硅晶圆清洗的目的（晶圆光刻胶的去除）

硅晶圆清洗的目的（晶圆光刻胶的去除）等离子清洗器的应用包括预处理、灰化/光致抗蚀剂/聚合物剥离、芯片碰撞、静电消除、介质蚀刻、有机污染去除、芯片减压等。使用等离子清洗机不仅可以彻底去除光致抗蚀剂和其他有机物质，而且可以活化和增厚芯片表面，提高芯片表面的润湿性，使芯片表面更有粘合力。等离子清洗机在去除光刻胶方面的具体用途：光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种光敏混合液体，由光敏树脂、敏化剂和溶剂三种主要成分组成。光刻胶应具有相对较低的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖性。光敏树脂被光照后，在曝光区能迅速发生光固化反应，使光致抗蚀剂的物理性能，特别是溶解性和亲和力会发生显著变化。在有紫外线的地方，它会迅速凝聚成固态。光刻胶通过曝光、显影和蚀刻在每个结构表面上形成所需的图案。在进行后一层处理时，需要将前一次使用后的光刻胶完全去除。从预定义图形中去除不必要的局部区域，保留剩余区域，并且将图形转移到所选图形的过程需要等离子体处理。等离子

随着科学技术的飞速发展，LED产业对生态环境保护和性能的要求越来越高。在LED行业中，晶圆是整个LED的重要组成部分，而晶圆光刻胶的去除是整个LED组件最重要的技术部分。也是LED技术的关键所在。

当谈到芯片时，它将谈到光刻胶和蚀刻。晶圆光刻胶是一种有机化合物胶，在显影液中的溶解度会在光的照射下，特别是紫外线的照射下发生冷凝。曝光后烘烤成固态。

整个光刻过程是这样的。使用时，晶圆片被装载在一个转盘上，该转盘可以每分钟旋转数千转。几滴光致抗蚀剂溶液滴入旋转芯片的中心，离心力将溶液抛到整个表面。光致抗蚀剂溶液粘附到芯片上以形成均匀的膜。多余的溶液从旋转的晶圆上摇落。薄膜在几秒钟内收缩到最终厚度，溶剂迅速蒸发，在晶圆上留下一层薄薄的光致抗蚀剂。

最后，通过烘烤除去最后残留的溶剂，并使光致抗蚀剂硬化以进行后续处理。涂覆的芯片对特定波层中的光敏感，特别是紫外线（UV）光。它们对其他波长（包括红色、橙色和黄色）相对不敏感。所以大多数照相平版印刷车间都有特殊的黄灯系统。

光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种光敏混合液体，由光敏树脂、敏化剂和溶剂三种主要成分组成。光刻胶应具有相对较低的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖性。光敏树脂被光照后，在曝光区能迅速发生光固化反应，使光致抗蚀剂的物理性能，特别是溶解性和亲和力会发生显著变化。在有紫外线的地方，它会迅速凝聚成固态。

光刻胶通过曝光、显影和蚀刻在每个结构表面上形成所需的图案。在进行后一层处理时，需要将前一次使用后的光刻胶完全去除。从预定义图形中去除不必要的局部区域，保留剩余区域，并且将图形转移到所选图形的过程需要等离子体处理。

等离子体处理具有以下优点：获得满意的轮廓，钻孔小，对表面和电路的损伤小，清洁，经济和安全。选择性大，刻蚀均匀性好，重复性高。处理过程中不会引入污染，清洁度高。

等离子清洗机在去除光刻胶方面的具体用途：

等离子清洗器的应用包括预处理、灰化/光致抗蚀剂/聚合物剥离、芯片碰撞、静电消除、介质蚀刻、有机污染去除、芯片减压等。使用等离子清洗机不仅可以彻底去除光致抗蚀剂和其他有机物质，而且可以活化和增厚芯片表面，提高芯片表面的润湿性，使芯片表面更有粘合力。

与传统设备相比，晶圆光刻胶等离子清洗机具有许多优点。设备成本不高。此外，清洗过程中的气固相干反应不消耗水资源，不需要使用昂贵的有机溶剂。这使得整体成本低于传统的湿法清洗工艺。此外，它还解决了湿法去除晶圆表面光致抗蚀剂的缺点，如反应不准确、清洗不彻底、易引入杂质等。不需要有机溶剂，对环境没有污染，是一种低成本的绿色清洁方法。

作为干法等离子清洗机，其可控性强，一致性好。它不仅完全去除光致抗蚀剂有机物，而且还活化和粗糙了芯片表面，提高了芯片表面的润湿性。

晶圆清洗-等离子清洗机用于晶圆凸点工艺前的污染物去除，也可以去除有机污染物，去除氟和其他卤素污染物，去除金属和金属氧化物。

晶圆蚀刻-等离子体清洗机对晶圆上残留的光刻胶和BCB进行预处理，重新分配图案介电层，线/光致抗蚀剂蚀刻，提高芯片材料表面的附着力，并去除多余的塑料密封材料/环氧树脂，以及其他有机污染物，提高金焊料凸点附着力，减少芯片应力破碎，提高旋涂附着力。

纳恩科技的晶圆等离子去胶设备在光刻胶去除、引线键合前清洗、塑料封装前活化等工艺中积累了较为丰富的等离子表面处理经验，在这方面，纳恩科技能够给需要的客户带来专业的工艺处理方案