生产芯片的光刻胶有国产的吗（国产芯片界再次）
生产芯片的光刻胶有国产的吗（国产芯片界再次）注意，光源波长可以通过镜头来聚焦（放大镜一样），如果镜头跟硅片之间是空气，难度很高，效果不好，但是如果是液体效果会更好，这就是干式与浸润式光刻技术的差别，光刻胶就是充当液体的作用，同时含有光敏感材料，像底片一样记录着光“刻”的图案，跟拍照差不多原理。193nm ArF光刻机、193nm光刻胶指的是指的是Arf光源的波长是193nm。现在最先进的光源是EUV，波长不过是13.5nm，而且还不成熟。为什么光源波长数值那么长，可以做出几十纳米大的晶体管？不过最近国内的芯片制造技术再次“破冰”——南大光电在193nm（nm是纳米，长度单位，1厘米等于1百万纳米）光刻胶技术取得突破。有人可能会说了，不过是个193nm有什么可高兴的，能帮到人家华为吗？你别说，真的能。我们经常说多少纳米的芯片，指的芯片内部晶体管的密集程度，实际上这些晶体管一般都是几十纳米大，但是他们一层层叠着，就很密集，比如70nm线
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文 | 薰儿
前言华为自从被美国制裁以后，国内就很重视半导体制造行业的发展，这就很棒，因为国内半导体发展至少落后了国外20~30年，每年进口的芯片总值在2万亿元人民币以上，可能大家没有什么概念，对比一下原油进口，国内进口原油，不过是1.5万亿人民币左右。
芯片说白了就是“沙子”，竟然比原油还要贵，这就是技术性垄断；不仅仅是芯片，那很多芯片材料都是技术性垄断，比如光刻胶，这一点日本和美国玩得6，基本上都被垄断了。
不过最近国内的芯片制造技术再次“破冰”——南大光电在193nm（nm是纳米，长度单位，1厘米等于1百万纳米）光刻胶技术取得突破。
有人可能会说了，不过是个193nm有什么可高兴的，能帮到人家华为吗？你别说，真的能。
一、193nm ArF光刻机、193nm光刻胶、7nm芯片
我们经常说多少纳米的芯片，指的芯片内部晶体管的密集程度，实际上这些晶体管一般都是几十纳米大，但是他们一层层叠着，就很密集，比如70nm线宽的空间内有10个几十纳米的晶体管，这就是所谓的7nm芯片；
193nm ArF光刻机、193nm光刻胶指的是指的是Arf光源的波长是193nm。现在最先进的光源是EUV，波长不过是13.5nm，而且还不成熟。为什么光源波长数值那么长，可以做出几十纳米大的晶体管？
注意，光源波长可以通过镜头来聚焦（放大镜一样），如果镜头跟硅片之间是空气，难度很高，效果不好，但是如果是液体效果会更好，这就是干式与浸润式光刻技术的差别，光刻胶就是充当液体的作用，同时含有光敏感材料，像底片一样记录着光“刻”的图案，跟拍照差不多原理。
光刻刻的更多是结构，是路线图，使到路线上能够容纳更多的晶体管，提高密集程度。光刻胶很重要的。没有光刻胶，就没有浸润式光刻技术，就没有台积电现在辉煌。在18年前，台积电林本坚就做到193nm浸润光刻技术，用的光刻胶就是193nm Arf浸润光刻胶。
南大光电这次贡献很大。
二、打破美日垄断
光刻胶是很重要的，就像上面说的那样，所幸有江苏的南大光电做出了突破，目前也是给客户试用测试，不久就可以大规模生产了。ArF光源的光刻胶虽然比EUV光源光刻机落后，但是在应用却十分广泛，占了到全球光刻胶生产的42%。
同时这个ArF以上的光刻胶都是被美国、日本垄断，国内之前根本生产不出来， 别人不卖，或者是高价卖，是没地说理的；为什么日韩贸易战，日本把韩国制得服服帖帖，就是因为韩国的三星指望日本的光刻胶。
但是情况完全不一样了，我们也有自己的ArF光刻胶，在EUV光刻胶没有成熟之前，它是主流。
总结
真的是太了不起，现在是万事俱备，只欠东风了，国内目前的光刻胶发展，跟国外的差距缩短到了18年左右，但是在整体上应该只有10年的差距，目前只要统筹好各方，国内是完全可以自主生产出7nm芯片的。
但是如果要真正制造出像华为麒麟990的芯片，要是需要在EUV光源、EUV光刻机、EUV光刻胶上做出突破，其他问题不大，你认为国内需要多少年？
说了这么久，你懂我意思吧？那就意思意思
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