变频器用到的电子元器件（变频器常用电力电子器件简介）

变频器用到的电子元器件（变频器常用电力电子器件简介）载波频率　较低（开关时间较长）1.2-1.5KHZ输出电压　可以采用脉宽调制方式 4)功率场效应管(MOSFET) 根据门极电压的电场效应进行导通与关断的单极晶体管。具有自关断能力强、驱动功率小、工作速度高、无二次击穿现象、安全工作区宽等。用于小容量变频器中。电力晶体管(GTR)　主要特点：

常用电力电子器件简介

1)晶闸管(SCR) 没有自关断能力，逆变时需要另设换流电路，造成电路结构复杂，增加变频器成本。但由于元件容量大，在1000KVA以上的大容量变频器中得到广泛的应用。

2)门极可关断晶闸管(GTO） 可通过门极信号控制导通和关断。它是利用门极反向电流而获得自关断能力，属于全控器件，无需换流电路。已经逐步取代SCR。

3)电力晶体管(GTR) 是一种高反压晶体管，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。它被广泛用于交直流电机调速、中频电源等电力变流装置中。主要用作开关，工作于高电压大电流的场合，一般为模块化。

4)功率场效应管(MOSFET) 根据门极电压的电场效应进行导通与关断的单极晶体管。具有自关断能力强、驱动功率小、工作速度高、无二次击穿现象、安全工作区宽等。用于小容量变频器中。

电力晶体管(GTR)　

主要特点：

输出电压　可以采用脉宽调制方式

载波频率　较低（开关时间较长）1.2-1.5KHZ

电流波形　高次谐波成分较大，噪声大。

输出转矩　与工频运行时相比，略有下降

5)绝缘栅双极晶体管(IGBT) 集GTR和P-MOSFET的优点于一身，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点。目前中小容量变频器新产品中都采用它。适于高压的为HV-IGBT。

6)智能功率模块（IPM） 是一种将功率开关器件及其驱动电路、保护电路等集成在同一封装内的集成模块。目前采用较多的是IGBT作为大功率开关器件的模块，器件模块内集成了电流传感器，可以检测过电流及短路电流。具有过电流保护、过载保护以及驱动电流电压不足时的保护功能。

7)集成门极换流晶闸管(IGCT) 是一种中压、大功率半导体开关器件。它是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一体，集GTO和IGBT的优点于一身。

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