Ｇ），红表笔接另外两个引脚，如果测得的两个电阻值均很大，则所测场效应晶体管为Ｎ沟道；如果测得的两个电阻值均很小，则所测场效应晶体管为Ｐ沟道。万用表打到100欧姆Ω档测量漏极源极之间的正、反向电阻，电阻阻值范围为几十至几千欧姆；万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，测量栅源极之间的正、反向电阻，正向电阻很小，反向电阻很大；万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，测量栅漏极之间的正、反向电阻，正向电阻很小，反向电阻很大。满足上述测量阻值的要求，结型场效应晶体管是好的，否则可能已损坏。 绝缘栅型场效应晶体管检测 万用表置于Ｒ×１ｋΩ挡，用两表笔分别测量晶体管三个引脚之间每两个引脚之间的正、反电阻，若某引脚与其余两个引脚之间的正、反向电阻均为无穷大，则此引脚为栅极（Ｇ）。然后测量漏极（Ｄ）和源极（Ｓ）之间的电阻，漏极和源极之间的电阻为几百至几千欧，交换表笔再测量一次，其中电阻较小的那一次，红表笔接的为漏极（Ｄ），黑表笔接的是源极（Ｓ）。