英飞凌科技牵引逆变器（英飞凌推出用于电动汽车牵引逆变器的SiC六组件模块）

英飞凌科技牵引逆变器（英飞凌推出用于电动汽车牵引逆变器的SiC六组件模块）第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器进行了优化，重点是实现最低的传导损耗，尤其是在部分负载条件下。结合碳化硅MOSFET的低开关损耗，与硅IGBT相比，这可以提高逆变器的运行效率。CoolSiC汽车MOSFET技术"汽车电动车市场已经变得非常活跃，为创意和创新铺平了道路"，英飞凌创新和新兴技术主管Mark Münzer说，"随着SiC器件价格的大幅下降，SiC解决方案的商业化进程将加快，从而使更具成本效益的平台采用SiC技术，提高电动汽车的续航能力"。HybridPACK Drive于2017年首次推出，采用英飞凌的硅EDT2技术，该技术经过专门优化以在实际驾驶周期中提供最佳效率。它在750 V和1200 V级别内提供100 kW至180 kW的可扩展功率范围。该产品是英飞凌市场领先的电源模块，在20多个电动汽车平台上有超过100万件的出货

借助HybridPACKDriveCoolSiC轻松实现功率提升

英飞凌推出了一款采用CoolSiC MOSFET技术的新型汽车电源模块。在今年的虚拟PCIM贸易展览会上，英飞凌将展示新型HybridPACK Drive CoolSiC，这是一种具有1200 V的隔离电压的全桥模块，已针对电动汽车（EV）的牵引逆变器进行了优化。

该电源模块基于汽车CoolSiC trench MOSFET技术，适用于高功率密度和高性能应用。这为具有更大范围和更低电池成本的逆变器提供了更高的效率，特别是对于具有800 V电池系统和更大电池容量的车辆。

"电动全球模块化平台（E-GMP）的800V系统代表了下一代电动汽车的技术基础，可缩短充电时间"，现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung说，"通过使用基于英飞凌CoolSiC电源模块的牵引逆变器，我们能够将车辆的续航里程增加5%以上，因为与基于Si的解决方案相比，这种SiC解决方案的损耗更低，效率更高。"

"汽车电动车市场已经变得非常活跃，为创意和创新铺平了道路"，英飞凌创新和新兴技术主管Mark Münzer说，"随着SiC器件价格的大幅下降，SiC解决方案的商业化进程将加快，从而使更具成本效益的平台采用SiC技术，提高电动汽车的续航能力"。

HybridPACK Drive于2017年首次推出，采用英飞凌的硅EDT2技术，该技术经过专门优化以在实际驾驶周期中提供最佳效率。它在750 V和1200 V级别内提供100 kW至180 kW的可扩展功率范围。该产品是英飞凌市场领先的电源模块，在20多个电动汽车平台上有超过100万件的出货记录。新的CoolSiC版本基于英飞凌的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比，沟槽结构可实现更高的单元密度，从而获得同类最佳的品质因数。因此，沟槽MOSFET可以在较低的栅极氧化物场强度下工作，从而提高了可靠性。

该电源模块提供了一条从硅到碳化硅的同尺寸、简便升级途径。这使得逆变器的设计能够在1200 V级中实现高达250 kW的更高功率、更大的驱动范围、更小的电池尺寸以及优化的系统尺寸和成本。为了在不同功率水平下提供最佳的性价比，该产品提供两种版本，具有不同的芯片数，因此可提供1200 V级的400 A或200 A直流额定版本。

CoolSiC汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器进行了优化，重点是实现最低的传导损耗，尤其是在部分负载条件下。结合碳化硅MOSFET的低开关损耗，与硅IGBT相比，这可以提高逆变器的运行效率。

除了优化性能之外，英飞凌还非常重视可靠性。汽车CoolSiC MOSFET的设计和测试可实现短路可靠性以及高水平的宇宙射线和栅极氧化物的可靠性，这对设计高效、可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用至关重要。HybridPACK Drive CoolSiC电源模块完全符合汽车电源模块AQG324规范。