常用电路设计图解：新手如何快速上手电路设计

常用电路设计图解：新手如何快速上手电路设计高级电路设计■电压Vds波形改变了共模杂讯，电流ID波形改变了差模杂讯……注意：RCD吸收电路的设计对系统的EMI也会有很大的改善！■RCD吸收电路 (DS CS RS) 将改变MOSFET 关断时的突波振幅与振荡频率，进而改变了杂讯频谱。

RCD吸收电路的计算结果如下：(上文已完成变压器关键设计)

反激变换器在MOS 关断的瞬间，由变压器漏感LLK 与MOS 管的输出电容造成的谐振尖峰加在MOS 管的漏极，如果不加以限制，MOS 管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施，把这个尖峰吸收掉。

因此反激的RCD吸收电路设计对FLY的EMI及MOS的应力都有比较大的影响。对于<75w的FLY设计；为了保证其参数的最佳化设计：

开关MOS管关断时的实际波形图

注意：RCD吸收电路的设计对系统的EMI也会有很大的改善！

■RCD吸收电路 (DS CS RS) 将改变MOSFET 关断时的突波振幅与振荡频率，

进而改变了杂讯频谱。

■电压Vds波形改变了共模杂讯，电流ID波形改变了差模杂讯……

高级电路设计

嵌入式系统的低功耗设计（一）

经过近几年的快速发展，嵌入式系统已经成为电子信息产业中最具增长力的一个分支。随着手机、PDA、GPS、机顶盒等新兴产品的大量应用，嵌入式系统的市场正在以每年30%的速度递增（IDC预测），嵌入式系统的设计也成为软硬件工程师越来越关心的话题。

在嵌入式系统的设计中，低功耗设计是许多设计人员必须面对的问题，其原因在于嵌入式系统被广泛应用于便携式和移动性较强的产品中，而这些产品不是一直都有充足的电源供应，往往是靠电池来供电，所以设计人员从每一个细节来考虑降低功率消耗，从而尽可能地延长电池使用时间。事实上，从全局来考虑低功耗设计已经成为了一个越来越迫切的问题。

从今天起，我们介绍一些关于低功耗设计的知识。

本系列文章可分为部分：

1.介绍嵌入式（电路）的功耗分类；根据功耗类型进行详细介绍和说明，由功耗类型的定义引申出所对应的降低功耗的方式；

2.介绍常见的硬件方面降低功耗的方法；

3.介绍常见的软件方面降低功耗的方法；

4.针对已量产产品进行进行功耗分析及功耗降低的步骤……

解决高频同步BUCK在嵌入式系统中串扰问题

在很多嵌入式系统或者是低压供电端用的比较多，为了实现系统的小体积，目前市面上几MHz的buck变换器IC层出不穷，如此高的开关频率也会给系统带来一些扰动，尤其在传导和辐射方面。同步降压转换器的高频传导和辐射发射基于硬开关期间产生的瞬态电压 (dv/dt) 和瞬态电流 (di/dt) 发生。 这种电磁干扰 (EMI) 在设计和认证周期中是一个越来越令人烦恼的问题，尤其是考虑到功率 MOSFET 的开关速度增加。

先来分析高频回路是什么样子？

有效高频功率回路电感 LLOOP 是总漏极电感 LD 和共源电感 LS 的总和，由输入电容和 PCB 走线的串联电感LPCB以及封装电感产生 的功率 MOSFET。 正如预期的那样，功率环路电感与输入电容器-MOSFET 环路的布局高度相关，如图 1 中的红色阴影区域所示。

图1

同时，栅极回路自感 LG 包括来自 MOSFET （主要是封装形式）和 PCB 走线布线的寄生参数影响。 对图 2 的检查表明，Q1 的共源电感在电源和栅极环路中都存在。 它会增加开关损耗，因为电源回路的 di/dt 会产生一个负反馈电压，阻碍栅源电压的上升和下降时间。 导致组件应力增加的另一个因素是 Q2 的共源电感，它会在体二极管反向恢复期间导致低侧 MOSFET 的误导通。