mos开关电路设计思路（更高效更简洁CISSOID三相SiC）

mos开关电路设计思路（更高效更简洁CISSOID三相SiC）内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源（每相1个），可提供每相高达5W的功率，从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt（> 50KV/µs）的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具备欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测和软关断（SSD）等保护功能，以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的保护。 该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块，它具有低导通损耗特性，导通电阻为3.25毫欧（mOhm），同时具有低开关损耗特性，在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ和11.2mJ。相比最先进的IGBT功率模块，其将损耗降低了至少三倍。新模块通过一个轻质的铝碳化硅（AlSiC）针翅底板进行水冷，结到流体的热阻为0.15°C

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。

这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。

该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块，它具有低导通损耗特性，导通电阻为3.25毫欧（mOhm），同时具有低开关损耗特性，在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ和11.2mJ。相比最先进的IGBT功率模块，其将损耗降低了至少三倍。新模块通过一个轻质的铝碳化硅（AlSiC）针翅底板进行水冷，结到流体的热阻为0.15°C / W。该智能功率模块可承受高达3600V的隔离电压（经过50Hz、1分钟的耐压测试）。

内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源（每相1个），可提供每相高达5W的功率，从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt（> 50KV/µs）的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具备欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测和软关断（SSD）等保护功能，以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的保护。

“开发和优化快速开关碳化硅功率模块并可靠地驱动它们仍是一个挑战，”CISSOID首席执行官Dave Hutton表示。“这款新型碳化硅智能功率模块是在功率模块和栅极驱动器方面进行多年开发的成果，这源于我们和汽车与交通运输领域领导者们的密切合作。我们很乐意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模块样品，从而去支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。”