nmos管放大电路的原理（电子元器件NMOS管的工作原理）
nmos管放大电路的原理（电子元器件NMOS管的工作原理）产生空穴，空穴对外吸引电子对外显正电。此时硼原子最外层少了一个电子此时磷原子最外层多出来一个自由电子，带负电荷。自由电子带负电，所以我们叫他N型半导体。硼原子最外层有3个电子
negative 英 [ˈneɡətɪv] 消极的;负的;
positive 英 [ˈpɒzətɪv] adj. 阳性的;正数的;正电的
MOS管的半导体结构
Si原子最外层4个电子 ，P原子最外层5个电子
此时磷原子最外层多出来一个自由电子，带负电荷。
自由电子带负电，所以我们叫他N型半导体。
硼原子最外层有3个电子
此时硼原子最外层少了一个电子
产生空穴，空穴对外吸引电子对外显正电。
N极电子磷原子多一个电子，P极硼原子少一个电子。
电流方向和电子运动方向相反。
他们之间形成2个二极管，一个导通 一个截止。
绝缘栅加电后可以把P型半导体中的电子吸引过来，当吸引电子足够多时形成N沟道。
1、高阻抗
由于有绝缘侧层的存在，输入电阻可以达到上亿欧姆。电流可以忽略不计，这样的功耗可以忽略不计。
2、绝缘侧被击穿
无法形成N沟道，源极（source）和栅极（gate）之间导通
