光伏生产设备的发展趋势（光伏设备行业专题报告）
光伏生产设备的发展趋势（光伏设备行业专题报告）IBC独有的结构也使其具有独特的优势：从SunPower官网披露的最新信息来看，其最新一代IBC电池已吸收了TOPCon电池 钝化接触的技术优点，加入了隧穿氧化层（Tunnel Oxide）与多晶硅（N/P-Poly Silicon） 的复合结构，并保留了铜电极工艺；从电池结构来看，量产工艺已经简化，成本在 可接受范围，平均的转换效率可以达到25%，第七代电池有望将平均转换效率提高 到26%的水平。IBC电池技术是指一种背结背接触的太阳电池结构，其正负金属电极呈叉指状方式排 列在电池背光面。由于对少子寿命的要求较高，IBC电池一般以N型硅片作为基底， 前表面为N 前场区FSF，利用场钝化效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速 率，同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力；背表面为采用扩散方式形成的叉指状排列的P 发射极和N 背场BSF，发射极能够与N型硅基底形成p-n结，有效 分流载流
（报告出品方/作者：广发证券，代川、朱宇航）
一、多种技术争奇斗艳，IBC 有望成为新的平台型技术硅基光伏电池历经三代变化，新的技术不断涌现推动光伏发电的性价比不断上升。 光伏电池早期以BSF（Aluminium Back Surface Field，铝背场电池）为主要技术路 线，该电池技术于1973年提出，其特点是采用铝背场钝化技术，理论转换效率上限 约为20%；随着光伏产业对于发电效率的不懈追求以及PERC（Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触）技术的成熟，成本不断下降，光伏电 池转向以PERC技术为主，该技术于1982年提出，其特点是采用氧化铝局部钝化技 术，相较于BSF电池技术，PERC技术钝化效果更优，将电池的极限效率提升至23% 左右。
随着PERC技术的成熟与不断挖潜，逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻 求下一代技术，目前推进中的主流技术有TOPCon（Tunnel oxide passivated contact 隧穿氧化层钝化接触）、HJT（Heterojunction with Intrinsic Thinfilm， 异质结）和IBC（Interdigitated back contact，交叉背接触）等。TOPCon和HJT 一般为采用了钝化接触技术的N型电池（也有技术采用P型硅片），不同点在于HJT 是异质结类型的电池，是具有颠覆性的技术，对新进入厂商相对有利，TOPCon仍 然是同质结电池，对存量的产线和技术积累较为友好，对行业内现有玩家较为有利。
IBC的提效降本则是另外一种思路，与TOPCon、HJT采用新的钝化接触结构来提高 钝化效果从而提高转换效率的思路不同，IBC则是将电池正面的电极栅线全部转移到 电池背面，通过减少栅线对阳光的遮挡来提高转换效率，主要通过结构的改变来提 高转换效率，是一种较为纯粹的单面电池，这种结构可以与PERC、TOPCon、HJT、 钙钛矿等多种技术叠加，因此有望成为新一代的平台型技术，与TOPCon技术的叠 加被称为“TBC”电池，而与HJT技术的叠加则被称为“HBC”电池。
IBC电池技术是指一种背结背接触的太阳电池结构，其正负金属电极呈叉指状方式排 列在电池背光面。由于对少子寿命的要求较高，IBC电池一般以N型硅片作为基底， 前表面为N 前场区FSF，利用场钝化效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速 率，同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力；背表面为采用扩散方式形成的叉指状排列的P 发射极和N 背场BSF，发射极能够与N型硅基底形成p-n结，有效 分流载流子，n 背表面场区能够与n型硅形成高低结，增强载流子的分离能力，是IBC 电池的核心技术；前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化膜，抑制IBC太阳电池 背表面的载流子复合；前表面常 上减 射层，提高发电效率；金属接触部分全都 在背面的正负电极接触区域，也呈叉指状排列。
BC技术由SunPower提出，SunPower已成立36年，累计出货35亿片IBC电池片， 拥有1000多个晶硅电池专利。1975年，Schwartz和Lammert首提背接触式光伏电池 概念；1984年，斯坦福教授Swanson研发了IBC类似的点接触（Point Contact Cell， PCC）太阳电池，在聚光系统下转换效率19.7％；1985年Swanson教授创立 SunPower，研发IBC电池；1993年，SunPower全背接触电池帮助本田赢得澳洲太 阳能汽车挑战赛冠军；2004年，SunPower菲律宾工厂（25MW产能）规模量产第一 代IBC电池，转换效率最高21.5%，组件价格5-6美金/瓦。
虽然距离SunPower推出第一代IBC电池已经相当时间，但是初代电池奠定了该种电 池技术路线基本的电池结构和工艺框架： （1）前表面无栅线遮挡。电池前表面采用陷光绒面，且无栅线遮挡，避免了金属电 极遮光损失，最大化吸收入射光子，实现良好的短路电流； （2）背面为P区和N区的叉指状间隔排列。电池背面制备呈叉指状间隔排列的p 区 和n 区，以及在其上面分别形成金属化接触和栅线，由于消除了前表面发射极，前 表面复合损失减少； （3）一般采用较高质量的N型硅片。由于前表面远离背面p-n结，为了抑制前表面 复合，需要更好的前表面钝化方案，同时需要具有长扩散长度的高质量硅片（如N 型硅片），以降低少数载流子在到达背结之前的复合； （4）与钝化接触技术相结合来提高电池性能。采用钝化接触或减少接触面积，大幅 减少背面p 区和n 区与金属电极的接触复合损失；（5）增加前表面场FSF。利用前表面场FSF的场钝化效应降低表面少子浓度，降低 表面复合速率的同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力。
从SunPower官网披露的最新信息来看，其最新一代IBC电池已吸收了TOPCon电池 钝化接触的技术优点，加入了隧穿氧化层（Tunnel Oxide）与多晶硅（N/P-Poly Silicon） 的复合结构，并保留了铜电极工艺；从电池结构来看，量产工艺已经简化，成本在 可接受范围，平均的转换效率可以达到25%，第七代电池有望将平均转换效率提高 到26%的水平。
IBC独有的结构也使其具有独特的优势：
（1）外形美观。IBC电池发射区和基区的电极均处于背面，正面完全无栅线遮挡， 尤其适用于光伏建筑一体化（BIPV）的应用场景以及对价格敏感度较低的家用场景， 商业化前景较好。
（2）具有高转换效率的单面结构。IBC电池正面无遮挡结构消除了栅线遮挡造成的 损失，实现了入射光子的最大化利用，较常规太阳能电池短路电流可提高7%左右， 正负电极都在电池背面，不必考虑栅线遮挡问题，可适当加宽栅线比例，从而降低 串联电阻，提高FF；由于正面无需考虑栅线遮光、金属接触等因素，可对表面钝化 及表面陷光结构进行最优化设计，得到较低的前表面复合速率和表面 射，从而提 高Voc和Jsc；短路电流、FF、Voc的提高使得正面无遮挡的IBC电池拥有了高转换 效率；但是栅线都在背面的独特结构牺牲了电池的双面性，无法吸收经过地面 射 的阳光，因此适用于光伏建筑一体化等无法利用背面发射光的应用场景。
由于IBC电池结构具有良好的兼容性，逐渐形成了三大工艺路线： （1）以SunPower为代表的经典IBC电池工艺； （2）以ISFH为代表的POLO-IBC（TBC）电池工艺； （3）以Kaneka为代表的HBC电池工艺（IBC-SHJ）。 根据2017年Kaneka实验结果，目前IBC-SHJ（HJT）电池的转换效率最高可达到 26.7%，高于TOPCon和HJT电池的实验效率。
将钝化接触技术与IBC相结合，研发出TBC（Tunneling oxide passivated contact Back Contact）太阳电池，也就是上文所称的POLO-IBC；将非晶硅钝化技术与IBC 相结合，开发出HBC太阳电池，二者均是通过应用载流子选择钝化接触可以抑制少 数载流子在界面处的复合速度，进一步降低IBC电池的整体复合，从而有效提高IBC 太阳电池表面钝化效果。 TBC电池主要是通过对IBC电池的背面进行优化设计，即用P 和N 的POLY-Si作为 发射极和BSF，并在POLY-Si与 层之间沉积一层隧穿氧化层 SiO2，使其具有更 低的复合，更好的接触，更高的转化效率。
2018年，ISFH采用区熔法（FZ）制备的P型硅片将POLO技术应用于IBC电池，在 4cm2的电池面积上获得了26.1%的POLO-IBC太阳电池光电转换效率，但该结构制 备流程相对复 ，使用了多次光刻和自对准的工艺；为了简化工艺， ISFH公司在P 型PERC电池的技术上叠加多晶硅沉积，在常规CZ法获得的P型单晶硅片上制备 POLO-IBC电池，利用原位 制备 多晶硅层，采用丝网印刷和共烧结形成金 属接触，获得21.8%的转换效率，该技术路径与现有产线兼容度较高，但转换效率 较低。 在N型硅片基底上，2019年天合光能采用LPCVD（低压化学气相沉积）法对IBC电 池的BSF进行多晶硅隧穿氧化，只通过调节湿法工艺使其与原始IBC电池工艺相兼容， 在6英寸硅片上将转换效率由24.1%提高到25%。
与传统IBC电池不同的是，HBC电池结构背面的Emitter和BSF区域为p 非晶硅和n 非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本 非晶硅钝化层。 HBC电池结构能够获得较高转换效率的原因在于：（1）高Voc。HBC电池采用 化 非晶硅(a-Si:H)作为双面钝化层 在背面形成局部a-Si/c-Si异质结结构，基于高质量的 非晶硅钝化，获得高Voc。充分吸收了HJT电池非晶硅钝化技术的优点。（2）高Jsc。 HBC电池采用了IBC电池结构，前表面无遮光损失和减少了电阻损失，从而拥有较 高的Jsc，充分结合了HJT电池技术与IBC电池结构的优点。
HBC电池主要是由Kaneka在推动，已取得较好的研发进展，2017年日本化学公司和 太阳能电池制造商Kaneka通过背接触异质结技术实现的的最高效率26.63%，国内 则主要是爱旭股份在推动N型ABC电池技术。
IBC目前大规模产业化面临的问题是工序多、量产难度大导致成本高。根据普乐新 能源的披露，IBC电池技术的生产成本和产线投入仍然不占优势，非硅成本的差异主 要来源于良率、银浆成本和折旧成本，成熟的PERC电池在现阶段还具有较为明显 的性价比。随着TOPCon技术以及HJT技术的不断进步和成熟，与其相结合的TBC、 HBC电池有望受益。（报告来源：未来智库）
IBC主要是一种电机结构的改变，涉及到的内部结构的改变较少，因此对PERC、 TOPCon、HJT等各种电池制备技术的兼容度较好，包括非晶硅 膜的制备（ PECVD、 Cat-CVD）、TCO膜的制备（PECVD、RPD）、POLY层的制备（PECVD、LPCVD、 ICP）、钝化层的制备（PECVD、ALD）等；IBC电池的变化主要体现在电池的背面， 一般有p （发射极，收集空穴载流子）和n （背表面场，捕获电子）两个重 区，两个区的中间一般还有一个间隙（gap），由于中等 区域中电子的迁移率是 空穴的3倍，因此IBC电池一般采用较大面积的发射极。
（一）经典 IBC 电池的工艺流程
IBC的电池制备工序主要分为表面制绒、表面钝化、 以及背电极的制备等过程， 与传统的PERC等电池工艺路线相比，工艺的改变以及增量工艺主要体现在背电极 的构型，而背电极的构型则可利用丝网印刷、光刻法、喷墨打印等技术获得。
（1）丝网印刷技术
丝网印刷技术现在已经非常成熟，广泛地应用于太阳能电池电极的制备过程中，国 产厂商在该方面也已经较为领先，产生了迈为股份这种在丝网印刷领域市占率领先、 技术领先的优秀厂商。 2010年，Bock等使用丝网印刷并结合激光刻蚀的方法对IBC太阳电池的背面进行了 ，丝网印刷技术用来在电池 背面制备Al-p 发射极，通过丝网印刷技术取代高温 扩散 ，避免了高温扩散对晶体硅的破坏，应用了激光刻蚀技术简化生产步骤， 使用PECVD技术进行钝化降低了工艺温度。 丝网印刷技术工艺成熟，成本低廉，但由于IBC电池背部图形的特点，需经过多次丝 网印刷和精确的对准工艺，从而增加了工艺难度和成本。
（2）激光刻蚀技术
激光刻蚀是利用激光束对硅片表面或者其表面的涂层进行刻蚀，可以避免传统的掩 膜工艺，简化生产步骤，而且激光技术可以和其他技术结合用于电极制备和局部 等过程。 德国ISFH提出的RISE工艺（rear interdigitated contact scheme metalized by a single evaporation）即使用到了刻蚀技术。首先用PECVD在硅片上沉积一层SiNx 作为保护层，再使用激光在硅片上刻蚀出沟槽，之后对其进行 。经过前表面的 单面制绒后，在背面加上一层有机保护层，再使用激光刻蚀与化学刻蚀形成条形接 触开孔并移去有机保护层，之后通过PECVD在正面沉积一层SiNx钝化层，最后通过 单面蒸发金属铝，形成背电极。对于正负电极在凹槽侧壁上的分离，ISFH采用了自 对准分离法，即在形成金属电极之前经过一个退火过程在沟槽的侧壁上生成一层多 孔氧化层，形成铝电极后在电极上再覆盖一层很 的 SiOx，然后使用湿化学腐蚀就 可分离侧壁上的金属电极。 RISE工艺的优点在于，激光刻蚀定位较为准确，减少了工艺步骤，对降低生产成本 有较为积极的作用。
（3）离子注入技术
IBC硅太阳电池的制备过程中，对硅表面进行 是一个重要的流程， 区域的浓 度、深度及 均匀性等都会直接影响到硅太阳电池的性能。传统的高温 方式 是热化学 应和热扩散运动的结合，使用高温扩散比较容易获得高浓度、深结深的 区域，但是其 效果受化学结合力、扩散系数和材料固溶度等因素的限制， 长时间的高温过程不但会对硅片晶格结构造成损伤，还会造成 离子的侧向扩散， 使相邻区域相互渗 ；除了传统的高温 方式，还可以使用 PECVD 先在晶体硅 表面形成一层磷硅玻璃 （PSG） 作为磷源，再通过高温扩散实现 。
离子注入是另外一种 的方式，真空中一束离子束射向一块固体材料，受到固体 材料的抵抗而速度慢慢降低，并最终停留在固体材料中。离子注入可以克服传统高 温 的缺点，又可以进行精准、高纯度的 ，同时还能减少太阳能电池的工艺 步骤，而且所得到的 区域界面平整，减少侧向扩散；但是离子注入过程中，高 能粒子会对硅材料造成一定程度的损伤，可以通过高温退火的方法消除，而且高温 退火还能在硅片两面形成一层SiO2层，起到钝化的效果，而且不会产生PSG或BSG 层。 离子注入具有控制精度高、扩散均匀性好等特点，但是设备较为昂贵，且易造成晶 格损伤，2017年Y.S.Kim等应用离子注入进行硼 和磷 ，制备的 IBC获得了22.9% 的转化效率。
（二）HBC 电池的工艺流程
HBC电池集齐了IBC与HJT的优势，但同时也面临二者各自的生产工艺问题。HBC 制备工艺流程相较于HJT增加了掩膜、激光开槽、刻蚀步骤以完成背面PN区的制备， 制程有所增长；与HJT相同的是，本 和 非晶硅 膜工艺窗口窄，对工艺清洁 度要求极高；同时由于IBC的特殊结构，正负电极都处于背面，电极印刷和电极隔离 工艺对设备精度要求高；在金属化环节，低温银浆导电性弱，需要跟TCO配合良好， 壁垒高供给少；对于组件端，低温电池制程需要客户端的低温组件封装工艺配合。 因此目前HBC整体设备昂贵，工序长，投资成本高。 HBC太阳电池不仅需要解决HJT技术存在的TCO靶材和低温银浆成本高等问题，还 需要解决IBC技术严格的电极隔离、制程复 及工艺窗口窄等问题。因此 尽管HBC 太阳电池光电转换效率优势明显，但其至今 实现产业化，在 HJT电池技术还 完 全成熟的大背景下，HBC的成熟预计还将有一定的过程。
与经典IBC电池相同，HBC的关键工艺为制备背面P区（ 硼非晶硅）和 N区（ 磷 非晶硅），其核心在于“掩模-开槽-沉积-刻蚀”等工艺。根据2017年日本Kaneka 的方案，其制备HBC电池涉及8个工序，5个不同设备，制程复 而昂贵。目前产业 内针对该工艺流程核心的降本方向是简化 非晶硅 膜的工序、降低关键设备 PECVD的设备成本、采用更低成本的非晶硅沉积设备。
和HJT电池类似，在非晶硅 膜沉积设备方面，主要有板式 PECVD、HWCVD和 LPCVD设备；制备TCO 明导电膜，采用 PVD或RPD设备，设备方面以及各种工艺 路线的比较和HJT基本一致，本文不再赘述。 跟HJT电池工艺一样，经典HBC电池整段工艺都是在200℃左右制备，因此金属化工 艺需要使用低温浆料，但是由于HBC电池只需单面印刷银浆，银浆成本始终会低于 HJT，HBC 来或许会成为 HJT技术降低银浆成本一个很重要的手段。
（三）TBC 电池的工艺流程
同样的，TBC（或称POLO-IBC）电池集齐了IBC与TOPCon的优势，但同时也面临 二者各自的生产工艺问题。相较于TOPCon，TBC所增加的工艺也主要是背面电极 的相关工艺，包括掩膜、激光开槽、刻蚀以及PN区的制备；与TOPCon类似，TBC也面临着良率、成本、技术路线不确定等问题，好在进入22年之后，多家厂商加快 了TOPCon投产的脚步，将有效推动TOPCon技术的进步。
（四）IBC、TBC、HBC 的比较与总结
IBC、TBC、HBC三种电池工艺各有特点，各自继承了一定的优点和缺点，共同点 在于背面电极的处理，属于增量工艺与设备，激光是其中较为重要的部分。 经典IBC电池工艺特点：（1）用掩模和炉管扩散制备背面PN区；（2）P区N区隔离， 分别跟金属电极接触；（3）单面丝网印刷，无主栅或多主栅；（4）兼容部分PERC 工序；（5）高温制程，设备及工艺成熟、成本低。
TBC电池工艺特点：（1）掩模和炉管扩散制备背面PN区，或掩模和CVD原位 制备背面PN区；（2）PN区与基区之间沉积一层 隧穿氧化层 ；（3）P区N区隔 离，分别跟金属电极接触；（4）单面丝网印刷，无主栅或多主栅；（5）兼容部分 TOPCon工序；（6）高温制程，工艺接近成熟、成本低。SunPower和国内尝试量 产IBC电池的企业，纷纷向该技术路线转型，诸如隆基推动的HPBC，可能就是一种 TBC电池技术的变形。
HBC电池工艺特点：（1）掩模和CVD原位 制备背面 PN区；（2）电池正面沉 积本 非晶硅钝化层 ；（3）PN区与基区之间沉积本 非晶硅钝化层 ；（4）PN区 与金属电极之间沉积TCO层；（5）单面丝网印刷，无主栅或多主栅；（6）兼容HJT 设备和工艺；（7）低温制程，工艺接近成熟、成本高。吸收了非晶硅钝化技术的 HBC电池，与HJT电池技术一道，成为新一代最有发展潜力的晶硅电池工艺路线。
三、重点公司分析：技术并行，把握总量逻辑与增量逻辑（一）捷佳伟创：多路线布局，有望受益于行业扩产进程
捷佳伟创成立于2007年，是国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销 售的国家高新技术企业。公司凭借自身的技术研发实力在太阳能电池设备生产领域 行业地位突出。 公司的主要业务为晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售，主要产品包括PECVD 及扩散炉等半导体 沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备 以及自动化（配套）设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程 中的主要及配套设备的研发、制造和销售。
公司收入和净利润稳中有升。公司2021年实现收入50.47亿元，同比增长24.8%，归 母净利润7.17亿元，同比增长37.2%；22Q1实现营收13.63亿元，同比增长15.8%， 同期归母净利润2.73亿元，同比增长29.3%。公司2021年毛利率为24.6%，较2020 年同期下降1.8pct，净利率为14.1%，较2020年同期上升1.5pct；22Q1毛利率为 27.1%，净利率为20.0%，随着下游新技术路线的推进，利润率改善明显。
（二）迈为股份：国际 HJT 设备领先企业，率先受益于 HJT 扩产进程
迈为股份成立于2010年，是一家集机械设计、电气研制、软件算法开发、精密制造 装备于一体的高端智能装备制造商。公司凭借多年来优异的自主研发能力、产品质 量与售后服务体系，打破了外国厂商在光伏丝网印刷设备领域的垄断，成为全球光 伏丝网印刷设备的龙头企业，实现了光伏丝网印刷制造设备领域的国产化替代。 迈为股份的主要业务为面向太阳能光伏、显示、半导体三大行业，研发、制造、销 售智能化高端装备，主要产品包括全自动太阳能电池丝网印刷生产线、异质结高效 电池制造整体解决方案、OLED柔性屏激光切割设备、Mini/Micro LED晶圆设备、半 导体晶圆封装设备等。
（三）帝尔激光：光伏激光设备龙头，技术持续突破
帝尔激光成立于2008年，是一家研发精密激光加工配套设备 提供相应解决方案设计 的国家级高新技术企业。公司在微纳级激光精密加工领域深耕多年，在高效太阳能 电池路线领域，PERC激光消融设备、SE激光 设备，技术水平处于行业前列， 是行业内少数能够提供高效太阳能电池激光加工综合解决方案的企业。 公司主营业务为精密激光加工解决方案的设计及其配套设备的研发、生产和销售。 公司主要产品为应用于光伏产业的精密激光加工设备，目前的主要产品包括PERC 激光消融设备、SE激光 设备、 MWT系列激光设备、全自动高速激光划片/裂片 机、LID/R激光修复设备、激光扩硼设备等激光设备。近来公司在激光转印等领域持 续突破，已覆盖了高效太阳能电池的PERC、MWT、SE、LID/R等多个工艺环节， PERC、IBC、SE、LID/R等工艺可在高效太阳能电池生产过程中叠加。
公司收入和净利润稳步上升，净利率和毛利率缓慢下滑但仍维持高位。公司2021年 实现收入12.57亿元，同比增长17.2%，归母净利润3.81亿元，同比增长2.1%；22Q1 实现营收3.11亿元，同比增长13.3%，同期归母净利润0.93亿元，同比增长26.4%。 公司2021年毛利率为45.4%，较2020年同期下降1.1pct，净利率为30.3%，较2020 年同期下降4.5pct；22Q1毛利率为46.4%，净利率为29.9%，随着激光转印、激光 蚀刻等新产品和技术的推进，预计盈利能力 来将有所增强。（报告来源：未来智库）
（四）海目星：扎根于锂电设备，新切入光伏设备
海目星是激光及自动化综合解决方案提供商，主要从事消费电子、动力电池、钣金 加工等行业激光及自动化设备的研发、设计、生产及销售，在激光、自动化和智能 化综合运用领域已形成较强优势。公司专注于激光光学及控制技术、与激光系统相 配套的自动化技术，并坚持强化这两大核心能力。以此为依托，叠加精准风口把握 能力和前瞻性眼光，公司持续开拓动力电池、光伏电池等新兴应用领域，彰显充沛活力。
两大领域持续深耕，产品丰富布局深远。公司主要产品根据应用领域可以分为动力 电池激光及自动化设备、通用激光及自动化设备两大类别，后者包括消费类电子激 光及自动化设备、显示及脆性材料激光及自动化设备和钣金激光切割设备三小类。 动力电池激光设备主要包括高速激光制片机、电池装配线、电芯干燥线等，覆盖极 片制片、电芯装配、烘烤干燥等动力电池生产关键工艺流程，封装工艺上亦涵盖方 形、圆柱及软包电池三种类型。通用激光设备主要包括激光打标设备、激光焊接及 自动化生产线、钣金激光切割设备等，主要面向消费类电子、钣金切割等行业，通 过激光与自动化系统相结合，为相关领域提供优质高效的解决方案。
切入光伏设备领域，有望打开新的成长曲线。公司目前已推出全自动激光开槽设备、 全自动激光 设备、全自动无损激光划裂设备、全自动激光刻划设备、全自动电 池芯片清边设备、非标玻璃激光钻孔设备和非标玻璃激光切割设备共计7种产品，形 成光伏行业激光产品矩阵，积极开拓光伏业务。
近年收入和利润有所波动，21年改善明显。公司2021年实现收入19.84亿元，同比 增长50.3%，归母净利润1.09亿元，同比增长41.1%；22Q1实现营收4.47亿元，同 比增长254.5%，同期归母净利润0.11亿元，同比增长149.3%。公司2021年毛利率 为24.9%，较2020年同期下降5.0pct，净利率为5.5%，较2020年同期下降0.4pct； 22Q1毛利率为33.6%，净利率为2.4%，毛利率有所改善而净利率有所下滑。
（五）奥特维：多领域持续开拓，平台型企业渐成形
奥特维是国内领先的高端智能设备研发生产商。公司成立于2010年，成立早期主要 从事工业自动化集成、改造业务，之后业务先后拓展至光伏组件设备、光伏电池片/ 硅片设备、锂电设备、半导体设备等业务。目前，公司已形成光伏组件设备、光伏 电池片、光伏硅片设备、锂电模组PACK线、锂电外观分选设备、半导体封测设备五 条产品线。 公司根据自身的积累核对技术的独特理解，形成了从理论直到产品的理解体系，对 基础学科（第一层）、核心支撑技术（第二层）、核心应用技术（第三层）、产品 系列（第四层）等进行融会贯通，基于组件设备，逐步向光伏拉晶设备、光伏电池 片设备包括锂电设备、半导体设备扩展，而且在同样的领域内基于客户的积累还可 以进行产品的横向扩展，随着公司拉晶炉、键合机等逐步获得订单收获，平台型企 业已经长成。
公司收入和净利润增速较快，盈利能力不断增强。公司2021年实现收入20.47亿元， 同比增长78.9%，归母净利润3.71亿元，同比增长138.6%；22Q1实现营收6.25亿元， 同比增长70.3%，同期归母净利润1.07亿元，同比增长109.5%。公司2021年毛利率 为37.7%，较2020年同期上升1.6pct，净利率为18.0%，较2020年同期上升4.4pct； 22Q1毛利率为38.6%，净利率为16.2%，公司近年维持了收入与利润双双增长，同 时盈利能力不断增强。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站
