cmos门电路逻辑功能的判断（一文看懂CMOS集成门电路）
cmos门电路逻辑功能的判断（一文看懂CMOS集成门电路）增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺杂的区域用金属导线连出，分别称为源极(source)和漏极(drain)，在两极中间的绝缘层上制作金属导电层，然后用导向连出称为栅极(gate)，衬底一般也用导线连出和源极连接在一起。增强型NMOS管的结构MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。MOS管图形符号增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单介绍下，其结构如下所示:
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，本文先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS英文全称Metal Oxide Semiconductor，中文全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，属于一种电压控制型器件，正如其名，由金属(M)，氧化物(O)和半导体(S)构成，和三极管一样，既可以用来放大电路，也可以当作开关使用，MOS管基本原理和制造流程。
MOS管可分为耗尽型和增强型，每种类型又分为P沟道和N沟道。
增强型MOS管，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，耗尽型，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。
MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。
MOS管图形符号
增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单介绍下，其结构如下所示:
增强型NMOS管的结构
增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺杂的区域用金属导线连出，分别称为源极(source)和漏极(drain)，在两极中间的绝缘层上制作金属导电层，然后用导向连出称为栅极(gate)，衬底一般也用导线连出和源极连接在一起。
增强型MOS管需要在栅极加合适的电压才能工作，下面说明其工作原理：
增强型NMOS管工作原理
电源E1通过R1加到场效应管D S极，电源E2通过开关S加到G S极。
当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏极之间没有导电沟道，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于此时漏源之间加上的是正向电压，于是就会有电流从漏极流入，再经过导电沟道从S极流出，一般把形成沟道时的栅源极电压称为开启电压，用Vt表示，也即是图中E2电压。
如果改变E2电压大小，栅极下面的电场大小随之变化，吸引过来的电子数量也会发生变化，两个N区之间沟道宽度就会随之变化，通过的漏源极的电流大小就会发生变化。E2电压越高，沟道就会越宽，电流就会越大。
增强型MOS管的特点如下：
- G S极之间未加电压时，D S极之间没有沟道，电流为0；
- G S极之间加上开启电压后，D S极之间有沟道形成，D S极之间有电流
为分析方便，可以认为当NMOS管，G极为高电平时导通，为低电平时截止；对于PMOS则相反，G极为低电平时导通，高电平时截止。
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