开关电源mos管被击穿的原因（Littelfuse高功率瞬态抑制二极管保护易损坏的电子产品免因瞬态电压和浪涌雷电事件而损坏）

开关电源mos管被击穿的原因（Littelfuse高功率瞬态抑制二极管保护易损坏的电子产品免因瞬态电压和浪涌雷电事件而损坏）· 低速户外端口保护· 以太网供电（PoE）保护· 数据中心· 工业· 交流和直流保护

在节省PCB空间的DO-214AB SMC封装中提供8000W脉冲峰值功率耗损

全球领先的电路保护、电源控制和传感技术制造商Littelfuse Inc.（纳斯达克股票代码：LFUS）今日宣布推出采用DO-214AB封装的高浪涌瞬态抑制二极管产品系列。 8.0SMDJ系列经过优化，可保护灵敏的电子设备免因闪电和其他电压事件引起的瞬态电压而损坏。由于在DO-214AB SMC封装中整合了高达8000W脉冲峰值功率耗损，8.0SMDJ系列可为电路设计师提供节省空间的高浪涌电路保护解决方案，从而简化印刷电路板设计并显著提升可靠性。

8.0SMDJ瞬态抑制二极管产品

8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管的典型市场和应用包括：

· 数据中心

· 工业

· 交流和直流保护

· 以太网供电（PoE）保护

· 低速户外端口保护

“相比目前市面上的其他解决方案，新型单向和双向8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管可以为小型DO-214AB SMC封装提供较高的浪涌保护性能。它是DC12V、DC24V和DC48V应用的理想选择，既可单独使用，也可将两个串联使用。”Littelfuse功率瞬态抑制二极管全球产品经理Meng Wang表示。 “通过结合大功率瞬态抑制二极管和紧凑的封装，电路设计师可以节省宝贵的电路板空间，创造优化设计的机会，包括提高功率密度和生产效率。”

8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管提供以下关键优势：

· 瞬态电压和浪涌雷电事件高功率保护以及卓越的箝位性能，以提高灵敏电子设备的可靠性。

· 高功率密度以及紧凑的小尺寸DO-214AB封装有助于快捷轻松地完成PCB布局和PCBA组装，同时节省宝贵的电路板空间。

· 采用相比MOV可提供更高可靠性、精确箝位和快速响应时间的一款解决方案来取代交流侧和直流侧MOV。

供货情况

8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管提供3 000只装卷带封装。您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。如需了解Littelfuse 授权销商名单，可访问Littelfuse.com。

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