第三代半导体发展史：第三代半导体 直线超车的关键

第三代半导体发展史：第三代半导体 直线超车的关键射频器件是GaN的另一个主要增长点之一，根据法国Yole公司发布的数据显示，2019年-2025年，GaN射频器件市场将保持12%的增速增长，预计2025年达20亿美元。其主要运用场景为5G基站与军用雷达，截至2019年底，我国完成了13万个宏基站建设，2020 年宏基站需求量近50万站，随着未来5G技术的成熟与基站建设铺开，将为射频器件带来巨大的需求，据 Yole 预计，2023 年基站领域 GaN 射频器件的市场规模将达到 5.21 亿美元，在基站的渗透率超过 85%。同样的，随着我国国防军工建设加速，对于国防的投入持续增加，军用雷达的需求将持续增长，据 Yole 预测，GaN射频军用市场将以22%的CAGR增长，其总价值将在 2025 年超过11亿美元。

广阔的应用场景

第三代半导体材料的下游应用几乎遍及所有用电领域。新基建之中，除了人工智能之外，都有第三代半导体身影，电力电子器件（即功率半导体）和微波射频是两大主要增长领域。其中，新能源汽车和快充是电力电子器件的主要增长点，而射频器件主要应用于5G基站和国防。

新能源车是下游应用场景中趋势最明确，前景最广阔的场景之一，也是SiC下游应用场景中复合增长率最高的行业，据Yole预测，2017-2023年SiC应用的复合增长率为27%，其中电动和混动汽车的复合增长率为 81%，充电桩/充电站的复合增长率为 58%。

而对于GaN来说，在电力电子器件的主要增长点来自于快充，GaN器件制作的充电器体积小、重量轻，大大改善了用户的使用体验。应用目标主要为笔记本电脑、手机、平板等电源；目前来看，基于GaN的充电器将成为首选。全球每年充电器销售量大约为40亿只，按照每个充电器使用2个芯片，每芯片1美金估算，GaN在快充市场潜在规模大约为80亿美金，根据Yole预计，全球GaN功率半导体市场规模从2018 年的873万美元增长到2024年的3.5亿美元，复合增长率达到 85%。

射频器件是GaN的另一个主要增长点之一，根据法国Yole公司发布的数据显示，2019年-2025年，GaN射频器件市场将保持12%的增速增长，预计2025年达20亿美元。其主要运用场景为5G基站与军用雷达，截至2019年底，我国完成了13万个宏基站建设，2020 年宏基站需求量近50万站，随着未来5G技术的成熟与基站建设铺开，将为射频器件带来巨大的需求，据 Yole 预计，2023 年基站领域 GaN 射频器件的市场规模将达到 5.21 亿美元，在基站的渗透率超过 85%。同样的，随着我国国防军工建设加速，对于国防的投入持续增加，军用雷达的需求将持续增长，据 Yole 预测，GaN射频军用市场将以22%的CAGR增长，其总价值将在 2025 年超过11亿美元。